CSD19536KTT
100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, D2PAK, 2,4 mOhm
CSD19536KTT
- Ultra-Low Qg and Qgd
- Low Thermal Resistance
- Avalanche Rated
- Lead-Free Terminal Plating
- RoHS Compliant
- Halogen Free
- D2PAK Plastic Package
This 100-V, 2-mΩ, D2PAK (TO-263) NexFET power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.
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Technische Dokumentation
Design und Entwicklung
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Viele TI-Referenzdesigns beinhalten CSD19536KTT
Mit unserem Referenzdesign-Auswahltool können Sie die für Ihre Anwendung und Ihre Parameter am besten geeigneten Designs durchsehen und ermitteln.
Gehäuse | Pins | CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle |
---|---|---|
TO-263 (KTT) | 2 | Ultra Librarian |
Bestellen & Qualität
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