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CSD88584Q5DC

AKTIV

40 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 5 mm x 6 mm Dual-Cool™-Leistungsblock,

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Datenblatt

CSD88584Q5DC

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Produktdetails

VDS (V) 40 VGS (V) 20 Type Power block Configuration PowerBlock ID - continuous drain current at TA=25°C (A) 50 Power loss (W) 2.4 Ploss current (A) 35 Features Motor control Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 40 VGS (V) 20 Type Power block Configuration PowerBlock ID - continuous drain current at TA=25°C (A) 50 Power loss (W) 2.4 Ploss current (A) 35 Features Motor control Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON-CLIP (DMM) 22 30 mm² 6 x 5
  • Half-bridge power block
  • High-density SON 5mm × 6mm footprint
  • Low RDS(ON) for minimized conduction losses
    • 2.4W PLoss at 35A
  • DualCool™ thermally enhanced package
  • Ultra-low-inductance package
  • RoHS compliant
  • Halogen free
  • Lead-free terminal plating
  • Half-bridge power block
  • High-density SON 5mm × 6mm footprint
  • Low RDS(ON) for minimized conduction losses
    • 2.4W PLoss at 35A
  • DualCool™ thermally enhanced package
  • Ultra-low-inductance package
  • RoHS compliant
  • Halogen free
  • Lead-free terminal plating

The CSD88584Q5DC 40V power block is an optimized design for high-current motor control applications, such as handheld, cordless garden and power tools. This device utilizes TI’s patented stacked die technology in order to minimize parasitic inductances while offering a complete half bridge in a space saving thermally enhanced DualCool™ 5mm × 6mm package. With an exposed metal top, this power block device allows for simple heat sink application to draw heat out through the top of the package and away from the PCB, for superior thermal performance at the higher currents demanded by many motor control applications.

The CSD88584Q5DC 40V power block is an optimized design for high-current motor control applications, such as handheld, cordless garden and power tools. This device utilizes TI’s patented stacked die technology in order to minimize parasitic inductances while offering a complete half bridge in a space saving thermally enhanced DualCool™ 5mm × 6mm package. With an exposed metal top, this power block device allows for simple heat sink application to draw heat out through the top of the package and away from the PCB, for superior thermal performance at the higher currents demanded by many motor control applications.
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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
* Data sheet CSD88584Q5DC 40V Half-Bridge NexFET Power Block datasheet (Rev. E) PDF | HTML 23 Jun 2024
Application note MOSFET Support and Training Tools (Rev. F) PDF | HTML 14 Jun 2024
Application note Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 25 Mär 2024
Application note QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) PDF | HTML 06 Dez 2023
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 31 Mai 2022
Technical article How to Select a MOSFET – Motor Control 24 Jan 2018
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Application note Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 16 Nov 2011

Design und Entwicklung

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Evaluierungsplatine

BOOSTXL-DRV8304H — DRV8304H – dreiphasiger Motortreiber – Evaluierungsmodul

The BOOSTXL-DRV8304HEVM evaluation module  (EVM) is a 15A, 3-phase brushless DC drive stage based on the DRV8304H gate driver and A2 dual-package MOSFETs.  The EVM has individual DC bus and phase voltage sense as well as individual low-side current shunt amplifiers, making (...)
Benutzerhandbuch: PDF
Nicht verfügbar auf TI.com
Evaluierungsplatine

DRV8306EVM — DRV8306-Evaluierungsmodul für dreiphasigen Smart-Gate-Treiber

The DRV8306 evaluation module (EVM) is an application board designed to allow easy evaluation of the DRV8306 device. The DRV8306 device is a gate driver IC for three-phase motor drive applications. The DRV8306 device provides three high-accuracy trimmed and temperature-compensated half bridge (...)
Benutzerhandbuch: PDF
Nicht verfügbar auf TI.com
Evaluierungsplatine

DRV8343H-Q1EVM — DRV8343H-Q1 – dreiphasiger Motortreiber für die Automobilindustrie – Evaluierungsmodul

The DRV8343H-Q1EVM evaluation module is a 6V to 60V, 20A, a highly configurable 3-phase brushless DC (BLDC) motor drive and control evaluation platform designed for 12-V to 24-V automotive systems based on the DRV8343H-Q1 automotive smart gate driver.  The EVM has onboard reverse battery (...)
Benutzerhandbuch: PDF
Nicht verfügbar auf TI.com
Evaluierungsplatine

DRV8343S-Q1EVM — DRV8343S-Q1 – dreiphasiger Motortreiber für die Automobilindustrie – Evaluierungsmodul

The DRV8343S-Q1EVM evaluation module is a 6V to 60V, 20A, a highly configurable 3-phase brushless DC (BLDC) motor drive and control evaluation platform designed for 12-V to 24-V automotive systems based on the DRV8343S-Q1 automotive smart gate driver.  The EVM has onboard reverse battery (...)
Benutzerhandbuch: PDF
Nicht verfügbar auf TI.com
Simulationsmodell

CSD88584Q5DC Unencrypted PSpice Model Package (Rev. B)

SLPM326B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
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Berechnungstool

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for BLDC Motor Drive

This is an Excel-based MOSFET power loss calculator for brushless DC motor drive applications.
Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Produkte
MOSFETs
CSD13202Q2 — 12-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 9,3 mOhm CSD15571Q2 — 20-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 19,2 mOhm CSD16301Q2 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 29 mOhm CSD16321Q5 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm CSD16322Q5 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,8 mOhm CSD16323Q3 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 5,5 mOhm CSD16325Q5 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,2 mOhm CSD16327Q3 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 4,8 mOhm CSD16340Q3 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 5,5 mOhm CSD16342Q5A — 25 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,5 mOhm CSD16401Q5 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm CSD16403Q5A — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,7 mOhm CSD16404Q5A — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 7,2 mOhm CSD16406Q3 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 7,4 mOhm CSD16407Q5 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,3 mOhm CSD16408Q5 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,8 mOhm CSD16409Q3 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 12,4 mOhm CSD16410Q5A — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12 mOhm CSD16411Q3 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 15 mOhm CSD16412Q5A — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 16 mOhm CSD16413Q5A — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,6 mOhm CSD16414Q5 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm CSD16415Q5 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,8 mOhm CSD16556Q5B — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,5 mOhm CSD17301Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3 mOhm CSD17302Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9 mOhm CSD17303Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2.6 mOhm CSD17304Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 8.8 mOhm CSD17305Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3.6 mOhm CSD17306Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4.2 mOhm CSD17307Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12.1 mOhm CSD17308Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 11.8 mOhm CSD17309Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6.3 mOhm CSD17310Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5.9 mOhm CSD17311Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2.3 mOhm CSD17312Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1.7 mOhm CSD17313Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 32 mOhm CSD17318Q2 — 30 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 16,9 mOhm CSD17322Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12.4 mOhm CSD17327Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 15.5 mOhm CSD17501Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2.9 mOhm CSD17505Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3.5 mOhm CSD17506Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4 mOhm CSD17507Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 10.8 mOhm CSD17510Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5.2 mOhm CSD17522Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 8.1 mOhm CSD17527Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 10.8 mOhm CSD17551Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9 mOhm CSD17551Q5A — 30 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 8,8 mOhm CSD17552Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6 mOhm CSD17552Q5A — 30 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,2 mOhm CSD17553Q5A — 30 V, N-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,1 mOhm CSD17555Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,7 mOhm CSD17556Q5B — 30 V, N-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,8 mOhm CSD17559Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,5 mOhm CSD17571Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 29 mOhm CSD17573Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1.45 mOhm CSD17575Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 3.2 mOhm CSD17576Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2.9 mOhm CSD17577Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6,4 mOhm CSD17577Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5.8 mOhm CSD17578Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9.4 mOhm CSD17578Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,3 mOhm CSD17579Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 14,2 mOhm CSD17579Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 13,3 mOhm CSD17581Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 4,2 mOhm CSD17581Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4.2 mOhm CSD18501Q5A — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,2 mOhm CSD18502KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,9 mOhm CSD18502Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm CSD18503KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 4,5 mOhm CSD18503Q5A — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,3 mOhm CSD18504KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 7 mOhm CSD18504Q5A — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,6 mOhm CSD18509Q5B — 40 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,2 mOhm CSD18510KCS — 40 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 1,7 mOhm CSD18510KTT — 40 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 1,7 mOhm CSD18510Q5B — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 0,96 mOhm CSD18511KCS — 40-V-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,6 mOhm CSD18511KTT — 40 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2,6 mOhm CSD18511Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm CSD18512Q5B — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,6 mOhm CSD18513Q5A — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,4 mOhm CSD18514Q5A — 40 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm CSD18531Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,6 mOhm CSD18532KCS — 60-V-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 4,2 mOhm CSD18532NQ5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,4 mOhm CSD18532Q5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,2 mOhm CSD18533KCS — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 6,3 mOhm CSD18533Q5A — 60-V, N-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,9 mOhm CSD18534KCS — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 9,5 mOhm CSD18534Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,8 mOhm CSD18535KCS — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2 mOhm CSD18535KTT — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2 mOhm CSD18536KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 1,6 mOhm CSD18536KTT — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, D2PAK, 21,6 mOhm CSD18537NKCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 14 mOhm CSD18537NQ5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 13 mOhm CSD18540Q5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,2 mOhm CSD18542KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 4 mOhm CSD18542KTT — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 4 mOhm CSD18543Q3A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9,9 mOhm CSD18563Q5A — 60 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,8 mOhm CSD19501KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 6,6 mOhm CSD19502Q5B — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,1 mOhm CSD19503KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 9,2 mOhm CSD19505KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 3,1 mOhm CSD19505KTT — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 3,1 mOhm CSD19506KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,3 mOhm CSD19506KTT — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2,3 mOhm CSD19531KCS — 100-V-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 7,7 mOhm CSD19531Q5A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,4 mOhm CSD19532KTT — 100-V-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, D2PAK, 5,6 mOhm CSD19532Q5B — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm CSD19533KCS — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFE, Einzel-TO-220, 10,5 mOhm CSD19533Q5A — 100 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,5 mOhm CSD19534KCS — 100 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 16,5 mOhm CSD19534Q5A — 100 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 15,1 mOhm CSD19535KCS — 100 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 3,6 mOhm CSD19535KTT — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 3,4 mOhm CSD19536KCS — 100 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,7 mOhm CSD19536KTT — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, D2PAK, 2,4 mOhm CSD19537Q3 — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 14,5 mOhm CSD19538Q2 — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 59 mOhm CSD19538Q3A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 61 mOhm CSD85301Q2 — 20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SON 2 mm x 2 mm, 27 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD87333Q3D — 30 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 3 mm x 3 mm-Leistungsblock, 15 A CSD87334Q3D — 30-V-N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 3 mm x 3 mm-Leistungsblock, 20 A CSD87353Q5D — 30 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 5 mm x 6 mm-Leistungsblock, 40 A CSD87502Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SON 2 mm x 2, 42 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD88537ND — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SO-8, 15 mOhm CSD88539ND — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SO-8, 28 mOhm CSD88584Q5DC — 40 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 5 mm x 6 mm Dual-Cool™-Leistungsblock, CSD88599Q5DC — 60 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 5 mm x 6 mm-Dual-Cool™-Leistungsblock,
Software
Berechnungstool
MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — MOSFET-Leistungsverlustberechnung für Motorantriebanwendungen
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Berechnungstool

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
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Produkte
MOSFETs
CSD13201W10 — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1 mm, 34 mOhm CSD13202Q2 — 12-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 9,3 mOhm CSD13302W — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1 mm, 17,1 mOhm CSD13303W1015 — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1,5 mm, 20 mOhm CSD13306W — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1,5 mm, 10,2 mOhm CSD13380F3 — 12 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 76 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD13381F4 — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6mm, 180 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD13383F4 — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6mm, 44 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD13385F5 — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 19 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD15380F3 — 20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 1460 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD15571Q2 — 20-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 19,2 mOhm CSD16301Q2 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 29 mOhm CSD16321Q5 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm CSD16322Q5 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,8 mOhm CSD16323Q3 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 5,5 mOhm CSD16325Q5 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,2 mOhm CSD16327Q3 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 4,8 mOhm CSD16340Q3 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 5,5 mOhm CSD16342Q5A — 25 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,5 mOhm CSD16401Q5 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm CSD16403Q5A — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,7 mOhm CSD16404Q5A — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 7,2 mOhm CSD16406Q3 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 7,4 mOhm CSD16407Q5 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,3 mOhm CSD16408Q5 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,8 mOhm CSD16409Q3 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 12,4 mOhm CSD16410Q5A — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12 mOhm CSD16411Q3 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 15 mOhm CSD16412Q5A — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 16 mOhm CSD16413Q5A — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,6 mOhm CSD16414Q5 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm CSD16415Q5 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,8 mOhm CSD16556Q5B — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,5 mOhm CSD16570Q5B — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 0,82 mOhm CSD17301Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3 mOhm CSD17302Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9 mOhm CSD17303Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2.6 mOhm CSD17304Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 8.8 mOhm CSD17305Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3.6 mOhm CSD17306Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4.2 mOhm CSD17307Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12.1 mOhm CSD17308Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 11.8 mOhm CSD17309Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6.3 mOhm CSD17310Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5.9 mOhm CSD17311Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2.3 mOhm CSD17312Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1.7 mOhm CSD17313Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 32 mOhm CSD17313Q2Q1 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET für die Automobilindustrie CSD17318Q2 — 30 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 16,9 mOhm CSD17322Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12.4 mOhm CSD17327Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 15.5 mOhm CSD17381F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 117 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD17382F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6mm, 67 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD17483F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 260 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD17484F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 128 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD17501Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2.9 mOhm CSD17505Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3.5 mOhm CSD17506Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4 mOhm CSD17507Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 10.8 mOhm CSD17510Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5.2 mOhm CSD17522Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 8.1 mOhm CSD17527Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 10.8 mOhm CSD17551Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9 mOhm CSD17551Q5A — 30 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 8,8 mOhm CSD17552Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6 mOhm CSD17552Q5A — 30 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,2 mOhm CSD17553Q5A — 30 V, N-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,1 mOhm CSD17555Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,7 mOhm CSD17556Q5B — 30 V, N-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,8 mOhm CSD17559Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,5 mOhm CSD17570Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 0.92 mOhm CSD17571Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 29 mOhm CSD17573Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1.45 mOhm CSD17575Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 3.2 mOhm CSD17576Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2.9 mOhm CSD17577Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6,4 mOhm CSD17577Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5.8 mOhm CSD17578Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9.4 mOhm CSD17578Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,3 mOhm CSD17579Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 14,2 mOhm CSD17579Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 13,3 mOhm CSD17581Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 4,2 mOhm CSD17581Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4.2 mOhm CSD17585F5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 33 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD18501Q5A — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,2 mOhm CSD18502KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,9 mOhm CSD18502Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm CSD18503KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 4,5 mOhm CSD18503Q5A — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,3 mOhm CSD18504KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 7 mOhm CSD18504Q5A — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,6 mOhm CSD18509Q5B — 40 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,2 mOhm CSD18510KCS — 40 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 1,7 mOhm CSD18510KTT — 40 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 1,7 mOhm CSD18510Q5B — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 0,96 mOhm CSD18511KCS — 40-V-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,6 mOhm CSD18511KTT — 40 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2,6 mOhm CSD18511Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm CSD18512Q5B — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,6 mOhm CSD18513Q5A — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,4 mOhm CSD18514Q5A — 40 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm CSD18531Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,6 mOhm CSD18532KCS — 60-V-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 4,2 mOhm CSD18532NQ5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,4 mOhm CSD18532Q5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,2 mOhm CSD18533KCS — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 6,3 mOhm CSD18533Q5A — 60-V, N-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,9 mOhm CSD18534KCS — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 9,5 mOhm CSD18534Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,8 mOhm CSD18535KCS — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2 mOhm CSD18535KTT — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2 mOhm CSD18536KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 1,6 mOhm CSD18536KTT — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, D2PAK, 21,6 mOhm CSD18537NKCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 14 mOhm CSD18537NQ5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 13 mOhm CSD18540Q5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,2 mOhm CSD18541F5 — 60 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1,5 mm x 0,8 mm, 65 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD18542KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 4 mOhm CSD18542KTT — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 4 mOhm CSD18543Q3A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9,9 mOhm CSD18563Q5A — 60 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,8 mOhm CSD19501KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 6,6 mOhm CSD19502Q5B — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,1 mOhm CSD19503KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 9,2 mOhm CSD19505KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 3,1 mOhm CSD19505KTT — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 3,1 mOhm CSD19506KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,3 mOhm CSD19506KTT — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2,3 mOhm CSD19531KCS — 100-V-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 7,7 mOhm CSD19531Q5A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,4 mOhm CSD19532KTT — 100-V-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, D2PAK, 5,6 mOhm CSD19532Q5B — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm CSD19533KCS — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFE, Einzel-TO-220, 10,5 mOhm CSD19533Q5A — 100 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,5 mOhm CSD19534KCS — 100 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 16,5 mOhm CSD19534Q5A — 100 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 15,1 mOhm CSD19535KCS — 100 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 3,6 mOhm CSD19535KTT — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 3,4 mOhm CSD19536KCS — 100 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,7 mOhm CSD19536KTT — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, D2PAK, 2,4 mOhm CSD19537Q3 — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 14,5 mOhm CSD19538Q2 — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 59 mOhm CSD19538Q3A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 61 mOhm CSD83325L — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, duales LGA, 5,9 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD85301Q2 — 20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SON 2 mm x 2 mm, 27 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD85302L — 20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-Common-Drain-LGA 1,35 mm x 1,35 mm, 24 mOhm, Gate-ESD-S CSD85312Q3E — 20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-Common-Quellen-SON, 3 mm x 3, 14 mOhm CSD86311W1723 — 25 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, duale gemeinsame Quelle, WLP, 1,7 mm x 2,3 mm, 42 mOhm CSD86330Q3D — 25-V-N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 3 mm x 3 mm-Leistungsblock, 20 A CSD86336Q3D — 25-V-N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 3 mm x 3 mm-Leistungsblock, 20 A CSD86350Q5D — 25-V-N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 5 mm x 6 mm-Leistungsblock, 40 A CSD86356Q5D — 25-V-N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 5 mm x 6 mm-Leistungsblock, 40 A CSD86360Q5D — 25-V-N-Kanal-Synchron-Buck-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 5 mm x 6 mm-Leistungsblock, 50 A CSD87312Q3E — 30 V, N-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, duale gemeinsame Quelle SON 3 mm x 3 mm, 38 mOhm CSD87313DMS — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, doppeltem gemeinsamen Drain SON 3 mm x 3 mm, 5,5 mOhm CSD87330Q3D — 30-V-N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 3 mm x 3 mm-Leistungsblock, 20 A CSD87331Q3D — 30 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 3 mm x 3 mm-Leistungsblock, 15 A CSD87333Q3D — 30 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 3 mm x 3 mm-Leistungsblock, 15 A CSD87334Q3D — 30-V-N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 3 mm x 3 mm-Leistungsblock, 20 A CSD87335Q3D — 30 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 3 mm x 3 mm-Leistungsblock, 25 A CSD87350Q5D — 30 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 5 mm x 6 mm-Leistungsblock, 40 A CSD87351Q5D — 30 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 5 mm x 6 mm-Leistungsblock, 32 A CSD87351ZQ5D — 30 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 5 mm x 6 mm-Leistungsblock, 32 A CSD87352Q5D — 30 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 5 mm x 6 mm-Leistungsblock, 25 A CSD87353Q5D — 30 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 5 mm x 6 mm-Leistungsblock, 40 A CSD87355Q5D — 30 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 5 mm x 6 mm-Leistungsblock, 45 A CSD87381P — 30-V, N-Kanal-Synchron-Buck-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 3 mm x 2,5 mm LGA, 15 A CSD87384M — 30 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 5 mm x 3,5 mm LGA, 30 A CSD87501L — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-Common-Drain-LGA, 5,5 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD87502Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SON 2 mm x 2, 42 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD87503Q3E — 30 V, N-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, duale gemeinsame Quelle SON 3 mm x 3 mm, 21,9 mOhm CSD87588N — 30-V, N-Kanal-Synchron-Buck-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 5 mm x 2,5 mm LGA, 25 A CSD88537ND — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SO-8, 15 mOhm CSD88539ND — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SO-8, 28 mOhm CSD88584Q5DC — 40 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 5 mm x 6 mm Dual-Cool™-Leistungsblock, CSD88599Q5DC — 60 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 5 mm x 6 mm-Dual-Cool™-Leistungsblock,
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Referenzdesigns

TIDA-00774 — Referenzdesign für hocheffizienten bürstenlosen Motorantrieb mit hoher Leistungsdichte, 18 V/1 kW, 1

The TIDA-00774 is a 1kW drive for a three-phase brushless DC (BLDC) motor in power tools operating from a 5-cell Li-ion battery with a voltage up to 21 V. The design is a 65mm x 60mm compact drive, implementing sensor-based trapezoidal control. The design takes advantage of TI's MOSFET Power Block (...)
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Referenzdesigns

TIDA-01516 — Referenzdesign für einzelne Mikrocontroller-18-V/600-W-BLDC-Motorsteuerung mit niederenergetischem B

This reference design offers a Bluetooth® 5.0 SimpleLink™ option with better industrial noise immunity, more range, and less power for industrial applications such as power tools that operate from a 5- cell Li-ion battery. This power stage reference design uses a single Bluetooth low (...)
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Referenzdesigns

TIDA-010072 — Referenzdesign zur Luftstrom- und Ventilsteuerung für Beatmungsanwendungen

This reference design provides a compact system design capable of supporting motor acceleration and deceleration up to ±200 kRPM/s, which is a key requirement in many respirator applications. The design supports a number of offboard C2000 controllers including (...)
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Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
VSON-CLIP (DMM) 22 Ultra Librarian
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