CSD85301Q2
20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SON 2 mm x 2 mm, 27 mOhm, Gate-ESD-Schutz
CSD85301Q2
- Low on-resistance
- Dual independent MOSFETs
- Space saving SON 2mm × 2mm plastic package
- Optimized for 5V gate driver
- Avalanche rated
- Pb and halogen free
- RoHS compliant
The CSD85301Q2 is a 20V, 23mΩ N-Channel device with dual independent MOSFETs in a SON 2mm x 2mm plastic package. The two FETs were designed to be used in a half bridge configuration for synchronous buck and other power supply applications. Additionally, this part can be used for adaptor, USB input protection and battery charging applications. The dual FETs feature low drain to source on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained applications.
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Technische Dokumentation
Typ | Titel | Datum | ||
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* | Data sheet | CSD85301Q2 20V Dual N-Channel NexFET Power MOSFETs datasheet (Rev. A) | PDF | HTML | 21 Mai 2024 |
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Design und Entwicklung
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