CSD17484F4
30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 128 mOhm, Gate-ESD-Schutz
CSD17484F4
- Low on-resistance
- Ultra-low Qg and Qgd
- Low-threshold voltage
- Ultra-small footprint (0402 Case Size)
- 1.0 mm × 0.6 mm
- Ultra-low profile
- 0.2-mm height
- Integrated ESD protection diode
- Rated > 4-kV HBM
- Rated > 2-kV CDM
- Lead and halogen free
- RoHS compliant
This 99-mΩ, 30-V, N-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.
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Selbe Funktionalität wie der verglichene Baustein bei gleicher Anschlussbelegung
Technische Dokumentation
Design und Entwicklung
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NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator
Unterstützte Produkte und Hardware
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CSD17484F4 TINA-TI Reference Design
FET-SOA-CALC-SELECT — MOSFET SOA calculation and selection tool
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SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter
Unterstützte Produkte und Hardware
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MOSFETs
Gehäuse | Pins | CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle |
---|---|---|
PICOSTAR (YJJ) | 3 | Ultra Librarian |
Bestellen & Qualität
- RoHS
- REACH
- Bausteinkennzeichnung
- Blei-Finish/Ball-Material
- MSL-Rating / Spitzenrückfluss
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