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TPS2105

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アクティブ ハイのイネーブル搭載、産業用温度範囲、2.7V ～ 5.5V、250mΩ で 0.5A、1.3Ω で 0.1A、パワー マルチプレクサ

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製品詳細

Number of input channels 2 IN1, IN2 input voltage (min) (V) 2.7 IN1, IN2 input voltage (max) (V) 5.5 IN1 rDS(on) (typ) (mΩ) 250 IN2 rDS(on) (typ) (mΩ) 1300 IN1 output current (max) (A) 0.5 IN2 output current (max) (A) 0.1 Rating Catalog Quiescent current (Iq) (µA) 0.75 Operating temperature range (°C) -40 to 85 FET Internal Imax (A) 0.5 Features Inrush current control, Reverse current blocking Device type Power muxes Function Inrush current control, Reverse current blocking
Number of input channels 2 IN1, IN2 input voltage (min) (V) 2.7 IN1, IN2 input voltage (max) (V) 5.5 IN1 rDS(on) (typ) (mΩ) 250 IN2 rDS(on) (typ) (mΩ) 1300 IN1 output current (max) (A) 0.5 IN2 output current (max) (A) 0.1 Rating Catalog Quiescent current (Iq) (µA) 0.75 Operating temperature range (°C) -40 to 85 FET Internal Imax (A) 0.5 Features Inrush current control, Reverse current blocking Device type Power muxes Function Inrush current control, Reverse current blocking
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm² 2.9 x 2.8
  • Dual-Input, Single-Output MOSFET Switch With No Reverse Current Flow (No Parasitic Diodes)
  • IN1 . . . 250-m, 500-mA N-Channel; 18-uA Supply Current
  • IN2 . . . 1.3-, 100-mA P-Channel; 0.75-uA Supply Current (VAUX Mode)
  • Advanced Switch Control Logic
  • CMOS and TTL Compatible Enable Input
  • Controlled Rise, Fall, and Transition Times
  • 2.7 V to 5.5 V Operating Range
  • SOT-23-5 and SOIC-8 Package
  • \x9640°C to 85°C Ambient Temperature Range
    • 2-kV Human Body Model, 750-V Charged Device Model, 200-V Machine-Model ESD Protection
  • Typical Applications
    • Notebook and Desktop PCs
    • Cell phone, Palmtops, and PDAs
    • Battery Management
  • Dual-Input, Single-Output MOSFET Switch With No Reverse Current Flow (No Parasitic Diodes)
  • IN1 . . . 250-m, 500-mA N-Channel; 18-uA Supply Current
  • IN2 . . . 1.3-, 100-mA P-Channel; 0.75-uA Supply Current (VAUX Mode)
  • Advanced Switch Control Logic
  • CMOS and TTL Compatible Enable Input
  • Controlled Rise, Fall, and Transition Times
  • 2.7 V to 5.5 V Operating Range
  • SOT-23-5 and SOIC-8 Package
  • \x9640°C to 85°C Ambient Temperature Range
    • 2-kV Human Body Model, 750-V Charged Device Model, 200-V Machine-Model ESD Protection
  • Typical Applications
    • Notebook and Desktop PCs
    • Cell phone, Palmtops, and PDAs
    • Battery Management

The TPS2104 and TPS2105 are dual-input, single-output power switches designed to provide uninterrupted output voltage when transitioning between two independent power supplies. Both devices combine one n-channel (250 m) MOSFET with a single output. The p-channel MOSFET (IN2) is used with auxiliary power supplies that deliver lower current for standby modes. The n-channel MOSFET (IN1) is used with a main power supply that delivers higher current required for normal operation. Low on-resistance makes the n-channel the ideal path for higher main supply current when power-supply regulation and system voltage drops are critical. When using the p-channel MOSFET, quiescent current is reduced to 0.75 uA to decrease the demand on the standby power supply. The MOSFETs in the TPS2104 and TPS2105 do not have the parasitic diodes, typically found in discrete MOSFETs, thereby preventing back-flow current when the switch is off.

The TPS2104 and TPS2105 are dual-input, single-output power switches designed to provide uninterrupted output voltage when transitioning between two independent power supplies. Both devices combine one n-channel (250 m) MOSFET with a single output. The p-channel MOSFET (IN2) is used with auxiliary power supplies that deliver lower current for standby modes. The n-channel MOSFET (IN1) is used with a main power supply that delivers higher current required for normal operation. Low on-resistance makes the n-channel the ideal path for higher main supply current when power-supply regulation and system voltage drops are critical. When using the p-channel MOSFET, quiescent current is reduced to 0.75 uA to decrease the demand on the standby power supply. The MOSFETs in the TPS2104 and TPS2105 do not have the parasitic diodes, typically found in discrete MOSFETs, thereby preventing back-flow current when the switch is off.
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* データシート Power-Distribution Switches データシート (Rev. A) 2000年 4月 26日

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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