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UCC27311A

アクティブ

8V UVLO とイネーブル搭載、120V、4A、ハーフブリッジ ドライバ

製品詳細

Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 4 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 7.2 Fall time (ns) 5.5 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -20 Features Enable, Negative voltage handling Driver configuration Dual, Noninverting, TTL compatible
Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 4 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 7.2 Fall time (ns) 5.5 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -20 Features Enable, Negative voltage handling Driver configuration Dual, Noninverting, TTL compatible
VSON (DRC) 10 9 mm² 3 x 3
  • ハーフブリッジ構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動
  • 接合部温度範囲:-40℃~+150℃
  • HB ピンで 120V の絶対最大電圧
  • 3.7A シンク、4.5A ソース出力電流
  • VDD 動作範囲:8V~17V (絶対最大定格 20V)、UVLO 付き
  • HS ピンの負の絶対最大過渡耐性:-(28 - VDD)V (100ns 未満のパルス)
  • 入力ピンの絶対最大耐性:-10V〜+20V、電源電圧範囲にかかわらず (TTL 互換)
  • スイッチング パラメータ:
    • 伝搬遅延時間 (標準値):20ns
    • 立ち上がり時間 7.2ns、立ち下がり時間 5.5ns (1000pF 負荷時)
    • 遅延マッチング:4ns (標準値)
  • ブートストラップ ダイオードを内蔵
  • イネーブル / ディセーブル機能、ディセーブル時の低消費電流 (標準値 3µA)
  • ハーフブリッジ構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動
  • 接合部温度範囲:-40℃~+150℃
  • HB ピンで 120V の絶対最大電圧
  • 3.7A シンク、4.5A ソース出力電流
  • VDD 動作範囲:8V~17V (絶対最大定格 20V)、UVLO 付き
  • HS ピンの負の絶対最大過渡耐性:-(28 - VDD)V (100ns 未満のパルス)
  • 入力ピンの絶対最大耐性:-10V〜+20V、電源電圧範囲にかかわらず (TTL 互換)
  • スイッチング パラメータ:
    • 伝搬遅延時間 (標準値):20ns
    • 立ち上がり時間 7.2ns、立ち下がり時間 5.5ns (1000pF 負荷時)
    • 遅延マッチング:4ns (標準値)
  • ブートストラップ ダイオードを内蔵
  • イネーブル / ディセーブル機能、ディセーブル時の低消費電流 (標準値 3µA)

UCC27311A は、ハーフブリッジまたは同期整流降圧構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動するよう設計された堅牢なゲート ドライバで、絶対最大ブートストラップ電圧は 120V です。UCC27311A はピーク ソース電流能力が 3.7A、ピーク シンク電流能力が 4.5A であるため、ミラー プラトー通過時のスイッチング損失を最小限に抑えて大電力 MOSFET を駆動できます。スイッチング ノード (HS ピン) の負の過渡電圧を処理できるため、寄生インダクタンスや浮遊容量によって生じる固有の負電圧からハイサイド チャネルを保護できます。

入力は電源電圧に依存せず、-10V および +20V の絶対最大定格に対応できます。ローサイドとハイサイドのゲート ドライバは、お互いにターンオン / ターンオフ間 4ns でマッチングされ、それぞれ LI および HI 入力ピンで制御されます。120V 定格のブートストラップ ダイオードが内蔵されているため、ディスクリート ブートストラップ ダイオードは必要はありません。ハイサイド ドライバとローサイド ドライバの両方に低電圧誤動作防止機能 (UVLO) が搭載され、対称的なオン/オフ動作を実現しながら、駆動電圧が規定のスレッショルド未満の場合は出力が強制的に Low になります。

UCC27311A は、ハーフブリッジまたは同期整流降圧構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動するよう設計された堅牢なゲート ドライバで、絶対最大ブートストラップ電圧は 120V です。UCC27311A はピーク ソース電流能力が 3.7A、ピーク シンク電流能力が 4.5A であるため、ミラー プラトー通過時のスイッチング損失を最小限に抑えて大電力 MOSFET を駆動できます。スイッチング ノード (HS ピン) の負の過渡電圧を処理できるため、寄生インダクタンスや浮遊容量によって生じる固有の負電圧からハイサイド チャネルを保護できます。

入力は電源電圧に依存せず、-10V および +20V の絶対最大定格に対応できます。ローサイドとハイサイドのゲート ドライバは、お互いにターンオン / ターンオフ間 4ns でマッチングされ、それぞれ LI および HI 入力ピンで制御されます。120V 定格のブートストラップ ダイオードが内蔵されているため、ディスクリート ブートストラップ ダイオードは必要はありません。ハイサイド ドライバとローサイド ドライバの両方に低電圧誤動作防止機能 (UVLO) が搭載され、対称的なオン/オフ動作を実現しながら、駆動電圧が規定のスレッショルド未満の場合は出力が強制的に Low になります。

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技術資料

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* データシート UCC27311A 8V UVLO およびイネーブル機能搭載、120V、3.7A/4.5A、ハーフブリッジ ドライバ データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2024年 11月 27日
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設計および開発

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評価ボード

UCC27282EVM-335 — UCC27282 120V、3A、5V、UVLO 付きハイサイド / ローサイド・ゲート・ドライバの評価モジュール

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ユーザー ガイド: PDF
シミュレーション・ツール

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パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
VSON (DRC) 10 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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