UCC27301A
- ハーフブリッジ構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動
- 接合部温度範囲：-40℃～+150℃
- HB ピンで 120V の絶対最大電圧
- 3.7A シンク、4.5A ソース出力電流
- VDD 動作範囲：8V～17V (絶対最大定格 20V)、UVLO 付き
- HS ピンの負の絶対最大過渡耐性：-(28 - VDD)V (100ns 未満のパルス)
- 入力ピンの絶対最大耐性：-10V〜+20V、電源電圧範囲にかかわらず (TTL 互換)
- スイッチング パラメータ：
- 伝搬遅延時間 (標準値)：20ns
- 立ち上がり時間 7.2ns、立ち下がり時間 5.5ns (1000pF 負荷時)
- 遅延マッチング：4ns (標準値)
- ブートストラップ ダイオードを内蔵
- 入力インターロック
- イネーブル / ディセーブル機能、ディセーブル時の低消費電流 (標準値 3µA) (DRC パッケージのみ)
UCC27301A は、ハーフブリッジまたは同期整流降圧構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動するよう設計された堅牢なゲート ドライバで、絶対最大ブートストラップ電圧は 120V です。UCC27301A はピーク ソース電流能力が 3.7A、ピーク シンク電流能力が 4.5A であるため、ミラー プラトー通過時のスイッチング損失を最小限に抑えて大電力 MOSFET を駆動できます。スイッチング ノード (HS ピン) の負の過渡電圧を処理できるため、寄生インダクタンスや浮遊容量によって生じる固有の負電圧からハイサイド チャネルを保護できます。
入力は電源電圧に依存せず、-10V および +20V の絶対最大定格に対応できます。ローサイドとハイサイドのゲート ドライバは、お互いにターンオン / ターンオフ間 4ns でマッチングされ、それぞれ LI および HI 入力ピンで制御されます。ただし、入力インターロック ロジックは、LI 入力と HI 入力の両方が同時に High になると、両方のドライバ出力が Low になります。120V 定格のブートストラップ ダイオードが内蔵されているため、ディスクリート ブートストラップ ダイオードは必要はありません。ハイサイド ドライバとローサイド ドライバの両方に低電圧誤動作防止機能 (UVLO) が搭載され、対称的なオン/オフ動作を実現しながら、駆動電圧が規定のスレッショルド未満の場合は出力が強制的に Low になります。
技術資料
設計および開発
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UCC27282EVM-335 — UCC27282 120V、3A、5V、UVLO 付きハイサイド / ローサイド・ゲート・ドライバの評価モジュール
UCC27288EVM — UCC27288 100-V, 3-A, 8-V UVLO half-bridge gate driver evaluation module
PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®
設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
| VSON (DRC) | 10 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。