データシート
UCC27201A
- ハイサイドおよびローサイド構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動
- HS の負電圧 (–18V)
- 最大ブート電圧:120V
- 最大 VDD 電圧:20V
- オンチップ 0.65V VF、0.65Ω RD ブートストラップ ダイオード
- 伝搬遅延時間:22ns
- 3A シンク、3A ソース出力電流
- 立ち上がり時間 8ns、立ち下がり時間 7ns (1000pF 負荷時)
- 遅延マッチング:1ns
- ハイサイドおよびローサイド ドライバに対する低電圧誤動作防止機能
- -40℃~150℃で動作が規定
UCC2720xA ファミリの高周波 N チャネル MOSFET ドライバは、120V のブートストラップ ダイオードと、それぞれ独立した入力を持つハイサイド / ローサイド ドライバを搭載し、制御の柔軟性を最大限に高めています。これにより、ハーフブリッジ、フルブリッジ、2スイッチ フォワード、およびアクティブ クランプ フォワードのコンバータで、NチャネルMOSFET制御が可能です。ローサイドとハイサイドのゲート ドライバが独立して制御され、それぞれのオン / オフ間に 1ns でマッチングが行われます。ノイズの多い電源環境での性能を向上させるために、UCC2720xAでは入力構造のESD耐性が強化され、また、HSピンは最大–18Vの負電圧に耐えることができます。
ブートストラップ ダイオードを内蔵しているため、外部にディスクリート ダイオードが不要です。ハイサイド ドライバとローサイド ドライバの両方に低電圧誤動作防止機能が搭載され、駆動電圧が規定のスレッショルド未満の場合は出力が強制的にLowになります。
UCC2720xAには、2つのバージョンが用意されています。UCC27200Aはノイズ耐性の高いCMOS入力スレッショルドを備え、UCC27201AはTTL互換のスレッショルドを備えています。
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技術資料
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評価ボード
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UCC27201AEVM-328 is designed for evaluating UCC27201ADPR and UCC27212DPR, which are half bridge gate driver with high source and sink peak current capability. This EVM could be served to evaluate the driver IC against its datsheet. The EVM can also be used as Driver IC component selection guide. (...)
ユーザー ガイド: PDF
シミュレーション・モデル
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SLUM113A.ZIP (30 KB) - TINA-TI Spice Model
シミュレーション・モデル
UCC27201 and UCC27201A Unencrypted PSpice Transient Model
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パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
---|---|---|
HSOIC (DDA) | 8 | Ultra Librarian |
SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
VSON (DRC) | 9 | Ultra Librarian |
VSON (DRM) | 8 | Ultra Librarian |
WSON (DPR) | 10 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報:
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。