전원 관리 게이트 드라이버 하프 브리지 드라이버

LM5109

활성

100V/1A 피크 하프 브리지 게이트 드라이버

제품 상세 정보

Power switch MOSFET Operating temperature range (°C) to Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog
Power switch MOSFET Operating temperature range (°C) to Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • Drives both a high side and low side N-Channel MOSFET
  • 1A peak output current (1.0A sink / 1.0A source)
  • Independent TTL compatible inputs
  • Bootstrap supply voltage to 118V DC
  • Fast propagation times (27 ns typical)
  • Drives 1000 pF load with 15ns rise and fall times
  • Excellent propagation delay matching (2 ns typical)
  • Supply rail under-voltage lockout
  • Low power consumption
  • Pin compatible with ISL6700

  • Drives both a high side and low side N-Channel MOSFET
  • 1A peak output current (1.0A sink / 1.0A source)
  • Independent TTL compatible inputs
  • Bootstrap supply voltage to 118V DC
  • Fast propagation times (27 ns typical)
  • Drives 1000 pF load with 15ns rise and fall times
  • Excellent propagation delay matching (2 ns typical)
  • Supply rail under-voltage lockout
  • Low power consumption
  • Pin compatible with ISL6700

The LM5109 is a low cost high voltage gate driver, designed to drive both the high side and the low side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with rail voltages up to 100V. The outputs are independently controlled with TTL compatible input thresholds. A robust level shifter technology operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control input logic to the high side gate driver. Under-voltage lockout is provided on both the low side and the high side power rails. The device is available in the SOIC-8 and the thermally enhanced LLP-8 packages.


The LM5109 is a low cost high voltage gate driver, designed to drive both the high side and the low side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with rail voltages up to 100V. The outputs are independently controlled with TTL compatible input thresholds. A robust level shifter technology operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control input logic to the high side gate driver. Under-voltage lockout is provided on both the low side and the high side power rails. The device is available in the SOIC-8 and the thermally enhanced LLP-8 packages.


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기술 자료

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유형 직함 날짜
* Data sheet LM5109 100V / 1A Peak Half Bridge Gate Driver datasheet 2005/04/26
Application note Using Half-Bridge Gate Driver to Achieve 100% Duty Cycle for High Side FET PDF | HTML 2024/03/25
Application note Bootstrap Circuitry Selection for Half Bridge Configurations (Rev. A) PDF | HTML 2023/09/08
Application brief External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 2020/02/28
Application brief Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 2020/02/28
White paper Power Electronics in Motor Drives: Where is it? (Rev. A) 2019/10/01
More literature Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) 2018/10/29

설계 및 개발

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시뮬레이션 툴

PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

TI용 PSpice®는 아날로그 회로의 기능을 평가하는 데 사용되는 설계 및 시뮬레이션 환경입니다. 완전한 기능을 갖춘 이 설계 및 시뮬레이션 제품군은 Cadence®의 아날로그 분석 엔진을 사용합니다. 무료로 제공되는 TI용 PSpice에는 아날로그 및 전력 포트폴리오뿐 아니라 아날로그 행동 모델에 이르기까지 업계에서 가장 방대한 모델 라이브러리 중 하나가 포함되어 있습니다.

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패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (D) 8 Ultra Librarian

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

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