LM5109
- Drives both a high side and low side N-Channel MOSFET
- 1A peak output current (1.0A sink / 1.0A source)
- Independent TTL compatible inputs
- Bootstrap supply voltage to 118V DC
- Fast propagation times (27 ns typical)
- Drives 1000 pF load with 15ns rise and fall times
- Excellent propagation delay matching (2 ns typical)
- Supply rail under-voltage lockout
- Low power consumption
- Pin compatible with ISL6700
The LM5109 is a low cost high voltage gate driver, designed to drive both the high side and the low side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with rail voltages up to 100V. The outputs are independently controlled with TTL compatible input thresholds. A robust level shifter technology operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control input logic to the high side gate driver. Under-voltage lockout is provided on both the low side and the high side power rails. The device is available in the SOIC-8 and the thermally enhanced LLP-8 packages.
기술 자료
| 유형 | 직함 | 날짜 | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | LM5109 100V / 1A Peak Half Bridge Gate Driver datasheet | 2005/04/26 | |
| Application brief | External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) | 2020/02/28 | ||
| Application brief | Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) | 2020/02/28 | ||
| White paper | Power Electronics in Motor Drives: Where is it? (Rev. A) | 2019/10/01 | ||
| More literature | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018/10/29 |
설계 및 개발
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| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
- RoHS
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- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
- 팹 위치
- 조립 위치
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