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LM5110

활성

4V UVLO, 전용 입력 접지 및 셧다운 입력을 지원하는 5A/3A 듀얼 채널 게이트 드라이버

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UCC27624 활성 4V UVLO, 30V VDD 및 낮은 전파 지연을 지원하는 5A/5A 이중 채널 게이트 드라이버 Wide VDD and higher driver current

LM5110

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제품 상세 정보

Number of channels 2 Power switch MOSFET Peak output current (A) 5 Input supply voltage (min) (V) 3.5 Input supply voltage (max) (V) 14 Features Negative Output Voltage Capability Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 12 Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold TTL Channel input logic Combination, Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 224 Driver configuration Dual, Independent
Number of channels 2 Power switch MOSFET Peak output current (A) 5 Input supply voltage (min) (V) 3.5 Input supply voltage (max) (V) 14 Features Negative Output Voltage Capability Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 12 Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold TTL Channel input logic Combination, Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 224 Driver configuration Dual, Independent
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 WSON (DPR) 10 16 mm² 4 x 4
  • Independently Drives Two N-Channel MOSFETs
  • Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation
  • 5A sink/3A Source Current Capability
  • Two Channels can be Connected in Parallel to Double the Drive Current
  • Independent Inputs (TTL Compatible)
  • Fast Propagation Times (25-ns Typical)
  • Fast Rise and Fall Times (14-ns/12-ns Rise/Fall With 2-nF Load)
  • Dedicated Input Ground Pin (IN_REF) for Split Supply or Single Supply Operation
  • Outputs Swing from VCC to VEE Which Can Be Negative Relative to Input Ground
  • Available in Dual Noninverting, Dual Inverting and Combination Configurations
  • Shutdown Input Provides Low Power Mode
  • Supply Rail Undervoltage Lockout Protection
  • Pin-Out Compatible With Industry Standard Gate Drivers
  • Packages:
    • SOIC-8
    • WSON-10 (4 mm × 4 mm)
  • Independently Drives Two N-Channel MOSFETs
  • Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation
  • 5A sink/3A Source Current Capability
  • Two Channels can be Connected in Parallel to Double the Drive Current
  • Independent Inputs (TTL Compatible)
  • Fast Propagation Times (25-ns Typical)
  • Fast Rise and Fall Times (14-ns/12-ns Rise/Fall With 2-nF Load)
  • Dedicated Input Ground Pin (IN_REF) for Split Supply or Single Supply Operation
  • Outputs Swing from VCC to VEE Which Can Be Negative Relative to Input Ground
  • Available in Dual Noninverting, Dual Inverting and Combination Configurations
  • Shutdown Input Provides Low Power Mode
  • Supply Rail Undervoltage Lockout Protection
  • Pin-Out Compatible With Industry Standard Gate Drivers
  • Packages:
    • SOIC-8
    • WSON-10 (4 mm × 4 mm)

The LM5110 Dual Gate Driver replaces industry standard gate drivers with improved peak output current and efficiency. Each "compound" output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 5A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Separate input and output ground pins provide Negative Drive Capability allowing the user to drive MOSFET gates with positive and negative VGS voltages. The gate driver control inputs are referenced to a dedicated input ground (IN_REF). The gate driver outputs swing from VCC to the output ground VEE which can be negative with respect to IN_REF. Undervoltage lockout protection and a shutdown input pin are also provided. The drivers can be operated in parallel with inputs and outputs connected to double the drive current capability. This device is available in the SOIC-8 and the thermally-enhanced WSON-10 packages.

The LM5110 Dual Gate Driver replaces industry standard gate drivers with improved peak output current and efficiency. Each "compound" output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 5A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Separate input and output ground pins provide Negative Drive Capability allowing the user to drive MOSFET gates with positive and negative VGS voltages. The gate driver control inputs are referenced to a dedicated input ground (IN_REF). The gate driver outputs swing from VCC to the output ground VEE which can be negative with respect to IN_REF. Undervoltage lockout protection and a shutdown input pin are also provided. The drivers can be operated in parallel with inputs and outputs connected to double the drive current capability. This device is available in the SOIC-8 and the thermally-enhanced WSON-10 packages.
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설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

UCC27423-4-5-Q1EVM — UCC2742xQ1 활성화를 지원하는 듀얼 4A 고속 저압측 MOSFET 드라이버 평가 모듈(EVM)

The UCC2742xQ1 EVM is a high-speed dual MOSFET evaluation module that provides a test platform for a quick and easy startup of the UCC2742xQ1 driver. Powered by a single 4V to 15V external supply, and featuring a comprehensive set of test points and jumpers. All of the devices have separate input (...)
사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매 불가
시뮬레이션 모델

LM5110-1M PSpice Transient Model (Rev. A)

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시뮬레이션 모델

LM5110-1M TINA-TI Transient Reference Design

SNVM406.TSC (135 KB) - TINA-TI Reference Design
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시뮬레이션 모델

LM5110-1M TINA-TI Transient Spice Model

SNVM407.ZIP (10 KB) - TINA-TI Spice Model
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LM5110-2M PSpice Transient Model

SNVM308.ZIP (47 KB) - PSpice Model
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시뮬레이션 모델

LM5110-2M TINA-TI Transient Reference Design

SNVM408.TSC (135 KB) - TINA-TI Reference Design
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LM5110-2M TINA-TI Transient Spice Model

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LM5110-3M PSpice Transient Model

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LM5110-3M TINA-TI Transient Reference Design

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LM5110-3M TINA-TI Transient Spice Model

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LM5110_1M Unencrypted PSpice Transient Model

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LM5110_3M Unencrypted PSpice Transient Model

SNVMAD1.ZIP (1 KB) - PSpice Model
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시뮬레이션 툴

PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

TI용 PSpice®는 아날로그 회로의 기능을 평가하는 데 사용되는 설계 및 시뮬레이션 환경입니다. 완전한 기능을 갖춘 이 설계 및 시뮬레이션 제품군은 Cadence®의 아날로그 분석 엔진을 사용합니다. 무료로 제공되는 TI용 PSpice에는 아날로그 및 전력 포트폴리오뿐 아니라 아날로그 행동 모델에 이르기까지 업계에서 가장 방대한 모델 라이브러리 중 하나가 포함되어 있습니다.

TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 (...)
요청
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
WSON (DPR) 10 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

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지원 및 교육

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