전원 관리 Power stages 질화 갈륨(GaN) 전력계

LMG3650R035

미리 보기

650V 35mΩ, TOLL packaged GaN FET with integrated driver, protection and zero-voltage detection

제품 상세 정보

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 35 ID (max) (A) 20 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Over Current Protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 175
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 35 ID (max) (A) 20 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Over Current Protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 175
TO-OTHER (KLA) 9 115.632 mm² 9.9 x 11.68
  • 650V 35mΩ GaN power FET with integrated gate driver
    • >200V/ns FET hold-off
    • Adjustable slew rates for optimization of switching performance and EMI mitigation
      • 10V/ns to 100V/ns turn-on slew rates
      • 10V/ns to full speed turn-off slew rates
    • Operates with supply pin and input logic pin voltage range from 9V to 26V
  • Robust Protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with <300ns response
    • Withstands 720V surge while hard-switching
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • 9.8mm × 11.6mm TOLL package witht thermal pad
  • 650V 35mΩ GaN power FET with integrated gate driver
    • >200V/ns FET hold-off
    • Adjustable slew rates for optimization of switching performance and EMI mitigation
      • 10V/ns to 100V/ns turn-on slew rates
      • 10V/ns to full speed turn-off slew rates
    • Operates with supply pin and input logic pin voltage range from 9V to 26V
  • Robust Protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with <300ns response
    • Withstands 720V surge while hard-switching
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • 9.8mm × 11.6mm TOLL package witht thermal pad

The LMG365xR035 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

Adjustable gate driver strength allows the control of turn-on and maximum turn-off slew rates independently, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. Turn on slew rate can be varied from 10V/ns to 100V/ns, while the turn off slew rate can be limited from 10V/ns to a maximum based on the magnitude of load current. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle overcurrent limit, short-circuit and overtemperature protection. The LMG3651R035 provides a 5V LDO output on LDO5V pin that can be used to power external digital isolator. The LMG3656R035 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized. The LMG3657R035 includes the zero-current detection (ZCD) feature that sets the ZCD pin high when the drain-to-source current is negative and transitions to low upon detecting the zero-crossing point.

The LMG365xR035 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

Adjustable gate driver strength allows the control of turn-on and maximum turn-off slew rates independently, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. Turn on slew rate can be varied from 10V/ns to 100V/ns, while the turn off slew rate can be limited from 10V/ns to a maximum based on the magnitude of load current. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle overcurrent limit, short-circuit and overtemperature protection. The LMG3651R035 provides a 5V LDO output on LDO5V pin that can be used to power external digital isolator. The LMG3656R035 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized. The LMG3657R035 includes the zero-current detection (ZCD) feature that sets the ZCD pin high when the drain-to-source current is negative and transitions to low upon detecting the zero-crossing point.

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기술 자료

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* Data sheet LMG365xR035 650V 35 mΩ GaN FET With Integrated Driver and Protection datasheet PDF | HTML 2024/12/20
EVM User's guide LMG3650R035 Evaluation Module PDF | HTML 2024/12/20

설계 및 개발

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도터 카드

LMG3422EVM-043 — LMG3422R030 600V 30mΩ 하프 브리지 도터 카드

LMG3422EVM-043은 하프 브리지에서 LMG3422R030 GaN FET 2개를 구성하며 래치형 과전류 보호 기능 및 필요한 모든 보조 주변 회로를 갖추고 있습니다. 이 EVM은 대규모 시스템과 함께 작동하도록 설계되어 있습니다.
사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
도터 카드

LMG3650EVM-114 — LMG3650R035 도터 카드

LMG3650R035 평가 모듈(EVM)은 하프 브리지에서 LMG3650R035 GaN FET 2개를 구성하며 과열 보호, 사이클별 과전류 보호, 래치형 단락 재설정 보호 기능 및 절연 바이어스 공급 또는 부트스트랩 공급을 테스트하는 데 필요한 모든 보조 주변 회로를 갖추고 있습니다. 이 EVM은 대규모 시스템과 함께 작동하도록 설계되어 있습니다.

사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
TO-OTHER (KLA) 9 Ultra Librarian

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

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