전원 관리 게이트 드라이버 하프 브리지 드라이버

TPS28225

활성

동기 정류를 위한 4V UVLO를 지원하는 4A, 27V 하프 브리지 게이트 드라이버

제품 상세 정보

Bootstrap supply voltage (max) (V) 24 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 8 Peak output current (A) 6 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 3.5 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.014 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 5 Iq (mA) 0.35 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) 0 Features Synchronous Rectification Driver configuration Single
Bootstrap supply voltage (max) (V) 24 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 8 Peak output current (A) 6 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 3.5 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.014 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 5 Iq (mA) 0.35 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) 0 Features Synchronous Rectification Driver configuration Single
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 VSON (DRB) 8 9 mm² 3 x 3
  • Drives Two N-Channel MOSFETs with 14ns Adaptive Dead Time
  • Wide Gate Drive Voltage: 4.5V Up to 8.8V With Best Efficiency at 7V to 8V
  • Wide Power System Train Input Voltage: 3V Up to 27V
  • Wide Input PWM Signals: 2.0V up to 13.2V Amplitude
  • Capable to Drive MOSFETs with ≥40A Current per Phase
  • High Frequency Operation: 14ns Propagation Delay and 10ns Rise/Fall Time Allow FSW – 2MHz
  • Capable to Propagate <30ns Input PWM Pulses
  • Low-Side Driver Sink On-Resistance (0.4Ω) Prevents dV/dT Related Shoot-Through Current
  • 3-State PWM Input for Power Stage Shutdown
  • Space Saving Enable (Input) and Power Good (Output) Signals on Same Pin
  • Thermal Shutdown
  • UVLO Protection
  • Internal Bootstrap Diode
  • Economical SOIC-8 and Thermally Enhanced 3mm x 3mm VSON-8 Packages
  • High Performance Replacement for Popular 3-State Input Drivers
  • Drives Two N-Channel MOSFETs with 14ns Adaptive Dead Time
  • Wide Gate Drive Voltage: 4.5V Up to 8.8V With Best Efficiency at 7V to 8V
  • Wide Power System Train Input Voltage: 3V Up to 27V
  • Wide Input PWM Signals: 2.0V up to 13.2V Amplitude
  • Capable to Drive MOSFETs with ≥40A Current per Phase
  • High Frequency Operation: 14ns Propagation Delay and 10ns Rise/Fall Time Allow FSW – 2MHz
  • Capable to Propagate <30ns Input PWM Pulses
  • Low-Side Driver Sink On-Resistance (0.4Ω) Prevents dV/dT Related Shoot-Through Current
  • 3-State PWM Input for Power Stage Shutdown
  • Space Saving Enable (Input) and Power Good (Output) Signals on Same Pin
  • Thermal Shutdown
  • UVLO Protection
  • Internal Bootstrap Diode
  • Economical SOIC-8 and Thermally Enhanced 3mm x 3mm VSON-8 Packages
  • High Performance Replacement for Popular 3-State Input Drivers

The TPS28225 is a high-speed driver for N-channel complimentary driven power MOSFETs with adaptive dead-time control. This driver is optimized for use in variety of high-current one and multi-phase DC-to-DC converters. The TPS28225 is a solution that provides high efficiency, small size and low EMI emissions.

The efficiency is achieved by up to 8.8V gate drive voltage, 14ns adaptive dead-time control, 14ns propagation delays and high-current 2A source and 4A sink drive capability. The 0.4Ω impedance for the lower gate driver holds the gate of power MOSFET below its threshold and ensures no shoot-through current at high dV/dt phase node transitions. The bootstrap capacitor charged by an internal diode allows use of N-channel MOSFETs in a half-bridge configuration.

The TPS28225 is a high-speed driver for N-channel complimentary driven power MOSFETs with adaptive dead-time control. This driver is optimized for use in variety of high-current one and multi-phase DC-to-DC converters. The TPS28225 is a solution that provides high efficiency, small size and low EMI emissions.

The efficiency is achieved by up to 8.8V gate drive voltage, 14ns adaptive dead-time control, 14ns propagation delays and high-current 2A source and 4A sink drive capability. The 0.4Ω impedance for the lower gate driver holds the gate of power MOSFET below its threshold and ensures no shoot-through current at high dV/dt phase node transitions. The bootstrap capacitor charged by an internal diode allows use of N-channel MOSFETs in a half-bridge configuration.

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기술 자료

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유형 직함 날짜
* Data sheet TPS28225 High-Frequency 4A Sink Synchronous MOSFET Driver datasheet (Rev. E) PDF | HTML 2024/01/19
Application brief External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 2020/02/28
Application brief Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 2020/02/28
More literature Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) 2018/10/29
Selection guide Power Management Guide 2018 (Rev. R) 2018/06/25
More literature Power Loss Calculation for Sync Buck Converter 2007/02/14

설계 및 개발

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시뮬레이션 모델

TPS28225 PSpice Transient Model

SLUM287.ZIP (36 KB) - PSpice Model
시뮬레이션 모델

TPS28225 TINA-TI Transient Reference Design

SLUM289.TSC (83 KB) - TINA-TI Reference Design
시뮬레이션 모델

TPS28225 TINA-TI Transient Spice Model

SLUM290.ZIP (29 KB) - TINA-TI Spice Model
시뮬레이션 모델

TPS28225 Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM496.ZIP (3 KB) - PSpice Model
시뮬레이션 툴

PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

TI용 PSpice®는 아날로그 회로의 기능을 평가하는 데 사용되는 설계 및 시뮬레이션 환경입니다. 완전한 기능을 갖춘 이 설계 및 시뮬레이션 제품군은 Cadence®의 아날로그 분석 엔진을 사용합니다. 무료로 제공되는 TI용 PSpice에는 아날로그 및 전력 포트폴리오뿐 아니라 아날로그 행동 모델에 이르기까지 업계에서 가장 방대한 모델 라이브러리 중 하나가 포함되어 있습니다.

TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 (...)
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
VSON (DRB) 8 Ultra Librarian

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

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