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UCC21330-Q1

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비활성화 로직 및 프로그래머블 데드 타임을 지원하는 오토모티브 3kVRMS 4A/6A 2채널 게이트 드라이버

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UCC21330-Q1

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제품 상세 정보

Number of channels 2 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 TI functional safety category Functional Safety-Capable Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 6 Features Disable, High CMTI, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 25 Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Automotive Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8, 12
Number of channels 2 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 TI functional safety category Functional Safety-Capable Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 6 Features Disable, High CMTI, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 25 Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Automotive Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8, 12
SOIC (D) 16 59.4 mm² 9.9 x 6

  • Universal: dual low-side, dual high-side or halfbridge driver

  • AEC-Q100 qualified with the following results
    • Device temperature grade 1
  • Junction temperature range –40 to +150°C
  • Up to 4A peak source and 6A peak sink output
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 5V,8V,12V VDD UVLO options
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 5ns maximum pulse-width distortion
    • 10µs maximum VDD power-up delay
  • UVLO protection for all power supplies
  • Fast disable for power sequencing

  • Universal: dual low-side, dual high-side or halfbridge driver

  • AEC-Q100 qualified with the following results
    • Device temperature grade 1
  • Junction temperature range –40 to +150°C
  • Up to 4A peak source and 6A peak sink output
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 5V,8V,12V VDD UVLO options
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 5ns maximum pulse-width distortion
    • 10µs maximum VDD power-up delay
  • UVLO protection for all power supplies
  • Fast disable for power sequencing

The UCC21330-Q1 is an isolated dual channel gate driver family with programmable dead time and wide temperature range. It is designed with 4A peak-source and 6A peak-sink current to drive power MOSFET, SiC, GaN, and IGBT transistors.

The UCC21330-Q1 can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver. The input side is isolated from the two output drivers by a 3kVRMS isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI).

Protection features include: resistor programmable dead time, disable feature to shut down both outputs simultaneously, and integrated de-glitch filter that rejects input transients shorter than 5ns. All supplies have UVLO protection.

With all these advanced features, the UCC21330-Q1 device enables high efficiency, high power density, and robustness in a wide variety of power applications.

The UCC21330-Q1 is an isolated dual channel gate driver family with programmable dead time and wide temperature range. It is designed with 4A peak-source and 6A peak-sink current to drive power MOSFET, SiC, GaN, and IGBT transistors.

The UCC21330-Q1 can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver. The input side is isolated from the two output drivers by a 3kVRMS isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI).

Protection features include: resistor programmable dead time, disable feature to shut down both outputs simultaneously, and integrated de-glitch filter that rejects input transients shorter than 5ns. All supplies have UVLO protection.

With all these advanced features, the UCC21330-Q1 device enables high efficiency, high power density, and robustness in a wide variety of power applications.
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* Data sheet UCC21330x -Q1 Automotive 4A, 6A, 3kVRMS Isolated Dual-Channel Gate Driver datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2024/06/28

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

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사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매 불가
시뮬레이션 툴

PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

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TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 (...)
요청
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (D) 16 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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