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UCC21530

활성

IGBT/SiC FET용 DWK 패키지의 EN 및 DT 핀을 지원하는 5.7kVrms, 4A/6A 듀얼 채널 절연 게이트 드라이버

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UCC21551 활성 IGBT 및 SiC용 EN 및 DT 핀이 있는 4A/6A 5kVRMS 듀얼 채널 절연 게이트 드라이버 Tighter VCCI range supporting digital controller thresholds. New DT equation. Increased CMTI and wider operating temperature range.

UCC21530

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제품 상세 정보

Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 6 Features Enable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 25 Output VCC/VDD (min) (V) 14.7 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 7 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 6 Features Enable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 25 Output VCC/VDD (min) (V) 14.7 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 7 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DWK) 14 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
  • Wide body SOIC-14 (DWK) package
  • 3.3mm spacing between driver channels
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 20ns minimum pulse width
    • 6ns maximum pulse-width distortion
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • 4A peak source, 6A peak sink output
  • TTL and CMOS compatible inputs
  • 3V to 18V input VCCI range
  • Up to 25V VDD output drive supply
  • Programmable overlap and dead time
  • Junction temperature range –40 to +150°C
  • Safety-related certifications (planned):
    • 8000VPK reinforced Isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • 5.7kVRMS isolation for 1 minute per UL 1577
    • CQC certification per GB4943.1-2022
  • Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
  • Wide body SOIC-14 (DWK) package
  • 3.3mm spacing between driver channels
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 20ns minimum pulse width
    • 6ns maximum pulse-width distortion
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • 4A peak source, 6A peak sink output
  • TTL and CMOS compatible inputs
  • 3V to 18V input VCCI range
  • Up to 25V VDD output drive supply
  • Programmable overlap and dead time
  • Junction temperature range –40 to +150°C
  • Safety-related certifications (planned):
    • 8000VPK reinforced Isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • 5.7kVRMS isolation for 1 minute per UL 1577
    • CQC certification per GB4943.1-2022

The UCC21530 is an isolated dual-channel gate driver with 4A source and 6A sink peak current. It is designed to drive IGBTs, Si MOSFETs, and SiC MOSFETs up to 5MHz.

The input side is isolated from the two output drivers by a 5.7kVRMS reinforced isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI). Internal functional isolation between the two secondary-side drivers allows a working voltage of up to 1850V.

This device can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver with programmable dead time (DT). The EN pin pulled low shuts down both outputs simultaneously and allows for normal operation when left open or pulled high. As a fail-safe measure, primary-side logic failures force both outputs low.

The device accepts VDD supply voltages up to 25V. A wide input VCCI range from 3V to 18V makes the driver suitable for interfacing with both analog and digital controllers. All the supply voltage pins have under voltage lock-out (UVLO) protection.

The UCC21530 is an isolated dual-channel gate driver with 4A source and 6A sink peak current. It is designed to drive IGBTs, Si MOSFETs, and SiC MOSFETs up to 5MHz.

The input side is isolated from the two output drivers by a 5.7kVRMS reinforced isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI). Internal functional isolation between the two secondary-side drivers allows a working voltage of up to 1850V.

This device can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver with programmable dead time (DT). The EN pin pulled low shuts down both outputs simultaneously and allows for normal operation when left open or pulled high. As a fail-safe measure, primary-side logic failures force both outputs low.

The device accepts VDD supply voltages up to 25V. A wide input VCCI range from 3V to 18V makes the driver suitable for interfacing with both analog and digital controllers. All the supply voltage pins have under voltage lock-out (UVLO) protection.
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유형 직함 날짜
* Data sheet UCC21530 4A, 6A, 5.7kVRMS Isolated Dual-Channel Gate Driver With 3.3mm Channel-to-Channel Spacing datasheet (Rev. D) PDF | HTML 2024/11/08
Application note Impact of Narrow Pulse Widths in Gate Driver Circuits (Rev. A) PDF | HTML 2024/01/25
Certificate UCC215xx CQC Certificate of Product Certification 2023/08/17
Certificate UL Certification E181974 Vol 4. Sec 7 (Rev. C) 2022/12/02
Application brief The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits PDF | HTML 2021/12/16
EVM User's guide Using the UCC21520EVM-286, UCC21521CEVM-286, and UCC21530EVM286 User's Guide (Rev. C) PDF | HTML 2021/10/21
Certificate CSA Product Certificate (Rev. A) 2019/08/15
Technical article Designing highly efficient, powerful and fast EV charging stations PDF | HTML 2019/08/06

설계 및 개발

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평가 보드

UCC21530EVM-286 — UCC21530 절연 듀얼 채널 드라이버 평가 모듈

UCC21530EVM-286 is designed for evaluating UCC21530DWK, which is an isolated dual-channel gate driver with 4-A source and 6-A sink peak current, 12V UVLO, Enable (Active High) Function and 3.3 mm creepage between channels . This EVM could be served as a reference design for driving IGBTS and SiC (...)
사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
시뮬레이션 모델

UCC21530 PSpice Transient Model

SLUM655.ZIP (23 KB) - PSpice Model
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시뮬레이션 툴

PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

TI용 PSpice®는 아날로그 회로의 기능을 평가하는 데 사용되는 설계 및 시뮬레이션 환경입니다. 완전한 기능을 갖춘 이 설계 및 시뮬레이션 제품군은 Cadence®의 아날로그 분석 엔진을 사용합니다. 무료로 제공되는 TI용 PSpice에는 아날로그 및 전력 포트폴리오뿐 아니라 아날로그 행동 모델에 이르기까지 업계에서 가장 방대한 모델 라이브러리 중 하나가 포함되어 있습니다.

TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 (...)
요청
레퍼런스 디자인

TIDA-010054 — 3레벨 전기차 충전소용 양방향, 이중 활성 브리지 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 단상 듀얼 액티브 브리지(DAB) DC/DC 컨버터의 구현에 대한 개요를 제공합니다. DAB 토폴로지는 소프트 스위칭 정류, 장치 수 감소, 높은 효율과 같은 이점을 제공합니다. 전력 밀도, 비용, 무게, 갈바닉 절연, 고전압 변환 비율 및 안정성이 중요한 요소인 경우 설계는 EV 충전소 및 에너지 저장 애플리케이션에 이상적입니다. DAB의 모듈성과 대칭 구조는 컨버터를 적층하여 높은 전력 처리량을 달성하고 배터리 충전 및 방전 애플리케이션을 지원하기 위한 양방향 작동 모드를 용이하게 합니다.
Design guide: PDF
회로도: PDF
레퍼런스 디자인

TIDA-00366 — 전류, 전압 및 온도 보호 기능을 갖춘 강화 절연 3상 인버터용 레퍼런스 설계

This reference design provides a three-phase inverter rated up to 10 kW designed using the reinforced isolated gate driver UCC21530, reinforced isolated amplifiers AMC1301 and AMC1311 and MCU TMS320F28027. Lower system cost is achieved by using the AMC1301 to measure motor current interfaced with (...)
Design guide: PDF
회로도: PDF
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (DWK) 14 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

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포럼 주제 모두 보기(영문)

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