전원 관리 게이트 드라이버 저압측 드라이버

UCC27332-Q1

활성

20V VDD 및 활성화를 지원하는 오토모티브 9A/9A 싱글 채널 게이트 드라이버

제품 상세 정보

Number of channels 1 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 9 Input supply voltage (min) (V) 4 Input supply voltage (max) (V) 18 Features Enable pin Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 9 Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Non-Inverting Input negative voltage (V) -5 Rating Automotive Driver configuration Non-Inverting
Number of channels 1 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 9 Input supply voltage (min) (V) 4 Input supply voltage (max) (V) 18 Features Enable pin Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 9 Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Non-Inverting Input negative voltage (V) -5 Rating Automotive Driver configuration Non-Inverting
HVSSOP (DGN) 8 14.7 mm² 3 x 4.9
  • Qualified for automotive applications
  • AEC-Q100 qualified with the following results:
    • Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient Operating Temperature Range
    • Device HBM ESD classification level H2
    • Device CDM ESD classification level C4B
  • Industry-standard pin-out
  • Typical 9-A sink, 9-A source output currents
  • Input pin capable of withstanding up to –5 V
  • Absolute maximum VDD voltage: 20 V
  • Wide VDD operating range from 4.5 V to 18 V
  • Available in 3-mm x 3-mm MSOP8 package
  • Typical 25-ns propagation delay
  • TTL compatible input thresholds
  • Operating junction temperature range of –40°C to 125°C
  • Qualified for automotive applications
  • AEC-Q100 qualified with the following results:
    • Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient Operating Temperature Range
    • Device HBM ESD classification level H2
    • Device CDM ESD classification level C4B
  • Industry-standard pin-out
  • Typical 9-A sink, 9-A source output currents
  • Input pin capable of withstanding up to –5 V
  • Absolute maximum VDD voltage: 20 V
  • Wide VDD operating range from 4.5 V to 18 V
  • Available in 3-mm x 3-mm MSOP8 package
  • Typical 25-ns propagation delay
  • TTL compatible input thresholds
  • Operating junction temperature range of –40°C to 125°C

The UCC27332-Q1 is a single channel, high-speed, low-side gate driver capable of effectively driving MOSFET and GaN power switches. UCC27332-Q1 has a typical peak drive strength of 9-A, which reduces the rise and fall times of the power switches, lowering switching losses and increasing efficiency. The UCC27332-Q1 device’s small propagation delay yields better power stage efficiency by improving the dead time optimization, pulse width utilization, control loop response, and transient performance of the system.

UCC27332-Q1 can handle –5-V on its input, which improves robustness in systems with moderate ground bouncing. An independent enable signal allows the power stage to be controlled independent of the main control logic. The gate driver can quickly shut off the power stage if there is a fault in the system (which requires the power train to be turned-off). The enable function also improves system robustness. Many high-frequency switching power supplies exhibit high frequency noise at the gate of the power device, which can get injected into the output pin of the gate driver and can cause the driver to malfunction. The UCC27332-Q1 performs well in such conditions due to its transient reverse current and reverse voltage capability.

The strong internal pulldown MOSFET holds the output low if the VDD voltage is below the specified power on reset threshold. This active pulldown feature further improves system robustness. The small 3-mm × 3mm MSOP package enables optimum gate driver placement and inproved layout. This small package also enables optimum gate driver placement and improved layout.

The UCC27332-Q1 is a single channel, high-speed, low-side gate driver capable of effectively driving MOSFET and GaN power switches. UCC27332-Q1 has a typical peak drive strength of 9-A, which reduces the rise and fall times of the power switches, lowering switching losses and increasing efficiency. The UCC27332-Q1 device’s small propagation delay yields better power stage efficiency by improving the dead time optimization, pulse width utilization, control loop response, and transient performance of the system.

UCC27332-Q1 can handle –5-V on its input, which improves robustness in systems with moderate ground bouncing. An independent enable signal allows the power stage to be controlled independent of the main control logic. The gate driver can quickly shut off the power stage if there is a fault in the system (which requires the power train to be turned-off). The enable function also improves system robustness. Many high-frequency switching power supplies exhibit high frequency noise at the gate of the power device, which can get injected into the output pin of the gate driver and can cause the driver to malfunction. The UCC27332-Q1 performs well in such conditions due to its transient reverse current and reverse voltage capability.

The strong internal pulldown MOSFET holds the output low if the VDD voltage is below the specified power on reset threshold. This active pulldown feature further improves system robustness. The small 3-mm × 3mm MSOP package enables optimum gate driver placement and inproved layout. This small package also enables optimum gate driver placement and improved layout.

다운로드 스크립트와 함께 비디오 보기 동영상

기술 자료

star =TI에서 선정한 이 제품의 인기 문서
검색된 결과가 없습니다. 검색어를 지우고 다시 시도하십시오.
8개 모두 보기
유형 직함 날짜
* Data sheet UCC27332-Q1 20-V, 9-A Single Channel Low Side Gate Driver with –5-V Input Capability For Automotive Application datasheet PDF | HTML 2023/10/17
Application note Review of Different Power Factor Correction (PFC) Topologies' Gate Driver Needs PDF | HTML 2024/01/22
Application note Using a Single-Output Gate-Driver for High-Side or Low-Side Drive (Rev. B) PDF | HTML 2023/09/08
Certificate UCC27332Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023/05/03
Application note Benefits of a Compact, Powerful, and Robust Low-Side Gate Driver PDF | HTML 2021/11/10
Application brief External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 2020/02/28
Application brief Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 2020/02/28
Application brief How to overcome negative voltage transients on low-side gate drivers' inputs 2019/01/18

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

UCC27322Q1EVM — UCC27322-Q1 활성화를 지원하는 오토모티브 단일 9A 고속 저압측 MOSFET 드라이버

The UCC2732X-Q1 is a family of high speed drivers that are capable of delivering up to 9A of peak drive current, optimized for systems requiring extreme Miller current due to high dv/dt transitions. The EVM allows evaluation of both logic options offered, inverting (UCC27321-Q1) and noninverting (...)

사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매 불가
평가 보드

UCC27332Q1EVM — UCC27332-Q1 활성 기능을 지원하는 싱글 18V, 9A 고속, 저압측 MOSFET 드라이버용 평가 모듈

UCC27332-Q1 평가 모듈은 주로 UCC27332-Q1 성능을 평가하도록 설계되었습니다. 이 드라이버는 N-채널 MOSFET을 구동하기 위한 9A 피크 소스 및 9A 싱크 전류를 지원하는 20V VDD 저압측 드라이버입니다. 지원되는 패키지에서 다른 핀 대 핀 호환 부품을 평가하는 데 동일한 보드를 사용할 수 있습니다.

사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
시뮬레이션 툴

PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

TI용 PSpice®는 아날로그 회로의 기능을 평가하는 데 사용되는 설계 및 시뮬레이션 환경입니다. 완전한 기능을 갖춘 이 설계 및 시뮬레이션 제품군은 Cadence®의 아날로그 분석 엔진을 사용합니다. 무료로 제공되는 TI용 PSpice에는 아날로그 및 전력 포트폴리오뿐 아니라 아날로그 행동 모델에 이르기까지 업계에서 가장 방대한 모델 라이브러리 중 하나가 포함되어 있습니다.

TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 (...)
레퍼런스 디자인

PMP41078 — GaN HEMT를 지원하는 고전압-저전압 DC-DC 컨버터 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 650V 질화 갈륨(GaN) 하이 전자 모빌리티 트랜지스터(HEMT)를 지원하는 3.5kW 고전압-저전압 DC 컨버터를 설명합니다. LMG3522R030을 기본 스위치로 사용하여 컨버터는 높은 스위칭 주파수에서 작동합니다. 이 설계에서 컨버터는 더 작은 크기의 변압기를 사용합니다. 액티브 클램핑 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 열 성능을 완화하기 위해 컨버터는 2채널 액티브 클램핑 회로를 사용합니다.
Test report: PDF
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
HVSSOP (DGN) 8 Ultra Librarian

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

콘텐츠는 TI 및 커뮤니티 기고자에 의해 "있는 그대로" 제공되며 TI의 사양으로 간주되지 않습니다. 사용 약관을 참조하십시오.

품질, 패키징, TI에서 주문하는 데 대한 질문이 있다면 TI 지원을 방문하세요. ​​​​​​​​​​​​​​

동영상