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UCC5880-Q1

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고급 보호 기능을 지원하는 오토모티브 20A, 절연 실시간 가변 IGBT/SiC MOSFET 게이트 드라이버

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UCC5880-Q1

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제품 상세 정보

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1414 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071 TI functional safety category Functional Safety-Compliant Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 20 Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Power good, Programmable dead time, Real-time variable gate drive strength, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 12 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Rise time (ns) 55 Fall time (ns) 55 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1414 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071 TI functional safety category Functional Safety-Compliant Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 20 Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Power good, Programmable dead time, Real-time variable gate drive strength, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 12 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Rise time (ns) 55 Fall time (ns) 55 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable
SSOP (DFC) 32 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • Dual-output driver with real time variable drive strength
    • ±15A and ±5A drive current outputs
    • Digital input pins (GD*) for drive strength adjustment without SPI
    • 3 resistor settings R1, R2, or R1||R2
    • Integrated 4A active Miller clamp or optional external drive for Miller clamp transistor
  • Primary-side and secondary-side active short circuit (ASC) support
  • Under-voltage and over-voltage protection on internal and external supplies
  • Driver die temperature sensing and over temperature protection
  • Short-circuit protection:
    • 110ns response time to DESAT event
    • DESAT protection – selections up to 14V
    • Shunt resistor based short-circuit (SC) and over-current (OC) protection
    • Configurable protection threshold values and blanking times
    • Programmable soft turn-off (STO) and two-level soft turn-off (2STO) current
  • Integrated 10-bit ADC
    • Able to measure power switch temperature, DC Link voltage, driver die temperature, DESAT pin voltage, VCC2 voltage
    • Programmable digital comparators
  • Advanced VCE/VDS clamping circuit
  • Functional Safety-Compliant
  • Integrated diagnostics:
    • Built in self-test (BIST) for protection comparators
    • Gate threshold voltage measurement for power device health monitoring
    • INP to transistor gate path integrity
    • Internal clock monitoring
    • Fault alarm and warning outputs (nFLT*)
    • ISO communication data integrity check
  • SPI based device reconfiguration, verification, supervision, and diagnosis
  • 150V/ns CMTI
  • AEC-Q100 qualified with the following results:
    • Device temperature grade 1: -40°C to +125°C ambient operating temperature
    • Device HBM ESD classification level 2
    • Device CDM ESD classification level C2b
  • Dual-output driver with real time variable drive strength
    • ±15A and ±5A drive current outputs
    • Digital input pins (GD*) for drive strength adjustment without SPI
    • 3 resistor settings R1, R2, or R1||R2
    • Integrated 4A active Miller clamp or optional external drive for Miller clamp transistor
  • Primary-side and secondary-side active short circuit (ASC) support
  • Under-voltage and over-voltage protection on internal and external supplies
  • Driver die temperature sensing and over temperature protection
  • Short-circuit protection:
    • 110ns response time to DESAT event
    • DESAT protection – selections up to 14V
    • Shunt resistor based short-circuit (SC) and over-current (OC) protection
    • Configurable protection threshold values and blanking times
    • Programmable soft turn-off (STO) and two-level soft turn-off (2STO) current
  • Integrated 10-bit ADC
    • Able to measure power switch temperature, DC Link voltage, driver die temperature, DESAT pin voltage, VCC2 voltage
    • Programmable digital comparators
  • Advanced VCE/VDS clamping circuit
  • Functional Safety-Compliant
  • Integrated diagnostics:
    • Built in self-test (BIST) for protection comparators
    • Gate threshold voltage measurement for power device health monitoring
    • INP to transistor gate path integrity
    • Internal clock monitoring
    • Fault alarm and warning outputs (nFLT*)
    • ISO communication data integrity check
  • SPI based device reconfiguration, verification, supervision, and diagnosis
  • 150V/ns CMTI
  • AEC-Q100 qualified with the following results:
    • Device temperature grade 1: -40°C to +125°C ambient operating temperature
    • Device HBM ESD classification level 2
    • Device CDM ESD classification level C2b

The UCC5880-Q1 device is an isolated, highly configurable adjustable drive strength gate driver targeted to drive high power SiC MOSFETs and IGBTs in EV/HEV applications. Power transistor protections are included, such as shunt resistor based over-current, over-temperature (PTC, NTC, or diode), and DESAT detection, with selectable soft turn-off or two-level soft turn-off during these faults. An integrated 10-bit ADC enables monitoring of up to 2 analog inputs, VCC2, DESAT, and the gate driver temperature for enhanced system management. Diagnostics and detection functions are integrated to simplify the design of ASIL compliant systems. The parameters and thresholds for these features are configurable using the SPI, which allows the device to be used with nearly any SiC MOSFET or IGBT.

The UCC5880-Q1 device is an isolated, highly configurable adjustable drive strength gate driver targeted to drive high power SiC MOSFETs and IGBTs in EV/HEV applications. Power transistor protections are included, such as shunt resistor based over-current, over-temperature (PTC, NTC, or diode), and DESAT detection, with selectable soft turn-off or two-level soft turn-off during these faults. An integrated 10-bit ADC enables monitoring of up to 2 analog inputs, VCC2, DESAT, and the gate driver temperature for enhanced system management. Diagnostics and detection functions are integrated to simplify the design of ASIL compliant systems. The parameters and thresholds for these features are configurable using the SPI, which allows the device to be used with nearly any SiC MOSFET or IGBT.
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Certificate UCC5880INVERTEREVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 2023/03/13
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설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

UCC5880INVERTEREVM — 트랙션 인버터의 가변 절연 게이트 드라이브용 UCC5880-Q1 평가 모듈

UCC5880INVERTEREVM 보드는 보드에 납땜된 100nF 커패시터 부하로 UCC5880-Q1 드라이버를 테스트하는 데 독립적으로 사용하거나 고전력 테스트를 위해 Wolfspeed XM3 SiC 기반 하프 브리지 전원 모듈을 직접 구동하는 데 사용할 수도 있습니다. UCC14240-Q1 절연 바이어스 전원 공급 장치 2개가 보드에 포함되어 있습니다. EVM은 일반 SPI, 데이지 체인 및 TI 주소 기반을 포함한 다양한 SPI 통신 방법을 유연하게 구성할 수 있습니다. EVM은 최대 300kW의 3상 인버터 테스트를 위한 (...)

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평가 보드

UCC5880QEVM-057 — UCC5880-Q1 평가 모듈

UCC5880-Q1 평가 모듈은 조정 가능한 게이트 드라이브 강도와 고급 보호 기능을 지원하는 UCC5880-Q1, 20A 절연 단일 채널 게이트 드라이버의 평가를 위해 설계되었습니다. 이 게이트 드라이버는 EV/HEV 애플리케이션에서 고전력 SiC MOSFET 및 IGBT를 구동하는 것을 목표로 합니다. UCC5880-Q1 드라이버 단계는 다양한 애플리케이션 조건에서 게이트 드라이브 강도에 가장 높은 유연성을 허용하는 분할 출력 듀얼 드라이버를 제공합니다. 능동 밀러 클램프, DESAT 또는 션트 전류 센서 감지, 소프트 턴오프 (...)
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시뮬레이션 툴

PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

TI용 PSpice®는 아날로그 회로의 기능을 평가하는 데 사용되는 설계 및 시뮬레이션 환경입니다. 완전한 기능을 갖춘 이 설계 및 시뮬레이션 제품군은 Cadence®의 아날로그 분석 엔진을 사용합니다. 무료로 제공되는 TI용 PSpice에는 아날로그 및 전력 포트폴리오뿐 아니라 아날로그 행동 모델에 이르기까지 업계에서 가장 방대한 모델 라이브러리 중 하나가 포함되어 있습니다.

TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 (...)
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레퍼런스 디자인

TIDM-02014 — 고전력, 고성능 차량용 SiC 트랙션 인버터 레퍼런스 설계

TIDM-02014는 Texas Instruments와 Wolfspeed가 개발한 800V, 300kW SiC 기반 트랙션 인버터 시스템 레퍼런스 설계로, OEM 및 설계 엔지니어가 고성능, 고효율 트랙션 인버터 시스템을 만들고 출시 시기를 앞당길 수 있는 기반을 제공합니다. 이 솔루션은 TI 및 Wolfspeed의 트랙션 인버터 시스템 기술이 Wolfspeed SiC 전력 모듈을 구동하는 고성능 절연 게이트 드라이버 및 실시간 가변 게이트 구동 강도를 통해 사용 가능한 전압의 오버슈트를 줄임으로써 시스템 효율성을 개선하는 방법을 (...)
Design guide: PDF
레퍼런스 디자인

PMP31236 — Gate driver reference design for HybridPACK™ Drive IGBT modules

This reference uses six UCC5880-Q1 gate-drive ICs and six LM5180-Q1 isolated bias supplies to interface with and drive Infineon HybridPACK™ insulated-gate bipolar transistor (IGBT) modules. The isolated output voltage is +15 V and −8 V with 100-mA maximum output current each. The input voltage (...)
Test report: PDF
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SSOP (DFC) 32 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

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