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DRV8300U

現行

具有自舉二極體及增強 UVLO 防護的最大 100-V 簡單三相閘極驅動器

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產品規格表

DRV8300U

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產品詳細資料

Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 0.75 Vs (min) (V) 5 Vs ABS (max) (V) 100 Features Bootstrap Diode Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 0.75 Vs (min) (V) 5 Vs ABS (max) (V) 100 Features Bootstrap Diode Operating temperature range (°C) -40 to 125
TSSOP (PW) 20 41.6 mm² 6.5 x 6.4 VQFN (RGE) 24 16 mm² 4 x 4
  • 100-V Three Phase Half-Bridge Gate driver
    • Drives N-Channel MOSFETs (NMOS)
    • Gate Driver Supply (GVDD): 5-20 V
    • MOSFET supply (SHx) support upto 100 V
  • Integrated Bootstrap Diodes (DRV8300UD devices)
  • Supports Inverting and Non-Inverting INLx inputs
  • Bootstrap gate drive architecture
    • 750-mA source current
    • 1.5-A sink current
  • Supports up to 15S battery powered applications
  • Higher BSTUV (8V typ) and GVDDUV (7.6V typ) threshold to support standard MOSFETs
  • Low leakage current on SHx pins (<55 µA)
  • Absolute maximum BSTx voltage upto 125-V
  • Supports negative transients upto -22-V on SHx
  • Built-in cross conduction prevention
  • Adjustable deadtime through DT pin for QFN package variants
  • Fixed deadtime insertion of 200 nS for TSSOP package variants
  • Supports 3.3-V and 5-V logic inputs with 20 V Abs max
  • 4 nS typical propogation delay matching
  • Compact QFN and TSSOP packages
  • Efficient system design with Power Blocks
  • Integrated protection features
    • BST undervoltage lockout (BSTUV)
    • GVDD undervoltage (GVDDUV)
  • 100-V Three Phase Half-Bridge Gate driver
    • Drives N-Channel MOSFETs (NMOS)
    • Gate Driver Supply (GVDD): 5-20 V
    • MOSFET supply (SHx) support upto 100 V
  • Integrated Bootstrap Diodes (DRV8300UD devices)
  • Supports Inverting and Non-Inverting INLx inputs
  • Bootstrap gate drive architecture
    • 750-mA source current
    • 1.5-A sink current
  • Supports up to 15S battery powered applications
  • Higher BSTUV (8V typ) and GVDDUV (7.6V typ) threshold to support standard MOSFETs
  • Low leakage current on SHx pins (<55 µA)
  • Absolute maximum BSTx voltage upto 125-V
  • Supports negative transients upto -22-V on SHx
  • Built-in cross conduction prevention
  • Adjustable deadtime through DT pin for QFN package variants
  • Fixed deadtime insertion of 200 nS for TSSOP package variants
  • Supports 3.3-V and 5-V logic inputs with 20 V Abs max
  • 4 nS typical propogation delay matching
  • Compact QFN and TSSOP packages
  • Efficient system design with Power Blocks
  • Integrated protection features
    • BST undervoltage lockout (BSTUV)
    • GVDD undervoltage (GVDDUV)

DRV8300U is 100-V three half-bridge gate drivers, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV8300UD generates the correct gate drive voltages using an integrated bootstrap diode and external capacitor for the high-side MOSFETs. GVDD is used to generate gate drive voltage for the low-side MOSFETs. The Gate Drive architecture supports peak up to 750-mA source and 1.5-A sink currents.

The phase pins SHx is able to tolerate the significant negative voltage transients; while high side gate driver supply BSTx and GHx is able to support to higher positive voltage transients (125-V) abs max voltage which improves robustness of the system. Small propagation delay and delay matching specifications minimize the dead-time requirement which further improves efficiency. Undervoltage protection is provided for both low and high side through GVDD and BST undervoltage lockout.

DRV8300U is 100-V three half-bridge gate drivers, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV8300UD generates the correct gate drive voltages using an integrated bootstrap diode and external capacitor for the high-side MOSFETs. GVDD is used to generate gate drive voltage for the low-side MOSFETs. The Gate Drive architecture supports peak up to 750-mA source and 1.5-A sink currents.

The phase pins SHx is able to tolerate the significant negative voltage transients; while high side gate driver supply BSTx and GHx is able to support to higher positive voltage transients (125-V) abs max voltage which improves robustness of the system. Small propagation delay and delay matching specifications minimize the dead-time requirement which further improves efficiency. Undervoltage protection is provided for both low and high side through GVDD and BST undervoltage lockout.

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類型 標題 日期
* Data sheet DRV8300U: 100-V Three-Phase BLDC Gate Driver datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2022年 9月 14日

設計與開發

如需其他條款或必要資源，請按一下下方的任何標題以檢視詳細頁面 (如有)。

開發板

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使用指南: PDF | HTML
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快速入門

MSP-MOTOR-CONTROL — MSP firmware solutions for motor control

MSP Motor Control is a collection of software, tools and examples to spin motors in 30 minutes or less with MSPM0 Arm® Cortex® M0+ MCUs and popular motor driver solutions.

MSP Motor Control provides examples for supported hardware kits to spin brushed, stepper, and three-phase motors with sensored (...)

支援產品和硬體

支援產品和硬體

產品
Arm Cortex-M0+ MCU
MSPM0G1105 — 具有 32KB 快閃記憶體 16KB SRAM 2 個 12 位元 4Msps ADC、運算放大器的 80MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU MSPM0G1106 — 具有 64KB 快閃記憶體 32KB SRAM 2 個 12 位元 4Msps ADC、運算放大器的 80MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU MSPM0G1107 — 具有 128KB 快閃記憶體 32KB SRAM 2 個 12 位元 4Msps ADC、運算放大器的 80MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU MSPM0G1505 — 具有 32KB 快閃記憶體 16KB SRAM 2 個 4Msps ADC、12 位元 DAC、3 個 COMP、2 個 OPA、MATHACL 的 80MHz Arm® Cortex®-M0+ MC MSPM0G1506 — 具有 64KB 快閃記憶體 32KB SRAM 2 個 4Msps ADC、12 位元 DAC、3 個 COMP、2 個 OPA、MATHACL 的 80MHz Arm® Cortex®-M0+ MC MSPM0G1507 — 具有 128KB 快閃記憶體 32KB SRAM 2 個 4Msps ADC、12 位元 DAC、3 個 COMP、2 個 OPA、MATHACL 的 80MHz Arm® Cortex®-M0+ M MSPM0G3105 — 具有 32KB 快閃記憶體 16KB SRAM 2 個 12 位元 4Msps ADC、運算放大器、CAN-FD 的 80MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU MSPM0G3105-Q1 — 具有 32KB 快閃記憶體 16KB SRAM 2 個 12 位元 4Msps ADC、運算放大器、CAN-FD 的車用 80MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU MSPM0G3106 — 具有 64KB 快閃記憶體 32KB SRAM 2 個 12 位元 4Msps ADC、運算放大器、CAN-FD 的 80MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU MSPM0G3106-Q1 — 具有 64KB 快閃記憶體 32KB SRAM 2 個 12 位元 4Msps ADC、運算放大器、CAN-FD 的車用 80MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU MSPM0G3107 — 具有 128KB 快閃記憶體 32KB SRAM 2 個 12 位元 4Msps ADC、運算放大器、CAN-FD 的 80MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU MSPM0G3107-Q1 — 具有 128KB 快閃記憶體 32KB SRAM 2 個 12 位元 4Msps ADC、運算放大器、CAN-FD 的車用 80MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU MSPM0G3505 — 具有 32KB 快閃記憶體 16KB SRAM 2 個 4Msps ADC、DAC、3 個 COMP、2 個 OPA、CAN-FD、MATHACL 的 80MHz Arm® Cortex®-M0 MSPM0G3505-Q1 — 具有 32KB 快閃記憶體 16KB SRAM ADC、DAC、COMP、OPA、CAN-FD、MATHACL 的車用 80MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU MSPM0G3506 — 具有 64KB 快閃記憶體 32KB SRAM 2 個 4Msps ADC、DAC、3 個 COMP、2 個 OPA、CAN-FD、MATHACL 的 80MHz Arm® Cortex®-M0+ M MSPM0G3506-Q1 — 具有 64KB 快閃記憶體 32KB SRAM ADC、DAC、COMP、OPA、CAN-FD、MATHACL 的車用 80MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU MSPM0G3507 — 具有 128KB 快閃記憶體 32KB SRAM 2 個 4Msps ADC、DAC、3 個 COMP、2 個 OPA、CAN-FD、MATHACL 的 80MHz Arm® Cortex®-M0+ MSPM0G3507-Q1 — 具有 128KB 快閃記憶體 32KB SRAM ADC、DAC、COMP、OPA、CAN-FD、MATHACL 的車用 80MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU MSPM0G3519 — 具有雙區 512kB 快閃記憶體、128kB SRAM、2xCAN-FD、2xADC、DAC、COMP 的 80 MHz ARM® Cortex®-M0+ MCU MSPM0L1303 — 具 8-KB 快閃記憶體、2-KB SRAM、12 位元 ADC、比較器、OPA 的 32-MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU MSPM0L1304 — 具 16-KB 快閃記憶體、2-KB SRAM、12 位元 ADC、比較器、OPA 的 32-MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU MSPM0L1304-Q1 — 具有 16KB 快閃記憶體、2KB RAM、12 位元 ADC、OPA、LIN 的車用 32Mhz Arm® Cortex®-M0+ MSPM0L1305 — 具 32-KB 快閃記憶體、4-KB SRAM、12 位元 ADC、比較器、OPA 的 32-MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU MSPM0L1305-Q1 — 具有 32-KB 快閃記憶體、4-KB RAM、12 位元 ADC、OPA、LIN 的車用 32-MHz Arm® Cortex®-M0+ MSPM0L1306 — 具 64-KB 快閃記憶體、4-KB SRAM、12 位元 ADC、比較器、OPA 的 32-MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU MSPM0L1306-Q1 — 具有 64KB 快閃記憶體、4KB RAM、12 位元 ADC、OPA、LIN 的車用 32Mhz Arm® Cortex®-M0+ MSPM0L1343 — 具 8-KB 快閃記憶體、2-KB SRAM、12 位元 ADC、比較器、TIA 的 32-MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU MSPM0L1344 — 具 16-KB 快閃記憶體、2-KB SRAM、12 位元 ADC、比較器、TIA 的 32-MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU MSPM0L1345 — 具 32-KB 快閃記憶體、4-KB SRAM、12 位元 ADC、比較器、TIA 的 32-MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU MSPM0L1346 — 具 64-KB 快閃記憶體、4-KB SRAM、12 位元 ADC、比較器、TIA 的 32-MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU
BLDC 驅動器
DRV8300 — 具有自舉二極體的最大 100-V 簡單 3 相閘極驅動器 DRV8300-Q1 — 具有自舉二極體的汽車最大 100-V 簡單三相閘極驅動器 DRV8300U — 具有自舉二極體及增強 UVLO 防護的最大 100-V 簡單三相閘極驅動器 DRV8311 — 具有整合式 FET 的最大 24-V abs、3 至 20-V、三相無刷 DC 馬達驅動器 DRV8316 — 具整合式電流感測和整合式 FET 的 40-V 最大 8-A 峰值 3 相馬達驅動器 DRV8316-Q1 — 具有整合式電流感測的車用 40-V 最大值 8-A 峰值三相馬達驅動器 DRV8316C-Q1 — 具有整合式電流感測的車用 40-V 最大值 8-A 峰值三相馬達驅動器 DRV8317 — 具有整合式 FET 和電流感測的 24-V 最大值 5-A 峰值三相馬達驅動器 DRV8323 — 具電流分流放大器的 65-V 最大 3 相智慧型閘極驅動器 DRV8323R — 具降壓穩壓器和電流分流放大器的 65V 最大三相智慧型閘極驅動器 DRV8328 — 60 V 1000/2000 mA 3 相閘極驅動器 DRV8329 — 具有單電流感測放大器的 60V 3 相閘極驅動器 DRV8353 — 具電流分流放大器的 102V 最大 3 相智慧型閘極驅動器 DRV8353F — 具有 3x CSA 的 102-V 最大 3 相位功能安全品質管理智慧型閘極驅動器 DRV8353R — 具降壓穩壓器和電流分流放大器的 102-V 最大 3 相智慧型閘極驅動器
步進馬達驅動器
DRV8411A — 具有 IPROPI 電流調節功能的 1.65V 至 11V、4A 雙全橋馬達驅動器 DRV8889-Q1 — 具有整合式電流感測和熄火偵測功能的車用 50V、1.5A 雙極步進馬達驅動器
有刷 DC (BDC) 馬達驅動器
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硬體開發
開發板
BOOSTXL-DRV8323RH — 具有降壓、分流放大器的 DRV8323RH 三相智慧型閘極驅動器 (硬體介面) 評估模組 BOOSTXL-DRV8323RS — 具有降壓、分流放大器的 DRV8323RS 三相智慧型閘極驅動器 (SPI 介面) 評估模組 DRV8300DIPW-EVM — 適用於三相 BLDC 的 DRV8300DIPW 評估模組 DRV8300DRGE-EVM — DRV8300DRGE 三相 BLDC 評估模組 DRV8311HEVM — DRV8311H 三相 PWM 馬達驅動器評估模組 DRV8316REVM — DRV8316R 三相 PWM 馬達驅動器評估模組 DRV8317HEVM — 適用三相無刷 DC (BLDC) 閘極驅動器的 DRV8317 評估模組 DRV8328AEVM — DRV8328A 三相 PWM 馬達驅動器評估模組 DRV8329AEVM — 適用於三相 BLDC 閘極驅動器的 DRV8329A 評估模組 DRV8353RH-EVM — DRV8353RH 評估模組、三相無刷 DC 智慧型閘極驅動器 DRV8353RS-EVM — DRV8353RS 評估模組、三相無刷 DC 智慧型閘極驅動器 DRV8411AEVM — 具有電流調節功能的雙全橋馬達驅動器 DRV8411A 評估模組 DRV8706S-Q1EVM — 具有廣泛共模電流感測放大器的車用全橋智慧型閘極驅動器 EVM DRV8889-Q1EVM — 具有 1/256 微步進和熄火偵測功能的 DRV8889-Q1 車用步進驅動器評估模組 LP-MSPM0G3507 — 適用於 80-MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU 的 MSPM0G3507 LaunchPad™ 開發套件 LP-MSPM0G3519 — 適用於 80MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU 的 MSPM0G3519 LaunchPad™ 開發套件 LP-MSPM0L1306 — 適用於 32-MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU 的 MSPM0L1306 LaunchPad™ 開發套件
軟體
軟體開發套件 (SDK)
MSPM0-SDK — MSPM0 軟體開發套件 (SDK)
開始使用 下載選項
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
TSSOP (PW) 20 Ultra Librarian
VQFN (RGE) 24 Ultra Librarian
適用 TI 的評估品項標準條款與條件。

訂購與品質

內含資訊：
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 認證摘要
  • 進行中持續性的可靠性監測
內含資訊：
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

支援與培訓

內含 TI 工程師技術支援的 TI E2E™ 論壇

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