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TPS1101

AKTIV

Einzelner P-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET

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TPS1101

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Produktdetails

Rating Catalog Operating temperature range (°C) to
Rating Catalog Operating temperature range (°C) to
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 TSSOP (PW) 16 32 mm² 5 x 6.4
  • Low rDS(on) . . . 0.09 Typ at VGS = -10 V
  • 3 V Compatible
  • Requires No External VCC
  • TTL and CMOS Compatible Inputs
  • VGS(th) = -1.5 V Max
  • Available in Ultrathin TSSOP Package (PW)
  • ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015

  • Low rDS(on) . . . 0.09 Typ at VGS = -10 V
  • 3 V Compatible
  • Requires No External VCC
  • TTL and CMOS Compatible Inputs
  • VGS(th) = -1.5 V Max
  • Available in Ultrathin TSSOP Package (PW)
  • ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015

The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-channel, enhancement-mode MOSFET. The device has been optimized for 3-V or 5-V power distribution in battery-powered systems by means of the Texas Instruments LinBiCMOSTM

process. With a maximum VGS(th) of -1.5 V and an IDSS of only 0.5 uA, the TPS1101 is the ideal high-side switch for low-voltage, portable battery-management systems where maximizing battery life is a primary concern. The low rDS(on) and excellent ac characteristics (rise time 5.5 ns typical) of the TPS1101 make it the logical choice for low-voltage switching applications such as power switches for pulse-width-modulated (PWM) controllers or motor/bridge drivers.

The ultrathin thin shrink small-outline package or TSSOP (PW) version fits in height-restricted places where other P-channel MOSFETs cannot. The size advantage is especially important where board height restrictions do not allow for an small-outline integrated circuit (SOIC) package. Such applications include notebook computers, personal digital assistants (PDAs), cellular telephones, and PCMCIA cards. For existing designs, the D-packaged version has a pinout common with other P-channel MOSFETs in SOIC packages.

The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-channel, enhancement-mode MOSFET. The device has been optimized for 3-V or 5-V power distribution in battery-powered systems by means of the Texas Instruments LinBiCMOSTM

process. With a maximum VGS(th) of -1.5 V and an IDSS of only 0.5 uA, the TPS1101 is the ideal high-side switch for low-voltage, portable battery-management systems where maximizing battery life is a primary concern. The low rDS(on) and excellent ac characteristics (rise time 5.5 ns typical) of the TPS1101 make it the logical choice for low-voltage switching applications such as power switches for pulse-width-modulated (PWM) controllers or motor/bridge drivers.

The ultrathin thin shrink small-outline package or TSSOP (PW) version fits in height-restricted places where other P-channel MOSFETs cannot. The size advantage is especially important where board height restrictions do not allow for an small-outline integrated circuit (SOIC) package. Such applications include notebook computers, personal digital assistants (PDAs), cellular telephones, and PCMCIA cards. For existing designs, the D-packaged version has a pinout common with other P-channel MOSFETs in SOIC packages.
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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
* Data sheet Single P-Channel Enhancement-Mode MOSFETs datasheet (Rev. C) 01 Aug 1995

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
TSSOP (PW) 16 Ultra Librarian
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