LM74670-Q1
- AEC-Q100 Qualified With the Following Results:
- Device Temperature Grade 1: –40°C to +125°C Ambient Operating Temperature Range
- Exceeds HBM ESD Classification Level 2
- Device CDM ESD Classification Level C4B
- Peak Input AC Voltage: 42 V
- Zero IQ
- Charge Pump Gate Driver for external N-Channel MOSFET
- Low Forward-Voltage Drop and Less Power Dissipation Compared to Schottky Diode
- Capable of handling AC signal up to 300-Hz Frequency
The LM74670-Q1 is a controller device that can be used with an N-Channel MOSFET in full or half bridge rectifier architectures for alternators. It is designed to drive an external MOSFET to emulate an ideal diode. A unique advantage of this scheme is that it is not ground referenced, thus it has zero IQ. The schottky diodes in full or half bridge rectifiers and alternators can be replaced with the LM74670-Q1 solution to avoid forward conduction diode losses and produce more efficient AC-DC converters.
The LM74670-Q1 controller provides a gate drive for external N-Channel MOSFET and a fast response internal comparator to pull-down the MOSFET Gate in the event of reverse polarity. This device can support an AC signal frequency up to 300Hz.
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技術資料
種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
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* | データシート | LM74670-Q1 Zero IQ Smart Diode Rectifier Controller データシート (Rev. A) | PDF | HTML | 2015年 10月 27日 | ||
e-Book(PDF) | 11 Ways to Protect Your Power Path(英語) | 英語版 | 2020年 10月 30日 | |||
EVM ユーザー ガイド (英語) | LM74670-SQEVM User's Guide | 2015年 10月 20日 |
設計および開発
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購入と品質
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