전원 관리 게이트 드라이버 절연 게이트 드라이버

UCC21530-Q1

활성

Automotive, 4A, 6A, 5.7kVRMS, isolated dual-channel gate driver with EN and DT pins for IGBT/SiC

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비교 대상 장치와 동일한 기능을 지원하는 핀 대 핀
UCC21551-Q1 활성 IGBT 및 SiC용 EN 및 DT 핀이 있는 오토모티브, 4A/6A 5kVRMS 듀얼 채널 절연 게이트 드라이버 Tighter VCCI range supporting digital controller thresholds. New DT equation. Increased CMTI and wider operating temperature range.

제품 상세 정보

Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 6 Features Enable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 25 Output VCC/VDD (min) (V) 14.7 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 7 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12
Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 6 Features Enable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 25 Output VCC/VDD (min) (V) 14.7 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 7 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12
SOIC (DWK) 14 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • AEC-Q100 qualified with:
    • Device temperature grade 1
  • Functional Safety Quality-Managed
  • Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
  • Wide body SOIC-14 (DWK) package
  • 3.3mm spacing between driver channels
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 20ns minimum pulse width
    • 6ns maximum pulse-width distortion
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • 4A peak source, 6A peak sink output
  • TTL and CMOS compatible inputs
  • 3V to 18V input VCCI range
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 8V,12V and 17V VDD UVLO options
  • Programmable overlap and dead time
  • Junction temperature range –40 to +150°C
  • AEC-Q100 qualified with:
    • Device temperature grade 1
  • Functional Safety Quality-Managed
  • Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
  • Wide body SOIC-14 (DWK) package
  • 3.3mm spacing between driver channels
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 20ns minimum pulse width
    • 6ns maximum pulse-width distortion
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • 4A peak source, 6A peak sink output
  • TTL and CMOS compatible inputs
  • 3V to 18V input VCCI range
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 8V,12V and 17V VDD UVLO options
  • Programmable overlap and dead time
  • Junction temperature range –40 to +150°C

The UCC21530-Q1 is an isolated dual-channel gate driver with 4A source and 6A sink peak current. It is designed to drive IGBTs, Si MOSFETs, and SiC MOSFETs up to 5MHz.

The input side is isolated from the two output drivers by a 5.7kVRMS reinforced isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI). Internal functional isolation between the two secondary-side drivers allows a working voltage of up to 1850V.

This device can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver with programmable dead time (DT). The EN pin pulled low shuts down both outputs simultaneously and allows for normal operation when left open or pulled high. As a fail-safe measure, primary-side logic failures force both outputs low.

The device accepts VDD supply voltages up to 25V. A wide input VCCI range from 3V to 18V makes the driver suitable for interfacing with both analog and digital controllers. All the supply voltage pins have under voltage lock-out (UVLO) protection.

The UCC21530-Q1 is an isolated dual-channel gate driver with 4A source and 6A sink peak current. It is designed to drive IGBTs, Si MOSFETs, and SiC MOSFETs up to 5MHz.

The input side is isolated from the two output drivers by a 5.7kVRMS reinforced isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI). Internal functional isolation between the two secondary-side drivers allows a working voltage of up to 1850V.

This device can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver with programmable dead time (DT). The EN pin pulled low shuts down both outputs simultaneously and allows for normal operation when left open or pulled high. As a fail-safe measure, primary-side logic failures force both outputs low.

The device accepts VDD supply voltages up to 25V. A wide input VCCI range from 3V to 18V makes the driver suitable for interfacing with both analog and digital controllers. All the supply voltage pins have under voltage lock-out (UVLO) protection.

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평가 보드

UCC21530EVM-286 — UCC21530 절연 듀얼 채널 드라이버 평가 모듈

UCC21530EVM-286 is designed for evaluating UCC21530DWK, which is an isolated dual-channel gate driver with 4-A source and 6-A sink peak current, 12V UVLO, Enable (Active High) Function and 3.3 mm creepage between channels . This EVM could be served as a reference design for driving IGBTS and SiC (...)
사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
드라이버 또는 라이브러리

UCC21520-Q1-DESIGN UCC21520-Q1 design resources

FuSa supporting document
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
절연 게이트 드라이버
UCC21520-Q1 듀얼 입력, 비활성화 및 데드타임을 지원하는 오토모티브 4A, 6A, 5.7kVRMS 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버 UCC21530-Q1 Automotive, 4A, 6A, 5.7kVRMS, isolated dual-channel gate driver with EN and DT pins for IGBT/SiC
드라이버 또는 라이브러리

UCC21530-Q1-DESIGN UCC21530-Q1 design resources

FS documents
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
절연 게이트 드라이버
UCC21530-Q1 Automotive, 4A, 6A, 5.7kVRMS, isolated dual-channel gate driver with EN and DT pins for IGBT/SiC
시뮬레이션 모델

UCC21530 PSpice Transient Model

SLUM655.ZIP (23 KB) - PSpice Model
시뮬레이션 툴

PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

TI용 PSpice®는 아날로그 회로의 기능을 평가하는 데 사용되는 설계 및 시뮬레이션 환경입니다. 완전한 기능을 갖춘 이 설계 및 시뮬레이션 제품군은 Cadence®의 아날로그 분석 엔진을 사용합니다. 무료로 제공되는 TI용 PSpice에는 아날로그 및 전력 포트폴리오뿐 아니라 아날로그 행동 모델에 이르기까지 업계에서 가장 방대한 모델 라이브러리 중 하나가 포함되어 있습니다.

TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 (...)
레퍼런스 디자인

TIDM-02012 — MathWorks®를 사용한 고전압 HEV/EV HVAC eCompressor 모터 제어 레퍼런스 설계

TIDM-02012는 중간 성능 C2000™ TMS320F28003x 실시간 MCU로 제어되는 HEV/EV 콤프레서(eCompressor) 애플리케이션을 위해 구축된 고전압, 5kW 레퍼런스 설계입니다. 400V 및 800V DC 버스 모두로 평가하도록 설계되었으며, 더 높은 배터리 전압의 시장 트렌드를 지원합니다. controlCARD 기반 설계는 사용자가 여러 MCU 및 게이트 드라이버 옵션을 평가할 수 있으며, 증가하는 사이버 보안, 기능 안전 및 기타 자동차 시장 요구 사항을 충족하는 미래의 로드맵 장치를 포함한 (...)
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레퍼런스 디자인

TIDM-02009 — ASIL D 안전 개념 평가 고속 트랙션, 양방향 DC/DC 변환 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 단일 TMS320F28388D 실시간 C2000™ MCU를 통해 HEV/EV 트랙션 인버터 및 양방향 DC-DC 컨버터를 제어하는 방법을 보여줍니다. 트랙션 컨트롤은 소프트웨어 기반의 리졸버-디지털 컨버터(RDC)를 사용하여 모터를 최대 20,000RPM의 고속으로 구동합니다. DC-DC 컨버터는 위상 전환 풀 브리지(PSFB) 토폴로지 및 동기 정류(SR) 스키마와 함께 PCMC(피크 전류 모드 제어) 기술을 사용합니다. 트랙션 인버터 스테이지는 UCC5870-Q1 스마트 게이트 드라이버로 구동되는 (...)
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TIDA-01605 — 2레벨 끄기 보호 기능을 갖춘 차량용 듀얼 채널 SiC MOSFET 게이트 드라이버 레퍼런스 설계

This reference design is an automotive qualified isolated gate driver solution for driving Silicon Carbide (SiC) MOSFETs in half bridge configuration. The design includes two push pull bias supplies for the dual channel isolated gate driver respectively and each supply provides +15V and -4V output (...)
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TIDM-02002 — HEV/EV 온보드 충전기용 양방향 CLLLC 공진 듀얼 활성 브리지(DAB) 레퍼런스 설계

CLLLC resonant DAB with bidirectional power flow capability and soft switching characteristics is an ideal candidate for Hybrid Electric Vehicle/Electric Vehicle (HEV/EV) on-board chargers and energy storage applications. This design illustrates control of this power topology using a C2000™ (...)
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PMP21999 — PCB 권선 변압기를 사용하는 6.6kW 양방향 CLLLC 공진 컨버터 레퍼런스 설계

This 6.6 kW, bi-directional, dual-active-bridge resonant converter reference design allows 380 VDC to 600 VDC input and 280 VDC to 450 VDC output. PCB winding transformer and Rogowski coil synchronous rectifier (SR) control are applied in this design for power density and efficiency optimization. (...)
Test report: PDF
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PMP21561 — 안전 절연 2차 SiC MOSFET 드라이버 레퍼런스 설계

This reference design provides an integrated high and low side isolated secondary gate driver solution for an automotive battery charging system incorporating two push-pull SN6505B transformer drivers and the isolated dual-channel gate driver UCC21521C.
Test report: PDF
회로도: PDF
레퍼런스 디자인

PMP21553 — 안전 절연 1차 SiC MOSFET 드라이버 레퍼런스 설계

This reference design provides an integrated high and low side isolated primary gate driver solution for an automotive battery charging system incorporating two push-pull SN6505B transformer drivers and the isolated dual-channel gate driver UCC21521C.
Test report: PDF
회로도: PDF
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (DWK) 14 Ultra Librarian

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

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