계산 툴
UCC27425-Q1
- Qualified for Automotive Applications
- AEC-Q100 Qualified With the Following Results:
- Device Temperature Grade 1: –40°C to +125°C Ambient Operating Temperature Range
- Device HBM ESD Classification Level 2
- Device CDM ESD Classification Level C6
- Industry-Standard Pinout
- Enable Functions for Each Driver
- High-Current Drive Capability of ±4 A
- Unique Bipolar and CMOS True Drive Output Stage Provides High Current at MOSFET Miller Thresholds
- Inputs Independent of Supply Voltage Compatible With TTL and CMOS
- 20-ns Typical Rise and 15-ns Typical Fall Times With 1.8-nF Load
- Typical Propagation Delay Times of 25 ns With Input Falling and 35 ns With Input Rising
- 4-V to 15-V Supply Voltage
- Dual Outputs Can Be Paralleled for Higher Drive Current
- Available in Thermally Enhanced MSOP PowerPAD™ Package
- Rated From –40°C to +125°C
The UCC2742x-Q1 family of devices are high-speed dual MOSFET drivers capable of delivering large peak currents into capacitive loads. Two standard logic options are offered: dual inverting and dual noninverting drivers. They are offered in the standard 8-pin SOIC (D) package. The thermally enhanced 8-pin PowerPAD Package MSOP package (DGN) drastically lowers the thermal resistance to improve long-term reliability.
Using a design that inherently minimizes shoot-through current, these drivers deliver 4-A current where it is needed most, at the Miller plateau region, during the MOSFET switching transition. A unique bipolar and MOSFET hybrid output stage in parallel also allows efficient current sourcing and sinking at low supply voltages.
The UCC2742x-Q1 provide enable (ENBL) functions to have better control of the operation of the driver applications. ENBA and ENBB are implemented on pins 1 and 8, which were previously left unused in the industry standard pinout. They are internally pulled up to V DD for active-high logic and can be left open for standard operation.
기술 자료
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9개 모두 보기 | 유형 | 직함 | 날짜 | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | UCC2742x-Q1 Dual 4-A High-Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable datasheet (Rev. I) | PDF | HTML | 2023/11/28 |
| Application note | Why use a Gate Drive Transformer? | PDF | HTML | 2024/03/04 | |
| Application note | Review of Different Power Factor Correction (PFC) Topologies' Gate Driver Needs | PDF | HTML | 2024/01/22 | |
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| Application brief | How to overcome negative voltage transients on low-side gate drivers' inputs | 2019/01/18 | ||
| More literature | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018/10/29 | ||
| EVM User's guide | UCC27423-4-5-Q1 EVM User’s Guide (Rev. A) | 2018/04/16 |
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| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
포함된 정보:
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.