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TPS51601A

AKTIV

Gate-Treiber für 30-V-Halbbrücke mit Totzeit-Steuerung

Produktdetails

Operating temperature range (°C) -40 to 105 Rating Catalog Input supply voltage (max) (V) 5.5 Features Dead time control Input supply voltage (min) (V) 4.5
Operating temperature range (°C) -40 to 105 Rating Catalog Input supply voltage (max) (V) 5.5 Features Dead time control Input supply voltage (min) (V) 4.5
VSON (DRB) 8 9 mm² 3 x 3
  • High Voltage Synchronous Buck Driver
  • Integrated Boost Switch for Bootstrap Action
  • Adaptive Dead Time Control and Shoot-through Protection
  • 0.4-Ω Sink Resistance for Low-side Drive
  • 1.0-Ω Source Resistance for High-side Drive
  • SKIP Pin to Improve Light-Load Efficiency
  • Adaptive Zero-Crossing Detection for Optimal Light-Load Efficiency
  • 8-Pin 3 mm × 3 mm SON (DRB) Package
  • High Voltage Synchronous Buck Driver
  • Integrated Boost Switch for Bootstrap Action
  • Adaptive Dead Time Control and Shoot-through Protection
  • 0.4-Ω Sink Resistance for Low-side Drive
  • 1.0-Ω Source Resistance for High-side Drive
  • SKIP Pin to Improve Light-Load Efficiency
  • Adaptive Zero-Crossing Detection for Optimal Light-Load Efficiency
  • 8-Pin 3 mm × 3 mm SON (DRB) Package

The TPS51601A is a synchronous buck MOSFET driver with integrated boost switch. This high-performance driver is capable of driving high-side and low-side side N-channel FETs with the highest speed and lowest switching loss. Adaptive dead-time control and shoot-through protection are included.

The TPS51601A is available in the space-saving 8-pin 3 mm × 3 mm SON package and operates between –40°C and 105°C.

The TPS51601A is a synchronous buck MOSFET driver with integrated boost switch. This high-performance driver is capable of driving high-side and low-side side N-channel FETs with the highest speed and lowest switching loss. Adaptive dead-time control and shoot-through protection are included.

The TPS51601A is available in the space-saving 8-pin 3 mm × 3 mm SON package and operates between –40°C and 105°C.

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Technische Dokumentation

star =Von TI ausgewählte Top-Empfehlungen für dieses Produkt
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Alle anzeigen 4
Typ Titel Datum
* Data sheet Dual High-Efficiency Synchronous MOSFET Driver datasheet 12 Mai 2012
Application brief External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 28 Feb 2020
Application brief Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 28 Feb 2020
More literature Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) 29 Okt 2018

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Simulationsmodell

TPS51601A PSpice Transient Model

SLUM284.ZIP (62 KB) - PSpice Model
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
VSON (DRB) 8 Ultra Librarian

Bestellen & Qualität

Beinhaltete Information:
  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

Support und Schulungen

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