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선형 및 저손실(LDO) 레귤레이터

TPS7H1111-SP

활성

방사능 저항, QMLV 및 QMLP, 1.5A, 초저잡음 높은 PSRR 저손실(LDO) 레귤레이터

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TPS7H1111-SP

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제품 상세 정보

Output options Adjustable Output Iout (max) (A) 1.5 Vin (max) (V) 7 Vin (min) (V) 0.85 Vout (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 0.4 Rating Space Noise (µVrms) 1.7 PSRR at 100 KHz (dB) 71 Iq (typ) (mA) 19 Thermal resistance θJA (°C/W) 25.1 Load capacitance (min) (µF) 132 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Power good, Radiation hardened, Soft start Accuracy (%) 1.3 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 215 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 75 Radiation, TID (typ) (krad) 100
Output options Adjustable Output Iout (max) (A) 1.5 Vin (max) (V) 7 Vin (min) (V) 0.85 Vout (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 0.4 Rating Space Noise (µVrms) 1.7 PSRR at 100 KHz (dB) 71 Iq (typ) (mA) 19 Thermal resistance θJA (°C/W) 25.1 Load capacitance (min) (µF) 132 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Power good, Radiation hardened, Soft start Accuracy (%) 1.3 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 215 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 75 Radiation, TID (typ) (krad) 100
CFP (HBL) 14 73.20624 mm² 9.12 x 8.027 HTSSOP (PWP) 28 62.08 mm² 9.7 x 6.4
  • Total ionizing dose (TID) characterized
    • Radiation hardness assurance (RHA) availability of 100 krad(Si) or 50 krad(Si)
  • Single-Event Effects (SEE) characterized
    • Single-event latchup (SEL), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune up to linear energy transfer (LET) = 75 MeV-cm2/mg
    • Single-event functional interrupt (SEFI) and single-event transient (SET) characterized up to LET = 75 MeV-cm2/mg
  • Ultra-low noise (10 Hz to 100 kHz):
    • 1.71 µVRMS (typ)
  • High power-supply rejection ratio, PSRR (typ):
    • 109 dB at 1 kHz
    • 71 dB at 100 kHz
    • 66 dB at 1 MHz
  • Input voltage range from 0.85 V to 7 V
  • Bias supply of 2.2 V to 14 V to minimize power dissipation
  • Output voltage as low as 0.4 V
  • Up to 1.5-A output current
  • Excellent output accuracy over line and load:
    • –1.3% to +1.2% across temperature
    • –0.7% to +0.9% at 25°C
  • Low-dropout: 215 mV (typ) at 1.5 A
  • Programmable soft-start control (SS_SET)
  • Open-drain power good (PG) indicator
  • Configurable power good threshold (FB_PG)
  • Exposed control loop with the external compensation STAB pin
  • Internal current limit with configurable behavior
  • Current sharing to allow operation of up to 2.9 A
  • Military temperature range (–55°C to 125°C)
  • Total ionizing dose (TID) characterized
    • Radiation hardness assurance (RHA) availability of 100 krad(Si) or 50 krad(Si)
  • Single-Event Effects (SEE) characterized
    • Single-event latchup (SEL), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune up to linear energy transfer (LET) = 75 MeV-cm2/mg
    • Single-event functional interrupt (SEFI) and single-event transient (SET) characterized up to LET = 75 MeV-cm2/mg
  • Ultra-low noise (10 Hz to 100 kHz):
    • 1.71 µVRMS (typ)
  • High power-supply rejection ratio, PSRR (typ):
    • 109 dB at 1 kHz
    • 71 dB at 100 kHz
    • 66 dB at 1 MHz
  • Input voltage range from 0.85 V to 7 V
  • Bias supply of 2.2 V to 14 V to minimize power dissipation
  • Output voltage as low as 0.4 V
  • Up to 1.5-A output current
  • Excellent output accuracy over line and load:
    • –1.3% to +1.2% across temperature
    • –0.7% to +0.9% at 25°C
  • Low-dropout: 215 mV (typ) at 1.5 A
  • Programmable soft-start control (SS_SET)
  • Open-drain power good (PG) indicator
  • Configurable power good threshold (FB_PG)
  • Exposed control loop with the external compensation STAB pin
  • Internal current limit with configurable behavior
  • Current sharing to allow operation of up to 2.9 A
  • Military temperature range (–55°C to 125°C)

The TPS7H1111 is an ultra-low noise, high PSRR, low dropout linear regulator (LDO) optimized for powering radio-frequency (RF) devices in a space environment. It is capable of sourcing up to 1.5 A over a 0.85-V to 7-V input range with a 2.2-V to 14-V bias supply.

The high performance of the device limits power-supply generated phase noise and clock jitter, making this device ideal for powering high-performance ADCs, DACs, VCOs, PLLs, SerDes, and other RF components in satellites. For digital loads (such as FPGAs and DSPs) requiring low voltage operation, the exceptional accuracy and excellent transient performance ensure optimal system performance.

A standard microcircuit drawing (SMD) is available for the QML variants, 5962R21203. A vendor item drawing (VID) is available for the -SEP variant, V62/23602.

The TPS7H1111 is an ultra-low noise, high PSRR, low dropout linear regulator (LDO) optimized for powering radio-frequency (RF) devices in a space environment. It is capable of sourcing up to 1.5 A over a 0.85-V to 7-V input range with a 2.2-V to 14-V bias supply.

The high performance of the device limits power-supply generated phase noise and clock jitter, making this device ideal for powering high-performance ADCs, DACs, VCOs, PLLs, SerDes, and other RF components in satellites. For digital loads (such as FPGAs and DSPs) requiring low voltage operation, the exceptional accuracy and excellent transient performance ensure optimal system performance.

A standard microcircuit drawing (SMD) is available for the QML variants, 5962R21203. A vendor item drawing (VID) is available for the -SEP variant, V62/23602.
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기술 자료

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Application note DLA Standard Microcircuit Drawings (SMD) and JAN Part Numbers Primer 2020/08/21
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설계 및 개발

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평가 보드

TPS7H1111EVM-CVAL — 초고 PSRR을 지원하는 1.5A 초저잡음 RF LDO 레귤레이터용 TPS7H1111-SP 평가 모듈

TPS7H1111EVM-CVAL 평가 모듈(EVM)은 저손실(LDO) 선형 레귤레이터인 RHA(방사선 경도 보장) TPS7H1111-SP에 대한 엔지니어링 데모입니다.

사용 설명서: PDF | HTML
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시뮬레이션 모델

TPS7H1111-SP PSpice Model

SLVME08.ZIP (55 KB) - PSpice Model
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계산 툴

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하드웨어 개발
평가 보드
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다운로드
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
CFP (HBL) 14 Ultra Librarian
HTSSOP (PWP) 28 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

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