전원 관리 게이트 드라이버 저압측 드라이버

UCC27614

활성

4V UVLO, 30V VDD 및 낮은 전파 지연을 지원하는 10A/10A 싱글 채널 게이트 드라이버

제품 상세 정보

Number of channels 1 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 10 Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 26 Features Enable pin, UVLO Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 4 Propagation delay time (µs) 0.017 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic CMOS, TTL Input negative voltage (V) -10 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Driver configuration Single
Number of channels 1 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 10 Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 26 Features Enable pin, UVLO Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 4 Propagation delay time (µs) 0.017 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic CMOS, TTL Input negative voltage (V) -10 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Driver configuration Single
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 WSON (DSG) 8 4 mm² 2 x 2
  • Typical 10-A sink 10-A source output currents
  • Input and enable pins capable of withstanding up to –10 V
  • Absolute maximum VDD voltage: 30 V
  • Wide VDD operating range from 4.5 V to 26 V with UVLO
  • Available in 2-mm x 2-mm SON8 package
  • Typical 17.5-ns propagation delay
  • EN (enable) pin in SOIC8 package
  • IN– pin can be used for enable/disable functionality
  • VDD independent input thresholds (TTL compatible)
  • Can be used as inverting or non-inverting driver
  • Operating junction temperature range of –40°C to 150°C
  • Typical 10-A sink 10-A source output currents
  • Input and enable pins capable of withstanding up to –10 V
  • Absolute maximum VDD voltage: 30 V
  • Wide VDD operating range from 4.5 V to 26 V with UVLO
  • Available in 2-mm x 2-mm SON8 package
  • Typical 17.5-ns propagation delay
  • EN (enable) pin in SOIC8 package
  • IN– pin can be used for enable/disable functionality
  • VDD independent input thresholds (TTL compatible)
  • Can be used as inverting or non-inverting driver
  • Operating junction temperature range of –40°C to 150°C

The UCC27614 is a single channel, high-speed, low-side gate driver capable of effectively driving MOSFET, IGBT, SiC, and GaN power switches. UCC27614 has a typical peak drive strength of 10 A, which reduces the rise and fall times of the power switches, lowering switching losses and increasing efficiency. The UCC27614 device’s small propagation delay yields better power stage efficiency by improving the dead-time optimization, pulse width utilization, control loop response, and transient performance of the system.

UCC27614 can handle –10-V on its inputs, which improves robustness in systems with moderate ground bouncing. The inputs are independent of supply voltage and can be connected to most controller outputs for maximum control flexibility. An independent enable signal allows the power stage to be controlled independent of the main control logic. The gate driver can quickly shut off the power stage if there is a fault in the system (which requires the power train to be turned-off). The enable function also improves system robustness. Many high-frequency switching power supplies exhibit high frequency noise at the gate of the power device, which can get injected into the output pin of the gate driver and can cause the driver to malfunction. The UCC27614 performs well in such conditions due to its transient reverse current and reverse voltage capability.

The strong internal pulldown MOSFET holds the output low if the VDD voltage is below the specified UVLO threshold. This active pulldown feature further improves system robustness. The UCC27614 device’s 10-A drive current in the 2-mm × 2mm package improves system power density. This small package also enables optimum gate driver placement and improved layout.

The UCC27614 is a single channel, high-speed, low-side gate driver capable of effectively driving MOSFET, IGBT, SiC, and GaN power switches. UCC27614 has a typical peak drive strength of 10 A, which reduces the rise and fall times of the power switches, lowering switching losses and increasing efficiency. The UCC27614 device’s small propagation delay yields better power stage efficiency by improving the dead-time optimization, pulse width utilization, control loop response, and transient performance of the system.

UCC27614 can handle –10-V on its inputs, which improves robustness in systems with moderate ground bouncing. The inputs are independent of supply voltage and can be connected to most controller outputs for maximum control flexibility. An independent enable signal allows the power stage to be controlled independent of the main control logic. The gate driver can quickly shut off the power stage if there is a fault in the system (which requires the power train to be turned-off). The enable function also improves system robustness. Many high-frequency switching power supplies exhibit high frequency noise at the gate of the power device, which can get injected into the output pin of the gate driver and can cause the driver to malfunction. The UCC27614 performs well in such conditions due to its transient reverse current and reverse voltage capability.

The strong internal pulldown MOSFET holds the output low if the VDD voltage is below the specified UVLO threshold. This active pulldown feature further improves system robustness. The UCC27614 device’s 10-A drive current in the 2-mm × 2mm package improves system power density. This small package also enables optimum gate driver placement and improved layout.

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기술 자료

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유형 직함 날짜
* Data sheet UCC27614 30-V, 10-A Single Channel Low Side Gate Driver with –10-V Input Capability datasheet (Rev. C) PDF | HTML 2022/01/21
Application note Selecting Gate Drivers for HVAC Systems PDF | HTML 2024/04/04
Technical article Managing power-supply noise with a 30-V gate driver PDF | HTML 2021/12/07
Application note Benefits of a Compact, Powerful, and Robust Low-Side Gate Driver PDF | HTML 2021/11/10
EVM User's guide Using the UCC27614EVM PDF | HTML 2021/06/13

설계 및 개발

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평가 보드

UCC27614EVM — 단일 채널 30V, 10A 고속 저압측 게이트 드라이버용 UCC27614 평가 모듈

UCC27614 EVM(평가 모듈)은 TI의 30V, 10A 단일 채널 2 × 2 게이트 드라이버의 평가를 위해 설계되었습니다. 이 EVM은 데이터시트 매개변수를 기준으로 드라이버 IC를 평가하는 것을 목표로 합니다. 드라이버 IC는 다양한 정전식 및 저항식 부하를 기준으로 평가할 수 있습니다. EVM은 반전 또는 비반전 구성으로 설정할 수 있습니다. 이 EVM에는 TO-220 풋프린트를 지원하는 전원 트랜지스터를 평가하기 위한 프로비저닝이 포함되어 있습니다.

사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
시뮬레이션 모델

UCC27614 SIMPLIS Model

SLUM794.ZIP (74 KB) - SIMPLIS Model
시뮬레이션 모델

UCC27614 Unencrypted PSpice Model

SLUM885.ZIP (18 KB) - PSpice Model
계산 툴

SLURB20 UCC27614 Schematic Review Template

지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
저압측 드라이버
UCC27614 4V UVLO, 30V VDD 및 낮은 전파 지연을 지원하는 10A/10A 싱글 채널 게이트 드라이버
시뮬레이션 툴

PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

TI용 PSpice®는 아날로그 회로의 기능을 평가하는 데 사용되는 설계 및 시뮬레이션 환경입니다. 완전한 기능을 갖춘 이 설계 및 시뮬레이션 제품군은 Cadence®의 아날로그 분석 엔진을 사용합니다. 무료로 제공되는 TI용 PSpice에는 아날로그 및 전력 포트폴리오뿐 아니라 아날로그 행동 모델에 이르기까지 업계에서 가장 방대한 모델 라이브러리 중 하나가 포함되어 있습니다.

TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 (...)
레퍼런스 디자인

PMP23126 — 전력 밀도가 270W/in33kW를 초과하는 액티브 클램프 레퍼런스 설계를 반영한 3kW 위상 전환 풀 브리지

이 레퍼런스 설계는 최대 전력 밀도를 목표로 하는 GaN 기반 3kW PSFB(위상 이동 풀 브리지)입니다. 이 설계에는 보조 동기식 정류기 MOSFET에 대한 전압 응력을 최소화하기 위해 액티브 클램프가 있으며 그에 따라 더 우수한 FOM(figure-of-merit)과 더 낮은 전압 정격 MOSFET을 활용할 수 있습니다. PMP23126은 기본 측에서 TI의 30mΩ GaN을 사용하고 보조 측에서 실리콘 MOSFET를 사용합니다. LMG3522 상단 측 냉각d GaN과 일체형 드라이버 및 보호 기능이 Si MOSFET와 (...)
Test report: PDF
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
WSON (DSG) 8 Ultra Librarian

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

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