UCC27624
- Typical 5A peak source and sink drive current for each channel
- Input and enable pins capable of handling –10V
- Output capable of handling –2V transients
- Absolute maximum VDD voltage: 30V
- Wide VDD operating range from 4.5V to 26V with UVLO
- Two independent gate drive channels
- Independent enable function for each output
- Hysteretic-logic thresholds for high noise immunity
- VDD independent input thresholds (TTL compatible)
- Fast propagation delays (17ns typical)
- Fast rise and fall times (6ns and 10ns typical)
- 1ns typical delay matching between the two channels
- Two channels can be paralleled for higher drive current
- SOIC8 and VSSOP8 PowerPAD™ package options
- Operating junction temperature range of –40°C to 150°C
The UCC27624 is a dual-channel, high-speed, low-side gate driver that effectively drives MOSFET, IGBT, SiC, and GaN power switches. UCC27624 has a typical peak drive strength of 5A, which reduces rise and fall times of the power switches, lowers switching losses, and increases efficiency. The devices fast propagation delay (17ns typical) yields better power stage efficiency by improving the deadtime optimization, pulse width utilization, control loop response, and transient performance of the system.
UCC27624 can handle –10V at its inputs, which improves robustness in systems with moderate ground bouncing. The inputs are independent of supply voltage and can be connected to most controller outputs for maximum control flexibility. An independent enable signal allows the power stage to be controlled independently of main control logic. In the event of a system fault, the gate driver can quickly shut-off by pulling enable low. Many high-frequency switching power supplies exhibit noise at the gate of the power device, which can get injected into the output pin on the gate driver and can cause the driver to malfunction. The devices transient reverse current and reverse voltage capability allow it to tolerate noise on the gate of the power device or pulse-transformer and avoid driver malfunction.
The UCC27624 also features undervoltage lockout (UVLO) for improved system robustness. When there is not enough bias voltage to fully enhance the power device, the gate driver output is held low by the strong internal pull down MOSFET.
관심 가지실만한 유사 제품
비교 대상 장치보다 업그레이드된 기능을 지원하는 드롭인 대체품
기술 자료
설계 및 개발
추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.
UCC27624DGNEVM — 듀얼 채널 30V, 5A 고속 저압측 게이트 드라이버용 UCC27624 평가 모듈
UCC27624 EVM(평가 모듈)은 30V, 5A 단일 채널 게이트 드라이버의 평가를 위해 설계되었습니다. 이 EVM은 데이터 시트 매개변수를 기준으로 드라이버 IC를 평가하는 것을 목표로 합니다. 드라이버 IC는 다양한 정전식 및 저항식 부하를 기준으로 평가할 수 있습니다. 더 높은 게이트 드라이브 출력 전류를 위해 드라이버 IC 채널을 병렬화하도록 EVM을 구성할 수 있습니다. 이 EVM에는 TO-220 풋프린트를 지원하는 전원 트랜지스터를 평가하기 위한 프로비저닝이 포함되어 있습니다.
UCC27624EVM — UCC27624 평가 모듈 듀얼 채널 30V, 5A 고속 저압측 게이트 드라이버
UCC27624 EVM(평가 모듈)은 TI의 30V, 5A 단일 채널 게이트 드라이버의 평가를 위해 설계되었습니다. 이 EVM은 데이터시트 매개변수를 기준으로 드라이버 IC를 평가하는 것을 목표로 합니다. 드라이버 IC는 다양한 정전식 및 저항식 부하를 기준으로 평가할 수 있습니다. 더 높은 게이트 드라이브 출력 전류를 위해 드라이버 IC 채널을 병렬화하도록 EVM을 구성할 수 있습니다. 이 EVM에는 TO-220 풋프린트를 지원하는 전원 트랜지스터를 평가하기 위한 프로비저닝이 포함되어 있습니다.
PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®
TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 (...)
패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
---|---|---|
HVSSOP (DGN) | 8 | Ultra Librarian |
SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.