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UCC5350-Q1

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IGBT/SiC용 밀러 클램프 또는 분할 출력을 지원하는 오토모티브, ±5A 단일 채널 절연 게이트 드라이버

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UCC5350-Q1

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제품 상세 정보

Number of channels 1 Isolation rating Basic, Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990, 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 7000 TI functional safety category Functional Safety-Capable Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Split output Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 9.5 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 15 Propagation delay time (µs) 0.065 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive, Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12
Number of channels 1 Isolation rating Basic, Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990, 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 7000 TI functional safety category Functional Safety-Capable Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Split output Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 9.5 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 15 Propagation delay time (µs) 0.065 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive, Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOIC (DWV) 8 67.275 mm² 5.85 x 11.5
  • ±5A minimum peak current drive strength
  • ±10A typical peak current drive strength
  • 3V to 15V input supply voltage
  • Up to 33V driver supply voltage
    • 8V and 12V UVLO options
  • 100V/ns minimum CMTI
  • Negative 5V handling capability on input pins
  • 100ns (maximum) propagation delay and <25ns part-to-part skew
  • 8-pin DWV (8.5mm creepage) and D (4mm creepage) packages
  • Isolation barrier life > 40 Years
  • Safety-related certifications:
    • 5000VRMS DWV and 3000VRMS D isolation rating for 1 minute per UL 1577
  • CMOS inputs
  • Operating junction temperature: –40°C to +150°C
  • ±5A minimum peak current drive strength
  • ±10A typical peak current drive strength
  • 3V to 15V input supply voltage
  • Up to 33V driver supply voltage
    • 8V and 12V UVLO options
  • 100V/ns minimum CMTI
  • Negative 5V handling capability on input pins
  • 100ns (maximum) propagation delay and <25ns part-to-part skew
  • 8-pin DWV (8.5mm creepage) and D (4mm creepage) packages
  • Isolation barrier life > 40 Years
  • Safety-related certifications:
    • 5000VRMS DWV and 3000VRMS D isolation rating for 1 minute per UL 1577
  • CMOS inputs
  • Operating junction temperature: –40°C to +150°C

The UCC5350-Q1 is a single-channel, isolated gate driver with 5A source and 5A sink minimum peak current designed to drive MOSFETs, IGBTs, and SiC MOSFETs. The UCC5350-Q1 has the option for Miller clamp or Split Outputs. The CLAMP pin is used to connect the transistor gate to an internal FET besides the output to prevent false turn-on caused by Miller current. The split outputs option allows separate control of the rise and fall times of the gate voltage with OUTH and OUTL pins.

The UCC5350-Q1 is available in a 4mm SOIC-8 (D) or 8.5mm wide body SOIC-8 (DWV) package and can support isolation voltage up to 3kVRMS and 5kVRMS, respectively. The input side is isolated from the output side with SiO2 capacitive isolation technology with longer than 40 years isolation barrier lifetime. The UCC5350-Q1 is a good fit for driving IGBTs or MOSFETs in applications such as high-voltage traction inverters and on-board chargers.

Compared to an optocoupler, the UCC5350-Q1 device has lower part-to-part skew, lower propagation delay, higher operating temperature, and higher CMTI.

The UCC5350-Q1 is a single-channel, isolated gate driver with 5A source and 5A sink minimum peak current designed to drive MOSFETs, IGBTs, and SiC MOSFETs. The UCC5350-Q1 has the option for Miller clamp or Split Outputs. The CLAMP pin is used to connect the transistor gate to an internal FET besides the output to prevent false turn-on caused by Miller current. The split outputs option allows separate control of the rise and fall times of the gate voltage with OUTH and OUTL pins.

The UCC5350-Q1 is available in a 4mm SOIC-8 (D) or 8.5mm wide body SOIC-8 (DWV) package and can support isolation voltage up to 3kVRMS and 5kVRMS, respectively. The input side is isolated from the output side with SiO2 capacitive isolation technology with longer than 40 years isolation barrier lifetime. The UCC5350-Q1 is a good fit for driving IGBTs or MOSFETs in applications such as high-voltage traction inverters and on-board chargers.

Compared to an optocoupler, the UCC5350-Q1 device has lower part-to-part skew, lower propagation delay, higher operating temperature, and higher CMTI.
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유형 직함 날짜
* Data sheet UCC5350-Q1 Single-Channel Isolated Gate Driver for SiC/IGBT and Automotive Applications datasheet (Rev. F) PDF | HTML 2024/07/18
Functional safety information UCC5390-Q1 Functional Safety, FIT Rate, Failure Mode Distribution and Pin FMA PDF | HTML 2022/03/16
Technical article Increasing power density with an integrated GaN solution PDF | HTML 2022/03/14
Application brief The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits PDF | HTML 2021/12/16

설계 및 개발

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평가 보드

UCC5320SCEVM-058 — UCC5320SC 절연 게이트 드라이버 평가 모듈

UCC5320SCEVM is an Evaluation Module used to evaluate UCC53xx family of devices and it provides user with flexiblity of configuring  driver to Split output, miller clamp or UVLO based on the device used . The EVM features enough test points & jumper options for one to evaluate the device (...)
사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매 불가
평가 보드

UCC5390ECDWVEVM — UCC5390ECDWV 10A, 10A 5kVRMS 절연 단일 채널 게이트 드라이버 평가 모듈

UCC5390ECDWVEVM is designed for evaluating the UCC53xxDWV family, which is a 5.0-kVRMS Isolated Single-Channel Gate Driver with 10-A source and 10-A sink peak current capability. This EVM could be served to evaluate the driver IC against its datsheet. The EVM can also be used as Driver IC (...)
사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매 불가
평가 보드

UCC5390SCDEVM-010 — 소형 단일 채널 3kVrms 절연 17V 게이트 드라이브 바이어스 전원 평가 모듈

The UCC5390SCDEVM-010 is a complete single channel isolated gate drive board including reconfigurable bias supply providing wide range of drive voltages. The EVM is based on a 17-A split output basic insulation UCC5390SCD Driver in SOIC-8 package. The design also includes SN6505B based bias supply (...)
사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매 불가
시뮬레이션 모델

UCC5350MCD PSpice Transient Model (Rev. A)

SLLM368A.ZIP (54 KB) - PSpice Model
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시뮬레이션 모델

UCC5350MCD Unencrypted PSpice Transient Model (Rev. A)

SLLM367A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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시뮬레이션 모델

UCC5350SBD PSpice Transient Model

SLLM379.ZIP (53 KB) - PSpice Model
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시뮬레이션 모델

UCC5350SBD Unencrypted PSpice Transient Model

SLLM378.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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계산 툴

SLURAY7 — UCC53x0 Gate Resistor and Thermal Calculator Tool

지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
절연 게이트 드라이버
UCC5310 — 밀러 클램프, 12V UVLO 및 D 또는 DWV 패키지를 지원하는 3kVrms/5kVrms, 2A/1A 단일 채널 절연 게이트 드라이버 UCC5320 — GND 또는 분할 출력으로 참조되는 UVLO를 지원하는 3K/5kVrms, 2A/2A 단일 채널 절연 게이트 드라이버 UCC5350 — 밀러 클램프 또는 분할 출력 및 8V 또는 12V UVLO를 지원하는 3kVrms, 5A/5A 단일 채널 절연 게이트 드라이버 UCC5350-Q1 — IGBT/SiC용 밀러 클램프 또는 분할 출력을 지원하는 오토모티브, ±5A 단일 채널 절연 게이트 드라이버 UCC5390 — GND 또는 분할 출력으로 참조되는 UVLO를 지원하는 3kVrms/5kVrms, ±10A 단일 채널 절연 게이트 드라이버 UCC5390-Q1 — 차량용 17A 5kv RMS 싱글 채널 절연 게이트 드라이버
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시뮬레이션 툴

PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

TI용 PSpice®는 아날로그 회로의 기능을 평가하는 데 사용되는 설계 및 시뮬레이션 환경입니다. 완전한 기능을 갖춘 이 설계 및 시뮬레이션 제품군은 Cadence®의 아날로그 분석 엔진을 사용합니다. 무료로 제공되는 TI용 PSpice에는 아날로그 및 전력 포트폴리오뿐 아니라 아날로그 행동 모델에 이르기까지 업계에서 가장 방대한 모델 라이브러리 중 하나가 포함되어 있습니다.

TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 (...)
요청
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
SOIC (DWV) 8 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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