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CD4023B-MIL

ACTIVO

Puerta NAND triple de 3 entradas CMOS

Detalles del producto

Technology family CD4000 Supply voltage (min) (V) 3 Supply voltage (max) (V) 18 IOL (max) (mA) 1.5 IOH (max) (mA) -1.5 Input type Standard CMOS Output type Push-Pull Rating Military Operating temperature range (°C) -55 to 125
Technology family CD4000 Supply voltage (min) (V) 3 Supply voltage (max) (V) 18 IOL (max) (mA) 1.5 IOH (max) (mA) -1.5 Input type Standard CMOS Output type Push-Pull Rating Military Operating temperature range (°C) -55 to 125
CDIP (J) 14 130.4652 mm² 19.56 x 6.67
  • Propagation delay time = 60 ns (typ.) at CL = 50 pF, VDD = 10 V
  • Buffered inputs and outputs
  • Standardized symmetrical output characteristics
  • Maximum input current of 1 µA at 18 V over-full package temperature range; 100 nA at 18 V and 25°C
  • 100% tested for quiescent current at 20 V
  • 5-V, 10-V, and 15-V parametric ratings
  • Noise margin (over full package temperature range:
        1 V at VDD = 5 V
        2 V at VDD = 10 V
        2.5 at VDD = 15 V
  • Meets all requirements of JEDEC Tentative Standard No. 13B, "Standard Specifications for Description of "B" Series CMOS Devices"

Quad 2 Input—CD4011B
Dual 4 Input—CD4012B
Triple 3 Input—CD4023B
Data sheet acquired from Harris Semiconductor.

  • Propagation delay time = 60 ns (typ.) at CL = 50 pF, VDD = 10 V
  • Buffered inputs and outputs
  • Standardized symmetrical output characteristics
  • Maximum input current of 1 µA at 18 V over-full package temperature range; 100 nA at 18 V and 25°C
  • 100% tested for quiescent current at 20 V
  • 5-V, 10-V, and 15-V parametric ratings
  • Noise margin (over full package temperature range:
        1 V at VDD = 5 V
        2 V at VDD = 10 V
        2.5 at VDD = 15 V
  • Meets all requirements of JEDEC Tentative Standard No. 13B, "Standard Specifications for Description of "B" Series CMOS Devices"

Quad 2 Input—CD4011B
Dual 4 Input—CD4012B
Triple 3 Input—CD4023B
Data sheet acquired from Harris Semiconductor.

CD4011B, CD4012B, and CD4023B NAND gates provide the system designer with direct implementation of the NAND function and supplement the existing family of CMOS gates. All inputs and outputs are buffered.

The CD4011B, CD4012B, and CD4023B types are supplied in 14-lead hermetic dual-in-line ceramic packages (F3A suffix), 14-lead dual-in-line plastic packages (E suffix), 14-lead small-outline packages (M, MT, M96, and NSR suffixes), and 14-lead thin shrink small-outline packages (PWR suffix). The CD4011B and CD4023B types also are supplied in 14-lead thin shrink small-outline packages (PW suffix).

CD4011B, CD4012B, and CD4023B NAND gates provide the system designer with direct implementation of the NAND function and supplement the existing family of CMOS gates. All inputs and outputs are buffered.

The CD4011B, CD4012B, and CD4023B types are supplied in 14-lead hermetic dual-in-line ceramic packages (F3A suffix), 14-lead dual-in-line plastic packages (E suffix), 14-lead small-outline packages (M, MT, M96, and NSR suffixes), and 14-lead thin shrink small-outline packages (PWR suffix). The CD4011B and CD4023B types also are supplied in 14-lead thin shrink small-outline packages (PW suffix).

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Otros dispositivos y hoja de datos

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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
* Data sheet CD4011B, CD4012B, CD4023B TYPES datasheet (Rev. D) 21 ago 2003

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Soporte y capacitación

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