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CD54ACT20

ACTIVO

Puertas NAND de grado militar de 2 canales, 4 entradas, 4,5 V a 5,5 V

Detalles del producto

Technology family ACT Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 5.5 Number of channels 2 Inputs per channel 4 IOL (max) (mA) 24 IOH (max) (mA) -24 Input type TTL-Compatible CMOS Output type Push-Pull Features Very high speed (tpd 5-10ns) Data rate (max) (Mbps) 100 Rating Military Operating temperature range (°C) -55 to 125
Technology family ACT Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 5.5 Number of channels 2 Inputs per channel 4 IOL (max) (mA) 24 IOH (max) (mA) -24 Input type TTL-Compatible CMOS Output type Push-Pull Features Very high speed (tpd 5-10ns) Data rate (max) (Mbps) 100 Rating Military Operating temperature range (°C) -55 to 125
CDIP (J) 14 130.4652 mm² 19.56 x 6.67
  • Inputs Are TTL-Voltage Compatible
  • Speed of Bipolar F, AS, and S, With Significantly Reduced Power Consumption
  • Balanced Propagation Delays
  • ±24-mA Output Drive Current
    • Fanout to 15 F Devices
  • SCR-Latchup-Resistant CMOS Process and Circuit Design
  • Exceeds 2-kV ESD Protection Per MIL-STD-883, Method 3015

  • Inputs Are TTL-Voltage Compatible
  • Speed of Bipolar F, AS, and S, With Significantly Reduced Power Consumption
  • Balanced Propagation Delays
  • ±24-mA Output Drive Current
    • Fanout to 15 F Devices
  • SCR-Latchup-Resistant CMOS Process and Circuit Design
  • Exceeds 2-kV ESD Protection Per MIL-STD-883, Method 3015

The ’ACT20 devices contain two independent 4-input NAND gates. They perform the Boolean function Y = (A • B • C • D)\ or Y = A\ + B\ + C\ + D\ in positive logic.

The ’ACT20 devices contain two independent 4-input NAND gates. They perform the Boolean function Y = (A • B • C • D)\ or Y = A\ + B\ + C\ + D\ in positive logic.

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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
* Data sheet CD54ACT20, CD74ACT20 datasheet 15 nov 2002
* SMD CD54ACT20 SMD 5962-00513 21 jun 2016
Application note Implications of Slow or Floating CMOS Inputs (Rev. E) 26 jul 2021
Selection guide Logic Guide (Rev. AB) 12 jun 2017
Application note Understanding and Interpreting Standard-Logic Data Sheets (Rev. C) 02 dic 2015
User guide LOGIC Pocket Data Book (Rev. B) 16 ene 2007
Application note Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection 08 jul 2004
Application note Selecting the Right Level Translation Solution (Rev. A) 22 jun 2004
Application note TI IBIS File Creation, Validation, and Distribution Processes 29 ago 2002
Application note CMOS Power Consumption and CPD Calculation (Rev. B) 01 jun 1997
Application note Designing With Logic (Rev. C) 01 jun 1997
Application note Using High Speed CMOS and Advanced CMOS in Systems With Multiple Vcc 01 abr 1996

Diseño y desarrollo

Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
CDIP (J) 14 Ultra Librarian

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Soporte y capacitación

Foros de TI E2E™ con asistencia técnica de los ingenieros de TI

El contenido lo proporcionan “tal como está” TI y los colaboradores de la comunidad y no constituye especificaciones de TI. Consulte los términos de uso.

Si tiene preguntas sobre la calidad, el paquete o el pedido de productos de TI, consulte el soporte de TI. ​​​​​​​​​​​​​​

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