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SN54SC4T00-SEP

ACTIVO

Puerta NAND con tolerancia a la radiación, cuatro canales, dos entradas de 1,2 V a 5,5 V con cambiad

Detalles del producto

Technology family SCxT Number of channels 4 Vout (min) (V) 1.2 Vout (max) (V) 5.5 Features Balanced outputs, Over-voltage tolerant inputs, Voltage translation Input type TTL-Compatible CMOS Output type Push-Pull Operating temperature range (°C) -55 to 125
Technology family SCxT Number of channels 4 Vout (min) (V) 1.2 Vout (max) (V) 5.5 Features Balanced outputs, Over-voltage tolerant inputs, Voltage translation Input type TTL-Compatible CMOS Output type Push-Pull Operating temperature range (°C) -55 to 125
TSSOP (PW) 14 32 mm² 5 x 6.4
  • Vendor item drawing available, VID V62/23627-01XE
  • Total ionizing dose characterized at 30 krad (Si)
    • Total ionizing dose radiation lot acceptance testing (TID RLAT) for every wafer lot to 30 krad (Si)
  • Single-event effects (SEE) characterized:
    • Single event latch-up (SEL) immune to linear energy transfer (LET) = 43 MeV-cm2 /mg
    • Single event transient (SET) characterized to 43 MeV-cm2 /mg
  • Wide operating range of 1.2 V to 5.5 V
  • Single-supply translating gates at 5/3.3/2.5/1.8/1.2 V V CC
    • TTL compatible inputs:
      • Up translation:
        • 1.8-V – Inputs from 1.2 V
        • 2.5-V – Inputs from 1.8 V
        • 3.3-V – Inputs from 1.8 V, 2.5 V
        • 5.0-V – Inputs from 2.5 V, 3.3 V
      • Down translation:
        • 1.2-V – Inputs from 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5.0 V

        • 1.8-V – Inputs from 2.5 V, 3.3 V, 5.0 V
        • 2.5-V – Inputs from 3.3 V, 5.0 V
        • 3.3-V – Inputs from 5.0 V
  • 5.5 V tolerant input pins
  • Output drive up to 25 mA AT 5-V
  • Latch-up performance exceeds 250 mA per JESD 17
  • Space enhanced plastic (SEP)
    • Controlled baseline
    • Gold bondwire
    • NiPdAu lead finish
    • One assembly and test site
    • One fabrication site
    • Military (–55°C to 125°C) temperature range
    • Extended product life cycle
    • Product traceability
    • Meets NASAs ASTM E595 outgassing specification
  • Vendor item drawing available, VID V62/23627-01XE
  • Total ionizing dose characterized at 30 krad (Si)
    • Total ionizing dose radiation lot acceptance testing (TID RLAT) for every wafer lot to 30 krad (Si)
  • Single-event effects (SEE) characterized:
    • Single event latch-up (SEL) immune to linear energy transfer (LET) = 43 MeV-cm2 /mg
    • Single event transient (SET) characterized to 43 MeV-cm2 /mg
  • Wide operating range of 1.2 V to 5.5 V
  • Single-supply translating gates at 5/3.3/2.5/1.8/1.2 V V CC
    • TTL compatible inputs:
      • Up translation:
        • 1.8-V – Inputs from 1.2 V
        • 2.5-V – Inputs from 1.8 V
        • 3.3-V – Inputs from 1.8 V, 2.5 V
        • 5.0-V – Inputs from 2.5 V, 3.3 V
      • Down translation:
        • 1.2-V – Inputs from 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5.0 V

        • 1.8-V – Inputs from 2.5 V, 3.3 V, 5.0 V
        • 2.5-V – Inputs from 3.3 V, 5.0 V
        • 3.3-V – Inputs from 5.0 V
  • 5.5 V tolerant input pins
  • Output drive up to 25 mA AT 5-V
  • Latch-up performance exceeds 250 mA per JESD 17
  • Space enhanced plastic (SEP)
    • Controlled baseline
    • Gold bondwire
    • NiPdAu lead finish
    • One assembly and test site
    • One fabrication site
    • Military (–55°C to 125°C) temperature range
    • Extended product life cycle
    • Product traceability
    • Meets NASAs ASTM E595 outgassing specification

The SN54SC4T00-SEP contains four independent 2-input NAND Gates with Schmitt-trigger inputs. Each gate performs the Boolean function Y = A ● B in positive logic. The output level is referenced to the supply voltage (V CC) and supports 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, and 5-V CMOS levels.

The input is designed with a lower threshold circuit to support up translation for lower voltage CMOS inputs (for example 1.2 V input to 1.8 V output or 1.8 V input to 3.3 V output). Additionally, the 5-V tolerant input pins enable down translation (for example 3.3 V to 2.5 V output).

The SN54SC4T00-SEP contains four independent 2-input NAND Gates with Schmitt-trigger inputs. Each gate performs the Boolean function Y = A ● B in positive logic. The output level is referenced to the supply voltage (V CC) and supports 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, and 5-V CMOS levels.

The input is designed with a lower threshold circuit to support up translation for lower voltage CMOS inputs (for example 1.2 V input to 1.8 V output or 1.8 V input to 3.3 V output). Additionally, the 5-V tolerant input pins enable down translation (for example 3.3 V to 2.5 V output).

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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
* Data sheet SN54SC4T00-SEPRadiation Tolerant, Quadruple 2-Input Positive-NAND Gates With Integrated Translation datasheet PDF | HTML 15 nov 2023
* Radiation & reliability report SN54SC4T00-SEP Total Ionizing Dose (TID) Report PDF | HTML 19 dic 2023
* Radiation & reliability report SN54SC4T125-SEP Single Event Effects Report PDF | HTML 05 dic 2023
* Radiation & reliability report SN54SC4T00-SEP Production Flow and Reliability Report PDF | HTML 09 nov 2023
Application brief TI Space Enhanced Plastic Logic Overview and Applications in Low-Earth Orbit Satellite Platforms PDF | HTML 10 sep 2024

Diseño y desarrollo

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Placa de evaluación

14-24-LOGIC-EVM — Módulo de evaluación genérico de productos lógicos para encapsulados D, DB, DGV, DW, DYY, NS y PW de

El módulo de evaluación 14-24-LOGIC-EVM (EVM) está diseñado para admitir cualquier dispositivo lógico que esté en un encapsulado D, DW, DB, NS, PW, DYY o DGV de 14 a 24 pines.

Guía del usuario: PDF | HTML
Placa de evaluación

14-24-NL-LOGIC-EVM — Módulo de evaluación genérico de productos lógicos para encapsulados sin conductores de 14 a 24 pine

14-24-NL-LOGIC-EVM es un módulo de evaluación (EVM) flexible diseñado para admitir cualquier dispositivo lógico o de traducción que tenga un encapsulado BQA, BQB, RGY, RSV, RJW o RHL de 14 a 24 pines.

Guía del usuario: PDF | HTML
Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
TSSOP (PW) 14 Ultra Librarian

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Soporte y capacitación

Foros de TI E2E™ con asistencia técnica de los ingenieros de TI

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