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SN74AUP1G00

ACTIVO

Puerta NAND única de baja potencia, de 1 entrada, de 0.8 V a 3.6 V

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SN74AUP1G00

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Detalles del producto

Technology family AUP Supply voltage (min) (V) 0.8 Supply voltage (max) (V) 3.6 Number of channels 1 Inputs per channel 1 IOL (max) (mA) 4 IOH (max) (mA) -4 Input type Standard CMOS Output type Push-Pull Features Over-voltage tolerant inputs, Partial power down (Ioff), Very high speed (tpd 5-10ns) Data rate (max) (Mbps) 100 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Technology family AUP Supply voltage (min) (V) 0.8 Supply voltage (max) (V) 3.6 Number of channels 1 Inputs per channel 1 IOL (max) (mA) 4 IOH (max) (mA) -4 Input type Standard CMOS Output type Push-Pull Features Over-voltage tolerant inputs, Partial power down (Ioff), Very high speed (tpd 5-10ns) Data rate (max) (Mbps) 100 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
DSBGA (YFP) 6 1.4000000000000001 mm² 1 x 1.4000000000000001 SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm² 2.9 x 2.8 SOT-5X3 (DRL) 5 2.56 mm² 1.6 x 1.6 SOT-SC70 (DCK) 5 4.2 mm² 2 x 2.1 USON (DRY) 6 1.45 mm² 1.45 x 1 X2SON (DPW) 5 0.64 mm² 0.8 x 0.8 X2SON (DSF) 6 1 mm² 1 x 1
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model (A114-B, Class II)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Available in the Ultra Small 0.64 mm2 Package (DPW) with 0.5-mm Pitch
  • Low Static-Power Consumption (ICC = 0.9 µA Max)
  • Low Dynamic-Power Consumption (Cpd = 4 pF Typical at 3.3 V)
  • Low Input Capacitance (Ci = 1.5 pF Typical)
  • Low Noise Overshoot and Undershoot <10% of VCC
  • Ioff Supports Live Insertion, Partial-Power-Down Mode, and Back-Drive Protection
  • Input Hysteresis Allows Slow Input Transition and Better Switching Noise Immunity at Input (Vhys = 250 mV Typical at 3.3 V)
  • Wide Operating VCC Range of 0.8 V to 3.6 V
  • Optimized for 3.3-V Operation
  • 3.6-V I/O Tolerant to Support Mixed-Mode Signal Operation
  • tpd = 4.8 ns Maximum at 3.3 V
  • Suitable for Point-to-Point Applications
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model (A114-B, Class II)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Available in the Ultra Small 0.64 mm2 Package (DPW) with 0.5-mm Pitch
  • Low Static-Power Consumption (ICC = 0.9 µA Max)
  • Low Dynamic-Power Consumption (Cpd = 4 pF Typical at 3.3 V)
  • Low Input Capacitance (Ci = 1.5 pF Typical)
  • Low Noise Overshoot and Undershoot <10% of VCC
  • Ioff Supports Live Insertion, Partial-Power-Down Mode, and Back-Drive Protection
  • Input Hysteresis Allows Slow Input Transition and Better Switching Noise Immunity at Input (Vhys = 250 mV Typical at 3.3 V)
  • Wide Operating VCC Range of 0.8 V to 3.6 V
  • Optimized for 3.3-V Operation
  • 3.6-V I/O Tolerant to Support Mixed-Mode Signal Operation
  • tpd = 4.8 ns Maximum at 3.3 V
  • Suitable for Point-to-Point Applications
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II

This single 2-input positive-NAND gate performs the Boolean function Y = A × B or Y = A + B in positive logic.

This single 2-input positive-NAND gate performs the Boolean function Y = A × B or Y = A + B in positive logic.
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Documentación técnica

star =Principal documentación para este producto seleccionada por TI
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Tipo Título Fecha
* Data sheet SN74AUP1G00 Low-Power Single 2-Input Positive-NAND Gate datasheet (Rev. J) PDF | HTML 07 dic 2016
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Diseño y desarrollo

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Modelo de simulación

SN74AUP1G00 Behavioral SPICE Model

SCEM695.ZIP (7 KB) - PSpice Model
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Modelo de simulación

SN74AUP1G00 IBIS Model (Rev. A)

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The design uses a contactless (...)

Design guide: PDF
Esquema: PDF
Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
DSBGA (YFP) 6 Ultra Librarian
SOT-23 (DBV) 5 Ultra Librarian
SOT-5X3 (DRL) 5 Ultra Librarian
SOT-SC70 (DCK) 5 Ultra Librarian
USON (DRY) 6 Ultra Librarian
X2SON (DPW) 5 Ultra Librarian
X2SON (DSF) 6 Ultra Librarian
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Soporte y capacitación

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