Inicio Gestión de la energía Reguladores lineales y de baja salida (LDO)

TPS737

ACTIVO

Regulador de tensión de caída ultrabaja de 1 A con protección de corriente inversa y activación

Detalles del producto

Output options Adjustable Output, Fixed Output Iout (max) (A) 1 Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 2.2 Vout (max) (V) 5.4 Vout (min) (V) 1.2 Fixed output options (V) 1.8, 2.5, 3, 3.3, 3.4, 5.4 Rating Catalog Noise (µVrms) 48 PSRR at 100 KHz (dB) 33 Iq (typ) (mA) 0.4 Thermal resistance θJA (°C/W) 47.7, 50 Load capacitance (min) (µF) 1 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Foldback Overcurrent protection, Reverse Current Protection Accuracy (%) 3 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 130 Operating temperature range (°C) -40 to 125
Output options Adjustable Output, Fixed Output Iout (max) (A) 1 Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 2.2 Vout (max) (V) 5.4 Vout (min) (V) 1.2 Fixed output options (V) 1.8, 2.5, 3, 3.3, 3.4, 5.4 Rating Catalog Noise (µVrms) 48 PSRR at 100 KHz (dB) 33 Iq (typ) (mA) 0.4 Thermal resistance θJA (°C/W) 47.7, 50 Load capacitance (min) (µF) 1 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Foldback Overcurrent protection, Reverse Current Protection Accuracy (%) 3 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 130 Operating temperature range (°C) -40 to 125
SOT-223 (DCQ) 6 45.89 mm² 6.5 x 7.06 VSON (DRB) 8 9 mm² 3 x 3 WSON (DRV) 6 4 mm² 2 x 2
  • Stable with 1µF or larger ceramic output capacitor
  • Input voltage range: 2.2V to 5.5V
  • Ultra-low dropout voltage
    • Legacy silicon: 130mV typical at 1A
    • New silicon: 122mV typical at 1A
  • Excellent load transient response—even with only 1µF output capacitor
  • NMOS topology delivers low reverse leakage current
  • Initial accuracy: 1%
  • Overall accuracy over line, load, and temperature
    • Legacy silicon: 3%
    • New silicon: 1.5%
  • Less than 20nA typical IQ in shutdown mode
  • Thermal shutdown and current limit for fault protection
  • Available in multiple output voltage versions:
    • Adjustable output: 1.20V to 5.5V
    • Custom outputs available using factory package-level programming
  • Stable with 1µF or larger ceramic output capacitor
  • Input voltage range: 2.2V to 5.5V
  • Ultra-low dropout voltage
    • Legacy silicon: 130mV typical at 1A
    • New silicon: 122mV typical at 1A
  • Excellent load transient response—even with only 1µF output capacitor
  • NMOS topology delivers low reverse leakage current
  • Initial accuracy: 1%
  • Overall accuracy over line, load, and temperature
    • Legacy silicon: 3%
    • New silicon: 1.5%
  • Less than 20nA typical IQ in shutdown mode
  • Thermal shutdown and current limit for fault protection
  • Available in multiple output voltage versions:
    • Adjustable output: 1.20V to 5.5V
    • Custom outputs available using factory package-level programming

The TPS737 linear low-dropout (LDO) voltage regulator uses an NMOS pass transistor in a voltage-follower configuration. This topology is relatively insensitive to the output capacitor value and ESR, allowing for a wide variety of load configurations. Load transient response is excellent, even with a small 1µF ceramic output capacitor. The NMOS topology also allows for very low dropout.

The TPS737 uses an advanced BiCMOS process to yield high precision while delivering very low dropout voltages and low ground pin current. Devices that use the latest manufacturing flow have an updated design with new silicon on the latest TI process technology. Current consumption, when not enabled, is less than 20nA and is designed for portable applications. This device is protected by thermal shutdown and foldback current limit.

For applications that require higher output voltage accuracy, consider TI’s TPS7A37 1% overall accuracy, 1A low-dropout voltage regulator.

The TPS737 linear low-dropout (LDO) voltage regulator uses an NMOS pass transistor in a voltage-follower configuration. This topology is relatively insensitive to the output capacitor value and ESR, allowing for a wide variety of load configurations. Load transient response is excellent, even with a small 1µF ceramic output capacitor. The NMOS topology also allows for very low dropout.

The TPS737 uses an advanced BiCMOS process to yield high precision while delivering very low dropout voltages and low ground pin current. Devices that use the latest manufacturing flow have an updated design with new silicon on the latest TI process technology. Current consumption, when not enabled, is less than 20nA and is designed for portable applications. This device is protected by thermal shutdown and foldback current limit.

For applications that require higher output voltage accuracy, consider TI’s TPS7A37 1% overall accuracy, 1A low-dropout voltage regulator.

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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
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Diseño y desarrollo

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SBVM308.ZIP (22 KB) - PSpice Model
Archivo Gerber

TPS73701DRVEVM-529 Gerber Files

SLVC482.ZIP (754 KB)

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Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
SOT-223 (DCQ) 6 Ultra Librarian
VSON (DRB) 8 Ultra Librarian
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Pedidos y calidad

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  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
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