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LM5050-2

アクティブ

6V ~ 75V、400μA の静止電流 (IQ)、ORing FETコントローラ

製品詳細

Vin (min) (V) 6 Vin (max) (V) 75 Number of channels 1 Features FET test, Linear control, Reverse current blocking Iq (typ) (mA) 0.4 Iq (max) (mA) 0.72 FET External single FET IGate source (typ) (µA) 32 IGate source (max) (µA) 45 IGate sink (typ) (mA) 2.8 IGate pulsed (typ) (A) 2.8 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -41, -28 Design support EVM, Reference Design, Simulation Model Rating Catalog Imax (A) 250 VGS (max) (V) 14.7 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.1 Device type ORing controller Product type ORing controller
Vin (min) (V) 6 Vin (max) (V) 75 Number of channels 1 Features FET test, Linear control, Reverse current blocking Iq (typ) (mA) 0.4 Iq (max) (mA) 0.72 FET External single FET IGate source (typ) (µA) 32 IGate source (max) (µA) 45 IGate sink (typ) (mA) 2.8 IGate pulsed (typ) (A) 2.8 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -41, -28 Design support EVM, Reference Design, Simulation Model Rating Catalog Imax (A) 250 VGS (max) (V) 14.7 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.1 Device type ORing controller Product type ORing controller
SOT-23-THN (DDC) 6 8.12 mm² 2.9 x 2.8
  • Wide Operating Input Voltage Range: +6V to +75V
  • +100 Volt Transient Capability
  • Charge Pump Gate Driver for External N-Channel MOSFET
  • MOSFET Diagnostic Test Mode
  • Fast 50ns Response to Current Reversal
  • 2A Peak Gate Turn-off Current
  • Minimum VDS Clamp for Faster Turn-off
  • Package: SOT-6 (Thin SOT23-6)

All trademarks are the property of their respective owners.

  • Wide Operating Input Voltage Range: +6V to +75V
  • +100 Volt Transient Capability
  • Charge Pump Gate Driver for External N-Channel MOSFET
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  • Package: SOT-6 (Thin SOT23-6)

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The LM5050-2 High Side OR-ing FET Controller operates in conjunction with an external MOSFET as an ideal diode rectifier when connected in series with a power source. This OR-ing controller allows MOSFETs to replace diode rectifiers in power distribution networks thus reducing both power loss and voltage drops.

The LM5050-2 controller provides charge pump gate drive for an external N-Channel MOSFET and a fast response comparator to turn off the FET when current flows in the reverse direction. The LM5050-2 can connect power supplies ranging from +6V to +75V and can withstand transients up to +100V.

The LM5050-2 also provides a FET test diagnostic mode which allows the system controller to test for shorted MOSFETs.

The LM5050-2 High Side OR-ing FET Controller operates in conjunction with an external MOSFET as an ideal diode rectifier when connected in series with a power source. This OR-ing controller allows MOSFETs to replace diode rectifiers in power distribution networks thus reducing both power loss and voltage drops.

The LM5050-2 controller provides charge pump gate drive for an external N-Channel MOSFET and a fast response comparator to turn off the FET when current flows in the reverse direction. The LM5050-2 can connect power supplies ranging from +6V to +75V and can withstand transients up to +100V.

The LM5050-2 also provides a FET test diagnostic mode which allows the system controller to test for shorted MOSFETs.

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技術資料

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5 をすべて表示
種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート LM5050-2 High Side OR-ing FET Controller データシート (Rev. B) 2013年 3月 8日
アプリケーション・ノート Basics of Ideal Diodes (Rev. B) PDF | HTML 2021年 10月 5日
e-Book(PDF) 11 Ways to Protect Your Power Path(英語) 英語版 2020年 10月 30日
セレクション・ガイド 電源 IC セレクション・ガイド 2018 (Rev. R 翻訳版) 英語版 (Rev.R) 2018年 9月 13日
ユーザー・ガイド AN-2051 LM5050-2EVAL Evaluation Board (Rev. A) 2013年 5月 6日

設計および開発

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評価ボード

LM5050MK-2EVAL — LM5050-2 評価ボード

The LM5050-2 evaluation board is designed to demonstrate the capabilities of the LM5050-2 OR-ing Diode Controller. It is intended for evaluation of the functions of the LM5050-2.
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パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOT-23-THN (DDC) 6 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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