LMG3522R030-Q1

Name: LMG3522R030-Q1
Brand: TI
SKU: LMG3522R030-Q1
Price: 11.76 USD

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車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET

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製品詳細

VDS (max) (V)

650

RDS(on) (mΩ)

30

ID (max) (A)

55

Features

Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled

Rating

Automotive

Operating temperature range (°C)

-40 to 150

VDS (max) (V)

650

RDS(on) (mΩ)

30

ID (max) (A)

55

Features

Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled

Rating

Automotive

Operating temperature range (°C)

-40 to 150

車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認証済み
- 温度グレード 1：-40℃～+125℃、TA
- 接合部温度：–40℃～+150℃、TJ
ゲートドライバ内蔵の 650 V GaN オン Si FET
- 高精度のゲートバイアス電圧を内蔵
- FET ホールドオフ：200V/ns
- 2MHz のスイッチング周波数
- 20V/ns～150V/ns のスルーレートによるスイッチング性能の最適化と EMI の軽減
- 7.5V～18V 電源で動作
堅牢な保護
- サイクル単位の過電流保護と応答時間 <100ns のラッチ付き短絡保護
- ハードスイッチング中のサージ耐性：720V
- 内部過熱および UVLO 監視機能による自己保護
高度なパワーマネージメント
- デジタル温度 PWM 出力
上面から放熱する 12mm × 12mm の VQFN パッケージにより、電気的経路と熱的経路を分離することで電力ループのインダクタンスを最小化

車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認証済み
- 温度グレード 1：-40℃～+125℃、TA
- 接合部温度：–40℃～+150℃、TJ
ゲートドライバ内蔵の 650 V GaN オン Si FET
- 高精度のゲートバイアス電圧を内蔵
- FET ホールドオフ：200V/ns
- 2MHz のスイッチング周波数
- 20V/ns～150V/ns のスルーレートによるスイッチング性能の最適化と EMI の軽減
- 7.5V～18V 電源で動作
堅牢な保護
- サイクル単位の過電流保護と応答時間 <100ns のラッチ付き短絡保護
- ハードスイッチング中のサージ耐性：720V
- 内部過熱および UVLO 監視機能による自己保護
高度なパワーマネージメント
- デジタル温度 PWM 出力
上面から放熱する 12mm × 12mm の VQFN パッケージにより、電気的経路と熱的経路を分離することで電力ループのインダクタンスを最小化

ドライバと保護機能を内蔵した LMG3522R030-Q1 GaN FET は、スイッチモードパワーコンバータを対象としています。このデバイスを使うと、設計者は比類ない電力密度と効率を実現できます。

LMG3522R030-Q1 は、最大 150V/ns のスイッチング速度を実現できるシリコンドライバを内蔵しています。テキサス・インスツルメンツの統合型高精度ゲートバイアスは、ディスクリートシリコンゲートドライバと比較して、より広いスイッチング SOA をもたらします。この統合とテキサス・インスツルメンツの低インダクタンスパッケージの組み合わせにより、ハードスイッチング電源トポロジでもノイズの少ないスイッチングとリンギングの最小化を実現できます。調整可能なゲートドライブ強度により、20V/ns～150V/ns のスルーレートの制御が可能で、EMI のアクティブ制御とスイッチング性能の最適化に使用できます。

先進的な電源管理機能として、デジタル温度レポート、フォルト検出を備えています。GaN FET の温度は可変デューティサイクル PWM 出力により通知されるため、デバイスの負荷の管理が簡単になります。報告されるフォルトには、過熱、過電流、UVLO の監視があります。

ドライバと保護機能を内蔵した LMG3522R030-Q1 GaN FET は、スイッチモードパワーコンバータを対象としています。このデバイスを使うと、設計者は比類ない電力密度と効率を実現できます。

LMG3522R030-Q1 は、最大 150V/ns のスイッチング速度を実現できるシリコンドライバを内蔵しています。テキサス・インスツルメンツの統合型高精度ゲートバイアスは、ディスクリートシリコンゲートドライバと比較して、より広いスイッチング SOA をもたらします。この統合とテキサス・インスツルメンツの低インダクタンスパッケージの組み合わせにより、ハードスイッチング電源トポロジでもノイズの少ないスイッチングとリンギングの最小化を実現できます。調整可能なゲートドライブ強度により、20V/ns～150V/ns のスルーレートの制御が可能で、EMI のアクティブ制御とスイッチング性能の最適化に使用できます。

先進的な電源管理機能として、デジタル温度レポート、フォルト検出を備えています。GaN FET の温度は可変デューティサイクル PWM 出力により通知されるため、デバイスの負荷の管理が簡単になります。報告されるフォルトには、過熱、過電流、UVLO の監視があります。

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代替品と比較

比較対象デバイスと同等の機能で、ピン互換製品

LMG3522R030

アクティブ

ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET Catalog version with top-side cooling

比較対象デバイスと同等の機能で、ピン配置が異なる製品

LMG3422R030

アクティブ

ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET Industrial grade version with bottom-side cooling

技術資料

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設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

LMG342X-BB-EVM — LMG342x 評価基板

LMG342X-BB-EVM は、LMG3422EVM-043 などの LMG342xR0x0 ハーフブリッジボードを非同期整流降圧コンバータとして構成するための使いやすいブレイクアウト (外部取り出し) ボードです。この評価基板 (EVM) は、電力段、バイアス電源、ロジック回路を搭載しており、GaN (窒化ガリウム) デバイスのスイッチング測定を迅速に実行できます。この評価基板は適切な熱管理 (強制空冷、低周波動作など) を行うと、最大動作温度を超過せず、最大 12A の出力電流を供給できます。この評価基板は開ループボードなので、過渡測定に適していません。

(...)

ユーザーガイド: PDF | HTML

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$199.00 (USD)

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ドーター・カード

LMG3522EVM-042 — LMG3522R030-Q1 車載対応、ドライバ内蔵、650V 30mΩ GaN FET ドーターカード

LMG3522EVM-042 は、2 個の LMG3522R030 GaN FET によるハーフブリッジ構成に、サイクルごとの過電流保護機能とラッチ付き短絡保護機能を実装し、必要な補助ペリフェラル回路をすべて組み合わせています。この評価基板 (EVM) は、より大規模なシステムとの組み合わせで動作する設計を採用しています。

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シミュレーション・モデル

LMG3422R0x0 LMG3425R0x0 LMG3522R030 and LMG3522R030-Q1 PLECS Simulation Model

SNOM768.ZIP (340 KB) - PLECS model

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シミュレーション・モデル

LMG3522R030 PSpice Model

SNOM770.ZIP (644 KB) - PSpice Model

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計算ツール

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter

サポート対象の製品とハードウェア

製品

窒化ガリウム (GaN) 電力段

LMG2100R026 — 100V、2.6mΩ、ハーフブリッジ GaN (窒化ガリウム) 電力段

LMG2100R044 — ドライバと保護機能内蔵、100V、4.4mΩ、ハーフブリッジ GaN FET

LMG2610 — ドライバと保護機能と電流センス機能を内蔵、ACF (アクティブクランプフォワード) 向け、650V 170/248mΩ GaNハーフブリッジ

LMG2640 — ドライバと保護機能と電流センシング機能内蔵、650V、105mΩ、GaN ハーフブリッジ

LMG2650 — ドライバと保護機能と電流センシング機能内蔵、650V、95mΩ、GaN ハーフブリッジ

LMG2652 — ドライバと保護機能と電流センス機能内蔵、650V、140mΩ、GaN ハーフブリッジ

LMG2656 — ドライバと保護機能と電流センス機能内蔵、650V、230mΩ、GaN ハーフブリッジ

LMG3410R050 — ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN

LMG3410R070 — ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN

LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN

LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN

LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN

LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN

LMG3422R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET

LMG3422R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET

LMG3425R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオードモードを搭載、600V、30mΩ の GaN FET

LMG3425R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオードモードを搭載、600V、50mΩ の GaN FET

LMG3426R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、30mΩ の GaN FET

LMG3426R050 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、50mΩ の GaN FET

LMG3427R030 — ドライバと保護機能とゼロ電流検出機能内蔵、600V、30mΩ の GaN FET

LMG3427R050 — ドライバと保護機能とゼロ電流検出機能内蔵、600V、50mΩ の GaN FET

LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET

LMG3522R030-Q1 — 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET

LMG3522R050 — ドライバと保護機能と温度報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET

LMG3526R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET

LMG3526R050 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET

LMG3527R030 — ドライバと保護機能とゼロ電流検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET

LMG5200 — 80V GaN ハーフ・ブリッジ出力段

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計算ツール

SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

サポート対象の製品とハードウェア

製品

窒化ガリウム (GaN) 電力段

LMG3410R050 — ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN

LMG3410R070 — ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN

LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN

LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN

LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN

LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN

LMG3422R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET

LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET

LMG3522R030-Q1 — 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET

LMG3526R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET

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計算ツール

SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

サポート対象の製品とハードウェア

製品

窒化ガリウム (GaN) 電力段

LMG3410R050 — ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN

LMG3410R070 — ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN

LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN

LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN

LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN

LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN

LMG3422R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET

LMG3422R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET

LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET

LMG3522R030-Q1 — 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET

LMG3526R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET

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リファレンス・デザイン

PMP22650 — GaN ベース、6.6kW、双方向オンボードチャージャのリファレンスデザイン

PMP22650 リファレンスデザインは、6.6kW の双方向オンボードチャージャを提示します。このデザインは、同期整流機能付きの 2 相トーテムポール PFC とフルブリッジ CLLLC コンバータを搭載しています。CLLLC は周波数変調と位相変調の両方を活用し、必須のレギュレーション範囲全体で出力のレギュレーションを実施します。このデザインは TMS320F28388D マイコンの内部にある単一のプロセッシングコアを使用して、PFC と CLLLC の両方を制御します。同期整流機能は、同じマイクロコントローラに Rogowski (...)

試験報告書: PDF

回路図: PDF

リファレンス・デザイン

TIDM-02013 — C2000™ マイコン使用、CCM トーテムポール PFC と CLLLC DC/DC を搭載、7.4kW オンボードチャージャのリファレンスデザイン

TIDM-02013 は双方向オンボードチャージャのリファレンスデザインです。このデザインは、インターリーブ連続導通モード (CCM) トーテムポール (TTPL) ブリッジレス力率補正 (PFC) 電力段と、その後段にある CLLLC DC/DC 電力段で構成されています。これらはいずれも、単一の C2000™ リアルタイム制御マイクロコントローラ (MCU) を使用して制御するほか、TI の GaN (窒化ガリウム) パワーモジュールを活用しています。

この電源トポロジは、双方向の電源フロー (PFC とグリッド接続型インバータ) に対応する能力があるほか、GaN (...)

設計ガイド: PDF

リファレンス・デザイン

TIDA-010236 — 家電製品向け 4kW GaN トーテムポール PFC のリファレンスデザイン

このリファレンスデザインは、窒化ガリウム（GaN）のトップ冷却型ドーターボードと TMS320F280025C デジタルコントローラを搭載した、4kW 連続伝導モード（CCM）のトーテムポール型力率改善（PFC）です。LMG352x と C2000 の統合型保護機能に加えて、包括的な保護機能が実装されています。AC 電圧降下、サージ、伝導型電磁波 (conducted emission：CE) に関する包括的な検証を実施済みであり、C2000 と GaN 採用、優れたコスト効率、高い電力効率、高信頼性のトーテムポール PFC 設計を実現しています。

設計ガイド: PDF

TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

	種類	タイトル		最新の英語版をダウンロード		日付
*	データシート	LMG3522R030-Q1 650 V 30 mΩ GaN FET、ドライバと保護機能および温度レポート機能内蔵データシート (Rev. D 翻訳版)	PDF \| HTML	英語版 (Rev.D)	PDF \| HTML	2024年 3月 6日
	技術記事	How isolated bias transformer parasitic capacitance impacts EMI performance	PDF \| HTML			2025年 9月 22日
	技術記事	Managing thermals: 3 ways to break through power-density barriers	PDF \| HTML			2022年 10月 16日
	技術記事	Is GaN reliable, or is that the right question?	PDF \| HTML			2022年 4月 21日
	技術記事	Increasing power density with an integrated GaN solution	PDF \| HTML			2022年 3月 14日
	その他の技術資料	AEC-Q100 GaN: Future for on-board charging and high-voltage DC/DC				2021年 12月 15日
	その他の技術資料	Optimizing GaN-Based High-Voltage, High-Power Designs	PDF \| HTML			2021年 12月 7日
	その他の技術資料	Optimizing GaN-based high-voltage, high-power designs PPT				2021年 12月 2日
	ホワイト・ペーパー	Achieving GaN Products With Lifetime Reliability	PDF \| HTML			2021年 6月 2日
	ホワイト・ペーパー	Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETK				2021年 3月 18日
	ホワイト・ペーパー	Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETN				2021年 3月 18日
	アプリケーション・ノート	Thermal Design and Performance of Top-Side Cooled QFN 12x12 Package				2021年 3月 5日
	EVM ユーザーガイド (英語)	LMG352XEVM-04X EVM User's Guide (Rev. A)				2021年 2月 3日
	ホワイト・ペーパー	Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETs				2021年 1月 5日
	技術記事	Automotive GaN FETs engineered for high frequency and robustness in HEV/EVs	PDF \| HTML			2020年 11月 30日
	Analog Design Journal	Wide-bandgap semiconductors: Performance and benefits of GaN versus SiC				2020年 9月 22日

LMG3522R030-Q1

車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET

LMG3522R030-Q1

製品詳細

お客様が関心を持ちそうな類似品

比較対象デバイスと同等の機能で、ピン互換製品

比較対象デバイスと同等の機能で、ピン配置が異なる製品

技術資料

設計および開発

LMG342X-BB-EVM — LMG342x 評価基板

LMG3522EVM-042 — LMG3522R030-Q1 車載対応、ドライバ内蔵、650V 30mΩ GaN FET ドーター カード

購入と品質

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

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SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

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LMG3522EVM-042 — LMG3522R030-Q1 車載対応、ドライバ内蔵、650V 30mΩ GaN FET ドーターカード

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