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UCC21750

활성

IGBT/SiCFET용 DESAT 및 내부 밀러 클램프를 지원하는 5.7kVrms ±10A, 단일 채널 절연 게이트 드라이버

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제품 상세 정보

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000, 8400 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000, 8400 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 5.7-kVRMS single channel isolated gate driver
  • SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121Vpk
  • 33-V maximum output drive voltage (VDD – VEE)
  • ±10-A drive strength and split output
  • 150-V/ns minimum CMTI
  • 200-ns response time fast DESAT protection
  • 4-A Internal active miller clamp
  • 400-mA soft turn-off when fault happens
  • Isolated analog sensor with PWM output for
    • Temperature sensing with NTC, PTC or thermal diode
    • High voltage DC-link or phase voltage
  • Alarm FLT on overcurrent and reset from RST/EN
  • Fast enable and disable response on RST/EN
  • Reject < 40-ns noise transient and pulse on input pins
  • 12-V VDD UVLO with power good on RDY
  • Inputs/outputs with over/under-shoot transient voltage immunity up to 5 V
  • 130-ns (maximum) propagation delay and 30-ns (maximum) pulse/part skew
  • SOIC-16 DW package with creepage and clearance distance > 8 mm
  • Operating junction temperature –40°C to 150°C
  • Safety-related certifications:
    • Reinforced insulation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 component recognition program
  • 5.7-kVRMS single channel isolated gate driver
  • SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121Vpk
  • 33-V maximum output drive voltage (VDD – VEE)
  • ±10-A drive strength and split output
  • 150-V/ns minimum CMTI
  • 200-ns response time fast DESAT protection
  • 4-A Internal active miller clamp
  • 400-mA soft turn-off when fault happens
  • Isolated analog sensor with PWM output for
    • Temperature sensing with NTC, PTC or thermal diode
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  • Fast enable and disable response on RST/EN
  • Reject < 40-ns noise transient and pulse on input pins
  • 12-V VDD UVLO with power good on RDY
  • Inputs/outputs with over/under-shoot transient voltage immunity up to 5 V
  • 130-ns (maximum) propagation delay and 30-ns (maximum) pulse/part skew
  • SOIC-16 DW package with creepage and clearance distance > 8 mm
  • Operating junction temperature –40°C to 150°C
  • Safety-related certifications:
    • Reinforced insulation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 component recognition program

The UCC21750 is a galvanic isolated single channel gate driver designed for SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121-V DC operating voltage with advanced protection features, best-in-class dynamic performance and robustness. The UCC21750 has up to ±10-A peak source and sink current.

The input side is isolated from the output side with SiO2 capacitive isolation technology, supporting up to 1.5-kVRMS working voltage, 12.8-kVPK surge immunity with longer than 40 years Isolation barrier life, as well as providing low part-to-part skew , and > 150-V/ns common mode noise immunity (CMTI).

The UCC21750 includes the state-of-art protection features, such as fast overcurrent and short circuit detection, shunt current sensing support, fault reporting, active miller clamp, and input and output side power supply UVLO to optimize SiC and IGBT switching behavior and robustness. The isolated analog to PWM sensor can be used for easier temperature or voltage sensing, further increasing the drivers’ versatility and simplifying the system design effort, size, and cost.

The UCC21750 is a galvanic isolated single channel gate driver designed for SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121-V DC operating voltage with advanced protection features, best-in-class dynamic performance and robustness. The UCC21750 has up to ±10-A peak source and sink current.

The input side is isolated from the output side with SiO2 capacitive isolation technology, supporting up to 1.5-kVRMS working voltage, 12.8-kVPK surge immunity with longer than 40 years Isolation barrier life, as well as providing low part-to-part skew , and > 150-V/ns common mode noise immunity (CMTI).

The UCC21750 includes the state-of-art protection features, such as fast overcurrent and short circuit detection, shunt current sensing support, fault reporting, active miller clamp, and input and output side power supply UVLO to optimize SiC and IGBT switching behavior and robustness. The isolated analog to PWM sensor can be used for easier temperature or voltage sensing, further increasing the drivers’ versatility and simplifying the system design effort, size, and cost.
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기술 자료

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설계 및 개발

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The UCC21750QDWEVM-025 is a compact, single channel isolated gate driver board providing drive, bias voltages, desat feature based protection and diagnostic needed for SiC MOSFET and Si IGBT Power Modules housed in 150 x 62 x 17 mm and 106 x 62 x 30 mm packages. This TI EVM is based on 5.7-kVrms (...)
사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매 불가
평가 보드

UCC21750QDWEVM-054 — Wolfspeed® 1200V SiC 플랫폼용 UCC21750 평가 모듈

UCC21750QDWEVM-054는 두 개의 단일 채널 및 절연 게이트 드라이버로 구성된 소형 하프 브리지 게이트 드라이버 평가 모듈입니다. 이 평가 모듈은 Wolfspeed® SiC(실리콘 카바이드) MOSFET 모듈과 이산 SiC MOSFET 및 여러 가지 다른 모델 및 핀아웃이 유사한 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT) 또는 SiC MOSFET 모듈을 구동하는 데 필요한 공급 전압, 드라이브, 보호 및 모니터링을 제공합니다.

사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매 불가
시뮬레이션 모델

UCC21750 PSpice Transient Model

SLUM680.ZIP (90 KB) - PSpice Model
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시뮬레이션 모델

UCC21750 TINA-TI Reference Design

SLUM887.TSC (2184 KB) - TINA-TI Reference Design
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시뮬레이션 모델

UCC21750 Unencrypted PSPICE Transient Model

SLUM718.ZIP (6 KB) - PSpice Model
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시뮬레이션 모델

UCC21750DWR PSPICE Model

SLUM736.ZIP (6 KB) - PSpice Model
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계산 툴

SLUC695 — UCC217xx XL Calculator Tool

지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
절연 게이트 드라이버
UCC21710-Q1 — IGBT/SiC용 과전류 보호 기능을 지원하는 오토모티브 5.7kVrms의 10A 단일 채널 절연 게이트 드라이버 UCC21732-Q1 — IGBT/SiCFET용 2레벨 끄기 기능을 지원하는 오토모티브 5.7kVrms ±10A 단일 채널 절연 게이트 드라이버 UCC21736-Q1 — IGBT/SiC용 액티브 단락 회로를 지원하는 오토모티브 5.7kVrms의 ±10A 절연 단일 채널 게이트 드라이버 UCC21739-Q1 — IGBT/SiC용 절연 아날로그 감지를 지원하는 오토모티브 3kVrms, ±10A 단일 채널 절연 게이트 드라이버 UCC21750 — IGBT/SiCFET용 DESAT 및 내부 밀러 클램프를 지원하는 5.7kVrms ±10A, 단일 채널 절연 게이트 드라이버 UCC21750-Q1 — IGBT/SiC용 DESAT 및 내부 클램프를 지원하는 오토모티브 5.7kVrms, ±10A 단일 채널 절연 게이트 드라이버 UCC21759-Q1 — IGBT/SIC용 DESAT 및 내부 클램프를 지원하는 오토모티브 3.0kVrms, ±10A 1채널 절연 게이트 드라이버
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회로도

UCC217xx, UCC217xx-Q1 Schematic and Layout Design Guidelines

SLUM917.ZIP (320 KB)
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SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
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  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
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  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
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