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UCC5871-Q1

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고급 보호 기능을 지원하는 오토모티브 30A 절연 5.7kV VRMS IGBT/SiC MOSFET 게이트 드라이버

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UCC5871-Q1

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제품 상세 정보

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 TI functional safety category Functional Safety-Compliant Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 30 Features Active miller clamp, Fault reporting, Programmable dead time, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 15 Input supply voltage (min) (V) 3.3 Input supply voltage (max) (V) 5 Propagation delay time (µs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 150 Fall time (ns) 150 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 TI functional safety category Functional Safety-Compliant Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 30 Features Active miller clamp, Fault reporting, Programmable dead time, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 15 Input supply voltage (min) (V) 3.3 Input supply voltage (max) (V) 5 Propagation delay time (µs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 150 Fall time (ns) 150 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable
SSOP (DWJ) 36 131.84 mm² 12.8 x 10.3
  • Split output driver provides 30-A peak source and 30-A peak sink currents
  • Interlock and shoot-through protection with 150-ns(max) propagation delay and programmable minimum pulse rejection
  • Primary and secondary side active short circuit (ASC) support
  • Configurable power transistor protections
    • DESAT based short circuit protection
    • Shunt resistor based overcurrent and short circuit protection
    • NTC based overtemperature protection
    • Programmable soft turnoff (STO) and two-level turnoff (2LTOFF) during power transistor faults
  • Functional Safety-Compliant
  • Integrated diagnostics:
    • Built-in self test (BIST) for protection comparators
    • IN+ to transistor gate path integrity
    • Power transistor threshold monitoring
    • Internal clock monitoring
    • Fault alarm (nFLT1) and warning (nFLT2) outputs
  • Integrated 4-A active Miller clamp or optional external drive for Miller clamp transistor
  • Advanced high voltage clamping control
  • Internal and external supply undervoltage and overvoltage protection
  • Active output pulldown and default low outputs with low supply or floating inputs
  • Driver die temperature sensing and overtemperature protection
  • 100-kV/µs minimum common mode transient immunity (CMTI) at VCM = 1000 V
  • SPI based device reconfiguration, verification, supervision, and diagnosis
  • Integrated 10-bit ADC for power transistor temperature, voltage, and current monitoring
  • Split output driver provides 30-A peak source and 30-A peak sink currents
  • Interlock and shoot-through protection with 150-ns(max) propagation delay and programmable minimum pulse rejection
  • Primary and secondary side active short circuit (ASC) support
  • Configurable power transistor protections
    • DESAT based short circuit protection
    • Shunt resistor based overcurrent and short circuit protection
    • NTC based overtemperature protection
    • Programmable soft turnoff (STO) and two-level turnoff (2LTOFF) during power transistor faults
  • Functional Safety-Compliant
  • Integrated diagnostics:
    • Built-in self test (BIST) for protection comparators
    • IN+ to transistor gate path integrity
    • Power transistor threshold monitoring
    • Internal clock monitoring
    • Fault alarm (nFLT1) and warning (nFLT2) outputs
  • Integrated 4-A active Miller clamp or optional external drive for Miller clamp transistor
  • Advanced high voltage clamping control
  • Internal and external supply undervoltage and overvoltage protection
  • Active output pulldown and default low outputs with low supply or floating inputs
  • Driver die temperature sensing and overtemperature protection
  • 100-kV/µs minimum common mode transient immunity (CMTI) at VCM = 1000 V
  • SPI based device reconfiguration, verification, supervision, and diagnosis
  • Integrated 10-bit ADC for power transistor temperature, voltage, and current monitoring

The UCC5871-Q1 device is an isolated, highly configurable single-channel gate driver targeted to drive high power SiC MOSFETs and IGBTs in EV/HEV applications. Power transistor protections, such as shunt-resistor–based overcurrent, NTC-based overtemperature, and DESAT detection, include selectable soft turn-off or two-level turn-off during these faults. To further reduce the application size, the UCC5871-Q1 integrates a 4-A active Miller clamp during switching, and an active gate pulldown while the driver is unpowered. An integrated 10-bit ADC enables monitoring of up to six analog inputs and the gate driver temperature for enhanced system management. Diagnostics and detection functions are integrated to simplify the system design. The parameters and thresholds for these features are configurable using the SPI interface, which allows the device to be used with nearly any SiC MOSFET or IGBT.

The UCC5871-Q1 device is an isolated, highly configurable single-channel gate driver targeted to drive high power SiC MOSFETs and IGBTs in EV/HEV applications. Power transistor protections, such as shunt-resistor–based overcurrent, NTC-based overtemperature, and DESAT detection, include selectable soft turn-off or two-level turn-off during these faults. To further reduce the application size, the UCC5871-Q1 integrates a 4-A active Miller clamp during switching, and an active gate pulldown while the driver is unpowered. An integrated 10-bit ADC enables monitoring of up to six analog inputs and the gate driver temperature for enhanced system management. Diagnostics and detection functions are integrated to simplify the system design. The parameters and thresholds for these features are configurable using the SPI interface, which allows the device to be used with nearly any SiC MOSFET or IGBT.
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기술 자료

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유형 직함 날짜
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설계 및 개발

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평가 보드

UCC5870QEVM-045 — UCC5870-Q1 기능 안전 호환 15A 절연 IGBT/SiC MOSFET 게이트 드라이버 3상 EVM

UCC5870-Q1 3상 EVM(평가 모듈)은 고급 보호 기능을 지원하는 TI의 15A 절연 단일 채널 게이트 드라이버의 평가를 위해 설계되었습니다. 이 EVM은 EV/HEV 애플리케이션에서 고전력 SiC MOSFET 및 IGBT를 구동하는 것을 목표로 합니다. 이 3상 EVM은 드라이버의 직렬 주변 기기 인터페이스(SPI)용 소프트웨어를 디버깅하고 드라이버의 정교한 진단, 보호 및 모니터링 기능을 탐색하는 데 사용할 수 있습니다.

사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
평가 모듈(EVM)용 GUI

UCC5870QDWJEVM-026-GUI — UCC5870-Q1 EVM GUI Software

UCC5870-Q1 EVM GUI Software
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
절연 게이트 드라이버
UCC5870-Q1 — IGBT/SiC용 오토모티브, 3.75kVrms 30A 단일 채널 기능 안전 절연 게이트 드라이버 UCC5871-Q1 — 고급 보호 기능을 지원하는 오토모티브 30A 절연 5.7kV VRMS IGBT/SiC MOSFET 게이트 드라이버
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시뮬레이션 툴

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Test report: PDF
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SSOP (DWJ) 36 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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