Startseite Energiemanagement Gate-Treiber Low-Side-Treiber
Startseite
Energiemanagement
Gate-Treiber
Low-Side-Treiber

LM5112

AKTIV

3-A-/7-A-Einkanal-Gate-Treiber mit 4-V-UVLO und Masseeingang für Split-Supply-Betrieb

Jetzt bestellen
Datenblatt

Eine neuere Version dieses Produkts ist verfügbar

open-in-new Alternativen vergleichen
Gleiche Funktionalität, andere Pinbelegung als verglichener Baustein
UCC27614 AKTIV Einkanal-Gate-Treiber für 10 A/10 A mit 4-V-UVLO, 30-V-VDD und niedriger Prop-Verzögerung Wide VDD and smaller package

LM5112

AKTIV
Datenblatt Jetzt bestellen

Produktdetails

Number of channels 1 Power switch MOSFET Peak output current (A) 7 Input supply voltage (min) (V) 3.5 Input supply voltage (max) (V) 14 Features Negative Output Voltage Capability Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 12 Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 3 Driver configuration Single
Number of channels 1 Power switch MOSFET Peak output current (A) 7 Input supply voltage (min) (V) 3.5 Input supply voltage (max) (V) 14 Features Negative Output Voltage Capability Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 12 Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 3 Driver configuration Single
HVSSOP (DGN) 8 14.7 mm² 3 x 4.9 WSON (NGG) 6 9 mm² 3 x 3
  • LM5112-Q1 is Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Grade 1 Qualified
  • Manufactured on an Automotive Grade Flow
  • Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation
  • 7-A Sink and 3-A Source Current
  • Fast Propagation Times: 25 ns (Typical)
  • Fast Rise and Fall Times: 14 ns or 12 ns
    Rise or Fall With 2-nF Load
  • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide Either Configuration With a Single Device
  • Supply Rail Undervoltage Lockout Protection
  • Dedicated Input Ground (IN_REF) for
    Split Supply or Single Supply Operation
  • Power Enhanced 6-Pin WSON Package
    (3 mm × 3 mm) or Thermally Enhanced
    MSOP-PowerPAD Package
  • Output Swings From VCC to VEE Which Are Negative Relative to Input Ground
  • LM5112-Q1 is Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Grade 1 Qualified
  • Manufactured on an Automotive Grade Flow
  • Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation
  • 7-A Sink and 3-A Source Current
  • Fast Propagation Times: 25 ns (Typical)
  • Fast Rise and Fall Times: 14 ns or 12 ns
    Rise or Fall With 2-nF Load
  • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide Either Configuration With a Single Device
  • Supply Rail Undervoltage Lockout Protection
  • Dedicated Input Ground (IN_REF) for
    Split Supply or Single Supply Operation
  • Power Enhanced 6-Pin WSON Package
    (3 mm × 3 mm) or Thermally Enhanced
    MSOP-PowerPAD Package
  • Output Swings From VCC to VEE Which Are Negative Relative to Input Ground

The LM5112 device MOSFET gate driver provides high peak gate drive current in the tiny 6-pin WSON package (SOT-23 equivalent footprint) or an 8-pin exposed-pad MSOP package with improved power dissipation required for high frequency operation. The compound output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 7 A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Undervoltage lockout protection is provided to prevent damage to the MOSFET due to insufficient gate turnon voltage. The LM5112 device provides both inverting and non-inverting inputs to satisfy requirements for inverting and non-inverting gate drive with a single device type.

The LM5112 device MOSFET gate driver provides high peak gate drive current in the tiny 6-pin WSON package (SOT-23 equivalent footprint) or an 8-pin exposed-pad MSOP package with improved power dissipation required for high frequency operation. The compound output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 7 A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Undervoltage lockout protection is provided to prevent damage to the MOSFET due to insufficient gate turnon voltage. The LM5112 device provides both inverting and non-inverting inputs to satisfy requirements for inverting and non-inverting gate drive with a single device type.
filter Andere Low-Side-Treiber suchen
Herunterladen Video mit Transkript ansehen Video

Technische Dokumentation

star =Von TI ausgewählte Top-Empfehlungen für dieses Produkt
Keine Ergebnisse gefunden. Bitte geben Sie einen anderen Begriff ein und versuchen Sie es erneut.
Alle anzeigen 6
Typ Titel Datum
* Data sheet LM5112, LM5112-Q1 Tiny 7-A MOSFET Gate Driver datasheet (Rev. C) PDF | HTML 22 Okt 2015
Application brief External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 28 Feb 2020
Application brief Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 28 Feb 2020
More literature Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) 29 Okt 2018
Selection guide Power Management Guide 2018 (Rev. R) 25 Jun 2018
Application note An Alternative Approach to Higher-Power Boost Converters 30 Nov 2009

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

UCC27423-4-5-Q1EVM — UCC2742xQ1 Dual 4-A Highspeed-Low-Side-MOSFET-Treiber mit Aktivierung – Evaluierungsmodul (EVM)

The UCC2742xQ1 EVM is a high-speed dual MOSFET evaluation module that provides a test platform for a quick and easy startup of the UCC2742xQ1 driver. Powered by a single 4V to 15V external supply, and featuring a comprehensive set of test points and jumpers. All of the devices have separate input (...)
Benutzerhandbuch: PDF
Nicht verfügbar auf TI.com
Simulationsmodell

LM5112 PSpice Transient Model

SNVM300.ZIP (73 KB) - PSpice Model
Herunterladen
Simulationsmodell

LM5112 TINA-TI Transient Reference Design

SNVM391.TSC (579 KB) - TINA-TI Reference Design
Herunterladen
Simulationsmodell

LM5112 TINA-TI Transient Spice Model

SNVM390.ZIP (8 KB) - TINA-TI Spice Model
Herunterladen
Simulationsmodell

LM5112 Unencrypted PSpice Transient Model

SNVMAD6.ZIP (1 KB) - PSpice Model
Herunterladen
Simulationstool

PSPICE-FOR-TI — PSpice® für TI Design-und Simulationstool

PSpice® für TI ist eine Design- und Simulationsumgebung, welche Sie dabei unterstützt, die Funktionalität analoger Schaltungen zu evaluieren. Diese voll ausgestattete Design- und Simulationssuite verwendet eine analoge Analyse-Engine von Cadence®. PSpice für TI ist kostenlos erhältlich und (...)
Anfordern
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
HVSSOP (DGN) 8 Ultra Librarian
WSON (NGG) 6 Ultra Librarian
Es gelten die allgemeinen Geschäftsbedingungen von TI für Evaluierungsartikel.

Bestellen & Qualität

Beinhaltete Information:
  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.

Support und Schulungen

TI E2E™-Foren mit technischem Support von TI-Ingenieuren

Alle Forenthemen auf Englisch anzeigen

Inhalte werden ohne Gewähr von TI und der Community bereitgestellt. Sie stellen keine Spezifikationen von TI dar. Siehe Nutzungsbedingungen.

Bei Fragen zu den Themen Qualität, Gehäuse oder Bestellung von TI-Produkten siehe TI-Support. ​​​​​​​​​​​​​​

Videos