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LM5112-Q1

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Einkanal-Gate-Treiber, 7 A/3 A, für die Automobil-Elektronik mit 4 V UVLO und dedizierter Eingangsma

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UCC27322-Q1 AKTIV 9-A/9-A-Einkanal-Gatetreiber mit nicht-invertierenden Eingängen für die Automobilindustrie 9-A drive current

LM5112-Q1

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Produktdetails

Number of channels 1 Power switch MOSFET Peak output current (A) 7 Input supply voltage (min) (V) 3.5 Input supply voltage (max) (V) 14 Features Negative Output Voltage Capability Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 12 Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Automotive Undervoltage lockout (typ) (V) 3 Driver configuration Single
Number of channels 1 Power switch MOSFET Peak output current (A) 7 Input supply voltage (min) (V) 3.5 Input supply voltage (max) (V) 14 Features Negative Output Voltage Capability Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 12 Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Automotive Undervoltage lockout (typ) (V) 3 Driver configuration Single
WSON (NGG) 6 9 mm² 3 x 3
  • LM5112-Q1 is Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Grade 1 Qualified
  • Manufactured on an Automotive Grade Flow
  • Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation
  • 7-A Sink and 3-A Source Current
  • Fast Propagation Times: 25 ns (Typical)
  • Fast Rise and Fall Times: 14 ns or 12 ns
    Rise or Fall With 2-nF Load
  • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide Either Configuration With a Single Device
  • Supply Rail Undervoltage Lockout Protection
  • Dedicated Input Ground (IN_REF) for
    Split Supply or Single Supply Operation
  • Power Enhanced 6-Pin WSON Package
    (3 mm × 3 mm) or Thermally Enhanced
    MSOP-PowerPAD Package
  • Output Swings From VCC to VEE Which Are Negative Relative to Input Ground
  • LM5112-Q1 is Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Grade 1 Qualified
  • Manufactured on an Automotive Grade Flow
  • Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation
  • 7-A Sink and 3-A Source Current
  • Fast Propagation Times: 25 ns (Typical)
  • Fast Rise and Fall Times: 14 ns or 12 ns
    Rise or Fall With 2-nF Load
  • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide Either Configuration With a Single Device
  • Supply Rail Undervoltage Lockout Protection
  • Dedicated Input Ground (IN_REF) for
    Split Supply or Single Supply Operation
  • Power Enhanced 6-Pin WSON Package
    (3 mm × 3 mm) or Thermally Enhanced
    MSOP-PowerPAD Package
  • Output Swings From VCC to VEE Which Are Negative Relative to Input Ground

The LM5112 device MOSFET gate driver provides high peak gate drive current in the tiny 6-pin WSON package (SOT-23 equivalent footprint) or an 8-pin exposed-pad MSOP package with improved power dissipation required for high frequency operation. The compound output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 7 A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Undervoltage lockout protection is provided to prevent damage to the MOSFET due to insufficient gate turnon voltage. The LM5112 device provides both inverting and non-inverting inputs to satisfy requirements for inverting and non-inverting gate drive with a single device type.

The LM5112 device MOSFET gate driver provides high peak gate drive current in the tiny 6-pin WSON package (SOT-23 equivalent footprint) or an 8-pin exposed-pad MSOP package with improved power dissipation required for high frequency operation. The compound output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 7 A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Undervoltage lockout protection is provided to prevent damage to the MOSFET due to insufficient gate turnon voltage. The LM5112 device provides both inverting and non-inverting inputs to satisfy requirements for inverting and non-inverting gate drive with a single device type.
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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
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Application note An Alternative Approach to Higher-Power Boost Converters 30 Nov 2009

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