Startseite Energiemanagement Power stages Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
NEU

LMG3624

AKTIV

GaN-FET, 650 V, 170 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung

Produktdetails

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 170 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 170 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (REQ) 38 42.4 mm² 8 x 5.3
  • 650V 170mΩ GaN power FET
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high bandwidth and high accuracy
  • Cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 240µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26V
  • 8mm × 5.3mm QFN package with thermal pad
  • 650V 170mΩ GaN power FET
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high bandwidth and high accuracy
  • Cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 240µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26V
  • 8mm × 5.3mm QFN package with thermal pad

The LMG3624 is a 650V 170mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3624 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8mm by 5.3mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The LMG3624 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.

The LMG3624 is a 650V 170mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3624 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8mm by 5.3mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The LMG3624 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.

Herunterladen Video mit Transkript ansehen Video

Technische Dokumentation

star =Von TI ausgewählte Top-Empfehlungen für dieses Produkt
Keine Ergebnisse gefunden. Bitte geben Sie einen anderen Begriff ein und versuchen Sie es erneut.
Alle anzeigen 4
Typ Titel Datum
* Data sheet LMG3624 650V 170 mΩ GaN FET With Integrated Driver and Current-Sense Emulation datasheet (Rev. A) PDF | HTML 12 Jun 2024
Technical article The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies PDF | HTML 30 Jan 2024
Application brief Maximize System Efficiency With Integrated Current Sensing From TI GaN PDF | HTML 30 Nov 2023
Product overview Designing With the LMG362x Family of Low-Power GaN FETs PDF | HTML 28 Nov 2023

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

LMG3624EVM-081 — LMG3624 Evaluierungsmodul für 65-W-quasiresonanten Flyback-Wandler mit USB Typ-C® PD

LMG3624EVM-081 demonstriert hohe Effizienz und Dichte für einen 65-W-USB Typ-C® Power Delivery (PD)-Offline-Adapter mit dem integrierten GaN-FET LMG3624 mit Strommessemulation. Der Eingang unterstützt eine universelle 90-VAC- bis 265-VAC-Spannung und der einzelne Ausgang kann auf 5 V, 9 V und (...)

Benutzerhandbuch: PDF | HTML
Berechnungstool

LMG36XX-CALC LMG36XX Quasi-Resonant Flyback Power Stage Design Calculator

The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use LMG36XX integrated GaN FET. Calculations are provided for frequency, voltage/current stresses, and losses in converter.
Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Produkte
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG3612 650-V 120 mΩ GaN mit integriertem Treiber und Schutz LMG3616 650-V 270 mΩ GaN mit integriertem Treiber und Schutz LMG3622 GaN-FET, 650 V, 120 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG3624 GaN-FET, 650 V, 170 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG3626 GaN-FET, 650 V, 270 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung
Referenzdesigns

TIDA-050072 — Referenzdesign für GaN-basierten USB PD3.0 USB-C-Adapter, 65 W

Bei diesem Referenzdesign handelt es sich um einen USB-PD3.0-Adapter mit 65 W für viele Ladeanwendungen, einschließlich Mobiltelefone, Laptops und Tablet-PCs. Das Design erreicht eine hohe Effizienz und Leistungsdichte durch den Einsatz von integrierten GaN-FETs LMG3624 mit (...)
Design guide: PDF
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
VQFN (REQ) 38 Ultra Librarian

Bestellen & Qualität

Beinhaltete Information:
  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

Support und Schulungen

TI E2E™-Foren mit technischem Support von TI-Ingenieuren

Inhalte werden ohne Gewähr von TI und der Community bereitgestellt. Sie stellen keine Spezifikationen von TI dar. Siehe Nutzungsbedingungen.

Bei Fragen zu den Themen Qualität, Gehäuse oder Bestellung von TI-Produkten siehe TI-Support. ​​​​​​​​​​​​​​

Videos