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Halbbrücken-Gate-Treiber, 4 A, 120 V, mit 8 V UVLO und CMOS-Eingängen

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Produktdetails

Bootstrap supply voltage (max) (V) 110 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 4 Operating temperature range (°C) -40 to 140 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 7 Iq (mA) 0.001 Input threshold Pseudo-CMOS, TTL Channel input logic CMOS Switch node voltage (V) -12 Driver configuration CMOS compatible, Dual, Noninverting
Bootstrap supply voltage (max) (V) 110 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 4 Operating temperature range (°C) -40 to 140 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 7 Iq (mA) 0.001 Input threshold Pseudo-CMOS, TTL Channel input logic CMOS Switch node voltage (V) -12 Driver configuration CMOS compatible, Dual, Noninverting
HSOIC (DDA) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 VSON (DRM) 8 16 mm² 4 x 4 WSON (DPR) 10 16 mm² 4 x 4
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  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
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  • Qualifikationszusammenfassung
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