Startseite Energiemanagement Gate-Treiber Low-Side-Treiber
Startseite
Energiemanagement
Gate-Treiber
Low-Side-Treiber

LMG1025-Q1

AKTIV

Einkanaliger Low-Side-Gate-Treiber für die Automobilindustrie, 7/5 A, mit 5-V-UVLO für Anwendungen m

Jetzt bestellen
Datenblatt

LMG1025-Q1

AKTIV
Datenblatt Jetzt bestellen

Produktdetails

Number of channels 1 Power switch GaNFET, MOSFET Peak output current (A) 7 Input supply voltage (min) (V) 4.75 Input supply voltage (max) (V) 5.25 Features 1.25-ns Pulse Width Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 0.65 Fall time (ns) 0.85 Propagation delay time (µs) 0.0029 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic TTL Input negative voltage (V) 0 Rating Automotive Undervoltage lockout (typ) (V) 4.19 Driver configuration Dual inputs
Number of channels 1 Power switch GaNFET, MOSFET Peak output current (A) 7 Input supply voltage (min) (V) 4.75 Input supply voltage (max) (V) 5.25 Features 1.25-ns Pulse Width Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 0.65 Fall time (ns) 0.85 Propagation delay time (µs) 0.0029 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic TTL Input negative voltage (V) 0 Rating Automotive Undervoltage lockout (typ) (V) 4.19 Driver configuration Dual inputs
WSON (DEE) 6 4 mm² 2 x 2
  • AEC-Q100 grade 1 qualified
  • 1.25-ns typical minimum input pulse width
  • 2.6-ns typical rising propagation delay
  • 2.9-ns typical falling propagation delay
  • 300-ps typical pulse distortion
  • Independent 7-A pull-up and 5-A pull-down current
  • 650-ps typical rise time (220-pF load)
  • 850-ps typical fall time (220-pF load)
  • 2-mm x 2-mm QFN package
  • Inverting and non-inverting inputs
  • UVLO and over-temperature protection
  • Single 5-V supply voltage
  • AEC-Q100 grade 1 qualified
  • 1.25-ns typical minimum input pulse width
  • 2.6-ns typical rising propagation delay
  • 2.9-ns typical falling propagation delay
  • 300-ps typical pulse distortion
  • Independent 7-A pull-up and 5-A pull-down current
  • 650-ps typical rise time (220-pF load)
  • 850-ps typical fall time (220-pF load)
  • 2-mm x 2-mm QFN package
  • Inverting and non-inverting inputs
  • UVLO and over-temperature protection
  • Single 5-V supply voltage

The LMG1025-Q1 is a single channel low-side enhancement-mode GaN FET and logic-level MOSFET driver for high switching frequency automotive applications. Narrow pulse width capability, fast switching specification, and small pulse distortion combine to significantly enhance LiDAR, ToF, and Power Converter performance. 1.25-ns output pulse width enables more powerful, eye-safe diode pulses. This, combined with 300-ns distortion, leads to longer-range, precise LiDAR/ToF systems. 2.9-ns propagation delay significantly improves the control loop response time and thus overall performance of the power converters. Split output allows the drive strength and timing to be independently adjusted through external resistors between OUTH, OUTL, and the FET gate.

The driver features undervoltage lockout (UVLO) and over-temperature protection (OTP) to ensure the device is not damaged in overload or fault conditions. LMG1025-Q1 is available in a compact, leadless, AEC-Q100 automotive qualified package to meet the size and gate loop inductance requirements of high switching frequency automotive applications.

The LMG1025-Q1 is a single channel low-side enhancement-mode GaN FET and logic-level MOSFET driver for high switching frequency automotive applications. Narrow pulse width capability, fast switching specification, and small pulse distortion combine to significantly enhance LiDAR, ToF, and Power Converter performance. 1.25-ns output pulse width enables more powerful, eye-safe diode pulses. This, combined with 300-ns distortion, leads to longer-range, precise LiDAR/ToF systems. 2.9-ns propagation delay significantly improves the control loop response time and thus overall performance of the power converters. Split output allows the drive strength and timing to be independently adjusted through external resistors between OUTH, OUTL, and the FET gate.

The driver features undervoltage lockout (UVLO) and over-temperature protection (OTP) to ensure the device is not damaged in overload or fault conditions. LMG1025-Q1 is available in a compact, leadless, AEC-Q100 automotive qualified package to meet the size and gate loop inductance requirements of high switching frequency automotive applications.

filter Andere Low-Side-Treiber suchen
Herunterladen Video mit Transkript ansehen Video

Technische Dokumentation

star =Von TI ausgewählte Top-Empfehlungen für dieses Produkt
Keine Ergebnisse gefunden. Bitte geben Sie einen anderen Begriff ein und versuchen Sie es erneut.
Alle anzeigen 13
Typ Titel Datum
* Data sheet LMG1025-Q1 Automotive Low Side GaN and MOSFET Driver For High Frequency and Narrow Pulse Applications datasheet (Rev. B) PDF | HTML 16 Jan 2020
Application note Review of Different Power Factor Correction (PFC) Topologies' Gate Driver Needs PDF | HTML 22 Jan 2024
Application brief GaN Applications PDF | HTML 10 Aug 2022
Application brief Key Parameters and Driving Requirements of GaN FETs PDF | HTML 04 Aug 2022
Application brief Nomenclature, Types, and Structure of GaN Transistors PDF | HTML 04 Aug 2022
Application brief How GaN Enables More Efficient and Reduced Form Factor Power Supplies PDF | HTML 02 Aug 2022
Functional safety information LMG1025-Q1 FIT, FMD, and Pin FMA PDF | HTML 24 Jun 2022
Certificate LMG1025-Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) (Rev. A) 16 Sep 2020
EVM User's guide LMG1025-Q1 EVM User's Guide (Rev. B) 08 Mai 2020
Application brief External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 28 Feb 2020
Application brief Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 28 Feb 2020
Application brief How to overcome negative voltage transients on low-side gate drivers' inputs 18 Jan 2019
Application brief Enable Function with Unused Differential Input 11 Jul 2018

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

LMG1020EVM-006 — Evaluierungsmodul: GaN-Low-Side-Treiber LMG1020 + GaN FET LiDAR

The LMG1020EVM-006 is a small, easy-to-use power stage for LIDAR laser drive. The EVM includes an integrated resistive load, (laser not included) and takes a short-pulse input that can either be buffered (and shortened further), or passed directly to the power stage. The board can demonstrate (...)
Benutzerhandbuch: PDF
Nicht verfügbar auf TI.com
Evaluierungsplatine

LMG1025-Q1EVM — LMG1025-Q1 Evaluierungsmodul: GaN-Low-Side-Treiber und GaN FET LiDAR

The LMG1025-Q1EVM is a small, easy-to-use power stage with integrated resistive load (laser not included). It takes a short-pulse input that can either be buffered (and shortened further), or passed directly to the power stage.
Benutzerhandbuch: PDF
Nicht verfügbar auf TI.com
Simulationsmodell

LMG1020 PSpice Transient Model (Rev. C)

SNOM618C.ZIP (1575 KB) - PSpice Model
Herunterladen
Simulationsmodell

LMG1020 TINA-TI Transient Spice Model (Rev. A)

SNOM620A.ZIP (43 KB) - TINA-TI Spice Model
Herunterladen
Berechnungstool

SLURB15 — LMG1025-Q1 Schematic Review Template

Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Produkte
Low-Side-Treiber
LMG1025-Q1 — Einkanaliger Low-Side-Gate-Treiber für die Automobilindustrie, 7/5 A, mit 5-V-UVLO für Anwendungen m
Herunterladen
Simulationstool

PSPICE-FOR-TI — PSpice® für TI Design-und Simulationstool

PSpice® für TI ist eine Design- und Simulationsumgebung, welche Sie dabei unterstützt, die Funktionalität analoger Schaltungen zu evaluieren. Diese voll ausgestattete Design- und Simulationssuite verwendet eine analoge Analyse-Engine von Cadence®. PSpice für TI ist kostenlos erhältlich und (...)
Anfordern
Referenzdesigns

TIDA-01573 — Referenzdesign für Nano-Laser-Treiber Referenzdesign für LiDAR

This light distancing and ranging (LiDAR) reference design showcases the LMG1020 and LMG1025-Q1 low side gate drivers for narrow pulse applications. These devices are capable of driving a FET to produce <1.5-ns laser optical pulses in excess of 100W.
Design guide: PDF
Schaltplan: PDF
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
WSON (DEE) 6 Ultra Librarian
Es gelten die allgemeinen Geschäftsbedingungen von TI für Evaluierungsartikel.

Bestellen & Qualität

Beinhaltete Information:
  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.

Support und Schulungen

TI E2E™-Foren mit technischem Support von TI-Ingenieuren

Alle Forenthemen auf Englisch anzeigen

Inhalte werden ohne Gewähr von TI und der Community bereitgestellt. Sie stellen keine Spezifikationen von TI dar. Siehe Nutzungsbedingungen.

Bei Fragen zu den Themen Qualität, Gehäuse oder Bestellung von TI-Produkten siehe TI-Support. ​​​​​​​​​​​​​​

Videos