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UCC21530-Q1

AKTIV

Automotive, 4A, 6A, 5.7kVRMS, isolated dual-channel gate driver with EN and DT pins for IGBT/SiC

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UCC21551-Q1 AKTIV Zweikanal-Gate-Treiber für die Automobilindustrie mit 4 A, 6 A, 5 kVRMS und EN- und DT-Pins für IGBT Tighter VCCI range supporting digital controller thresholds. New DT equation. Increased CMTI and wider operating temperature range.

UCC21530-Q1

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Produktdetails

Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 6 Features Enable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 25 Output VCC/VDD (min) (V) 14.7 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 7 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12
Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 6 Features Enable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 25 Output VCC/VDD (min) (V) 14.7 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 7 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12
SOIC (DWK) 14 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • AEC-Q100 qualified with:
    • Device temperature grade 1
  • Functional Safety Quality-Managed
  • Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
  • Wide body SOIC-14 (DWK) package
  • 3.3mm spacing between driver channels
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 20ns minimum pulse width
    • 6ns maximum pulse-width distortion
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • 4A peak source, 6A peak sink output
  • TTL and CMOS compatible inputs
  • 3V to 18V input VCCI range
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 8V,12V and 17V VDD UVLO options
  • Programmable overlap and dead time
  • Junction temperature range –40 to +150°C
  • AEC-Q100 qualified with:
    • Device temperature grade 1
  • Functional Safety Quality-Managed
  • Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
  • Wide body SOIC-14 (DWK) package
  • 3.3mm spacing between driver channels
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 20ns minimum pulse width
    • 6ns maximum pulse-width distortion
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • 4A peak source, 6A peak sink output
  • TTL and CMOS compatible inputs
  • 3V to 18V input VCCI range
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 8V,12V and 17V VDD UVLO options
  • Programmable overlap and dead time
  • Junction temperature range –40 to +150°C

The UCC21530-Q1 is an isolated dual-channel gate driver with 4A source and 6A sink peak current. It is designed to drive IGBTs, Si MOSFETs, and SiC MOSFETs up to 5MHz.

The input side is isolated from the two output drivers by a 5.7kVRMS reinforced isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI). Internal functional isolation between the two secondary-side drivers allows a working voltage of up to 1850V.

This device can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver with programmable dead time (DT). The EN pin pulled low shuts down both outputs simultaneously and allows for normal operation when left open or pulled high. As a fail-safe measure, primary-side logic failures force both outputs low.

The device accepts VDD supply voltages up to 25V. A wide input VCCI range from 3V to 18V makes the driver suitable for interfacing with both analog and digital controllers. All the supply voltage pins have under voltage lock-out (UVLO) protection.

The UCC21530-Q1 is an isolated dual-channel gate driver with 4A source and 6A sink peak current. It is designed to drive IGBTs, Si MOSFETs, and SiC MOSFETs up to 5MHz.

The input side is isolated from the two output drivers by a 5.7kVRMS reinforced isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI). Internal functional isolation between the two secondary-side drivers allows a working voltage of up to 1850V.

This device can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver with programmable dead time (DT). The EN pin pulled low shuts down both outputs simultaneously and allows for normal operation when left open or pulled high. As a fail-safe measure, primary-side logic failures force both outputs low.

The device accepts VDD supply voltages up to 25V. A wide input VCCI range from 3V to 18V makes the driver suitable for interfacing with both analog and digital controllers. All the supply voltage pins have under voltage lock-out (UVLO) protection.
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Typ Titel Datum
* Data sheet UCC21530-Q1 4A, 6A, 5.7kVRMS Isolated Dual-Channel Gate Driver with 3.3mm Channel-to-Channel Spacing datasheet (Rev. F) PDF | HTML 17 Sep 2024
Certificate VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. S) 29 Feb 2024
Application note Impact of Narrow Pulse Widths in Gate Driver Circuits (Rev. A) PDF | HTML 25 Jan 2024
White paper Addressing High-Volt Design Challenges w/ Reliable and Affordable Isolation Tech (Rev. C) PDF | HTML 26 Sep 2023
Certificate UCC21540 CQC Certificate of Product Certification 17 Aug 2023
Certificate UCC215xx CQC Certificate of Product Certification 17 Aug 2023
Certificate UL Certification E181974 Vol 4. Sec 7 (Rev. C) 02 Dez 2022
Application brief The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits PDF | HTML 16 Dez 2021
Certificate CSA Product Certificate (Rev. A) 15 Aug 2019
Technical article Searching for the newest innovations in power? Find them at APEC PDF | HTML 09 Feb 2019

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

UCC21530EVM-286 — UCC21530 Evaluierungsmodul für isolierte Zweikanal-Treiber

UCC21530EVM-286 is designed for evaluating UCC21530DWK, which is an isolated dual-channel gate driver with 4-A source and 6-A sink peak current, 12V UVLO, Enable (Active High) Function and 3.3 mm creepage between channels . This EVM could be served as a reference design for driving IGBTS and SiC (...)
Benutzerhandbuch: PDF | HTML
Nicht verfügbar auf TI.com
Treiber oder Bibliothek

UCC21520-Q1-DESIGN — UCC21520-Q1 design resources

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UCC21520-Q1 — Isolierter zweikanaliger Gate-Treiber für Anwendungen im Automobilbereich, 4 A, 6 A, 5,7 kVRMS mit d UCC21530-Q1 — Automotive, 4A, 6A, 5.7kVRMS, isolated dual-channel gate driver with EN and DT pins for IGBT/SiC
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UCC21530-Q1-DESIGN — UCC21530-Q1 design resources

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Simulationsmodell

UCC21530 PSpice Transient Model

SLUM655.ZIP (23 KB) - PSpice Model
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Simulationstool

PSPICE-FOR-TI — PSpice® für TI Design-und Simulationstool

PSpice® für TI ist eine Design- und Simulationsumgebung, welche Sie dabei unterstützt, die Funktionalität analoger Schaltungen zu evaluieren. Diese voll ausgestattete Design- und Simulationssuite verwendet eine analoge Analyse-Engine von Cadence®. PSpice für TI ist kostenlos erhältlich und (...)
Anfordern
Referenzdesigns

TIDM-02012 — Referenzdesign für Hochspannungs-HEV/EV-HLK-eCompressor-Motorsteuerung mit MathWorks®

Das TIDM-02012 ist ein Hochspannungs-Referenzdesign mit 5 kW für HEV/EV-Kompressoranwendungen (eCompressor), das von einer Echtzeit C2000™-MCU TMS320F28003x mit mittlerer Leistung gesteuert wird. Das Referenzdesign wurde zur Evaluierung mit 400-V- und 800-V-DC-Bus entwickelt und deckt die (...)
Design guide: PDF
Referenzdesigns

TIDM-02009 — Referenzdesign für bidirektionale DC-DC-Wandlung mit ASIL D-Sicherheitskonzept und Hochgeschwindigke

Dieses Referenzdesign zeigt, wie der Hybrid-/Elektrofahrzeug-Traktionswechselrichter und der bidirektionale DC-DC-Wandlers mit einer einzigen TMS320F28388D Echtzeit-C2000™ MCU gesteuert werden können. Die Traktionskontrolle verwendet einen softwarebasierten Resolver-Digital-Wandler (RDC), der den (...)
Design guide: PDF
Schaltplan: PDF
Referenzdesigns

TIDA-01605 — Referenzdesign für zweikanaligen SiC-MOSFET-Gate-Treiber für die Automobilindustrie mit zweistufigem

This reference design is an automotive qualified isolated gate driver solution for driving Silicon Carbide (SiC) MOSFETs in half bridge configuration. The design includes two push pull bias supplies for the dual channel isolated gate driver respectively and each supply provides +15V and -4V output (...)
Design guide: PDF
Schaltplan: PDF
Referenzdesigns

TIDM-02002 — Referenzdesign für eine bidirektionale, CLLLC-resonante, duale Aktivbrücke (DAB) für HEV/EV-Ladegerä

CLLLC resonant DAB with bidirectional power flow capability and soft switching characteristics is an ideal candidate for Hybrid Electric Vehicle/Electric Vehicle (HEV/EV) on-board chargers and energy storage applications. This design illustrates control of this power topology using a C2000™ (...)
Design guide: PDF
Schaltplan: PDF
Referenzdesigns

PMP21999 — Referenzdesign für bidirektionalen CLLLC-Resonanzwandler mit 6,6 kW und Leiterplattenwicklungstransf

This 6.6 kW, bi-directional, dual-active-bridge resonant converter reference design allows 380 VDC to 600 VDC input and 280 VDC to 450 VDC output. PCB winding transformer and Rogowski coil synchronous rectifier (SR) control are applied in this design for power density and efficiency optimization. (...)
Test report: PDF
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Referenzdesigns

PMP21561 — Referenzdesign für sicherheitsisolierten sekundären SiC-MOSFET-Treiber

This reference design provides an integrated high and low side isolated secondary gate driver solution for an automotive battery charging system incorporating two push-pull SN6505B transformer drivers and the isolated dual-channel gate driver UCC21521C.
Test report: PDF
Schaltplan: PDF
Referenzdesigns

PMP21553 — Referenzdesign für sicherheitsisolierten primären SiC-MOSFET-Treiber

This reference design provides an integrated high and low side isolated primary gate driver solution for an automotive battery charging system incorporating two push-pull SN6505B transformer drivers and the isolated dual-channel gate driver UCC21521C.
Test report: PDF
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Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
SOIC (DWK) 14 Ultra Librarian
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