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UCC5881-DESIGN — UCC5881-Q1 design resources
This repository contains the datasheet and supporting documents for the UCC5881-Q1 device
UCC5881-Q1
Controlador de compuerta MOSFET IGBT/SiC automotriz aislado y variable en tiempo real, de 20 A y con
Hoja de datos
Se encuentra disponible una versión más nueva de este producto
Reemplazo con funcionalidad mejorada del dispositivo comparado
UCC5881-Q1
- Dual-output driver with real time variable drive strength
- ±15A and ±5A drive current outputs
- Digital input pins (GD*) for drive strength adjustment without SPI
- 3 resistor settings R1, R2, or R1||R2
- Integrated 4A active Miller clamp or optional external drive for Miller clamp transistor
- Primary-side and secondary-side active short circuit (ASC) support
- Under-voltage and over-voltage protection on internal and external supplies
- Driver die temperature sensing and over temperature protection
- Short-circuit protection:
- 110ns response time to DESAT event
- DESAT protection – selections up to 14V
- Shunt resistor based short-circuit (SC) and over-current (OC) protection
- Configurable protection threshold values and blanking times
- Programmable soft turn-off (STO) and two-level soft turn-off (2STO) current
- Integrated 10-bit ADC
- Able to measure power switch temperature, DC Link voltage, driver die temperature, DESAT pin voltage, VCC2 voltage
- Programmable digital comparators
- Advanced VCE/VDS clamping circuit
- Functional Safety-Compliant
- Developed for functional safety applications
- Documentation available to aid ISO 26262 system design up to ASIL D
- Integrated diagnostics:
- Built in self-test (BIST) for protection comparators
- Gate threshold voltage measurement for power device health monitoring
- INP to transistor gate path integrity
- Internal clock monitoring
- Fault alarm and warning outputs (nFLT*)
- ISO communication data integrity check
- SPI based device reconfiguration, verification, supervision, and diagnosis
- 150V/ns CMTI
- AEC-Q100 qualified with the following results:
- Device temperature grade 1: -40°C to +125°C ambient operating temperature
- Device HBM ESD classification level 2
- Device CDM ESD classification level C2b
The UCC5881-Q1 device is an isolated, highly configurable adjustable drive strength gate driver targeted to drive high power SiC MOSFETs and IGBTs in EV/HEV applications. Power transistor protections are included, such as shunt resistor based over-current, over-temperature (PTC, NTC, or diode), and DESAT detection, with selectable soft turn-off or two-level soft turn-off during these faults. An integrated 10-bit ADC enables monitoring of up to 2 analog inputs, VCC2, DESAT, and the gate driver temperature for enhanced system management. Diagnostics and detection functions are integrated to simplify the design of ASIL compliant systems. The parameters and thresholds for these features are configurable using the SPI, which allows the device to be used with nearly any SiC MOSFET or IGBT.
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Documentación técnica
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Ver todo 1 | Tipo | Título | Fecha | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | UCC5881-Q1 Isolated 20A Adjustable Gate Drive IGBT/SiC MOSFET Gate Driver With Advanced Protection Features For Automotive Applications datasheet | PDF | HTML | 13 dic 2024 |
Diseño y desarrollo
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Design guide: PDF
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Test report: PDF
| Encapsulado | Pines | Símbolos CAD, huellas y modelos 3D |
|---|---|---|
| SSOP (DFC) | 32 | Ultra Librarian |
Pedidos y calidad
Información incluida:
- RoHS
- REACH
- Marcado del dispositivo
- Acabado de plomo/material de la bola
- Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
- Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
- Contenido del material
- Resumen de calificaciones
- Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
- Lugar de fabricación
- Lugar de ensamblaje
Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.
Soporte y capacitación
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