전원 관리 전원 스위치 이상적인 다이오드/오링 컨트롤러

LM74701-Q1

활성

VDS 클램프가 통합된 오토모티브 3.2V~65V 역방향 배터리 보호 이상적 다이오드 컨트롤러

제품 상세 정보

Vin (min) (V) 3.2 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Automotive load dump compatibility, Enable, Integrated VDS clamp, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.08 Iq (max) (mA) 0.13 TI functional safety category Functional Safety-Capable FET External single FET IGate source (typ) (µA) 11000 IGate pulsed (typ) (A) 2.3 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -11 Rating Automotive Imax (A) 250 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.001 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
Vin (min) (V) 3.2 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Automotive load dump compatibility, Enable, Integrated VDS clamp, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.08 Iq (max) (mA) 0.13 TI functional safety category Functional Safety-Capable FET External single FET IGate source (typ) (µA) 11000 IGate pulsed (typ) (A) 2.3 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -11 Rating Automotive Imax (A) 250 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.001 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
SOT-23-THN (DDF) 8 8.12 mm² 2.9 x 2.8
  • AEC-Q100 qualified with the following results
    • Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range
    • Device HBM ESD classification level 2
    • Device CDM ESD classification level C4B
  • 3.2-V to 65-V input range (3.9-V startup)
  • –33-V reverse voltage rating
  • Charge pump for external N-Channel MOSFET
  • 20 mV ANODE to CATHODE forward voltage drop regulation
  • 1-µA shutdown current (EN = Low)
  • 80-µA operating quiescent current (EN = High)
  • 2-A peak gate turn-off current
  • Fast response to reverse current blocking: < 0.75 µs
  • Integrated battery voltage monitoring switch (SW)
  • Meets automotive ISO7637 transient requirements without additional input TVS diode (TVS less)
  • 8-Pin SOT-23 package 2.90 mm × 1.60 mm
  • AEC-Q100 qualified with the following results
    • Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range
    • Device HBM ESD classification level 2
    • Device CDM ESD classification level C4B
  • 3.2-V to 65-V input range (3.9-V startup)
  • –33-V reverse voltage rating
  • Charge pump for external N-Channel MOSFET
  • 20 mV ANODE to CATHODE forward voltage drop regulation
  • 1-µA shutdown current (EN = Low)
  • 80-µA operating quiescent current (EN = High)
  • 2-A peak gate turn-off current
  • Fast response to reverse current blocking: < 0.75 µs
  • Integrated battery voltage monitoring switch (SW)
  • Meets automotive ISO7637 transient requirements without additional input TVS diode (TVS less)
  • 8-Pin SOT-23 package 2.90 mm × 1.60 mm

The LM74701-Q1 is an automotive AEC Q100 qualified ideal diode controller which operates in conjunction with an external N-channel MOSFET as an ideal diode for low loss reverse polarity protection with a 20-mV forward voltage drop. LM74701-Q1 is suitable for input protection of 12-V automotive systems. The 3.2-V input voltage support is particularly well suited for severe cold crank requirements in automotive systems.

The device controls the GATE of the MOSFET to regulate the forward voltage drop at 20 mV. The regulation scheme enables graceful turn-off of the MOSFET during a reverse current event and ensures zero DC reverse current flow. Fast response (< 0.75 µs) to reverse current blocking makes the device suitable for systems with output voltage holdup requirements during ISO7637 pulse testing as well as power fail and input micro-short conditions. The LM74701-Q1 has a unique integrated VDS clamp feature which enables users to achieve TVS less input polarity protection solution and save on average a typical 60% of PCB space in constrained automotive systems.

The LM74701-Q1 controller provides a charge pump gate drive for an external N-channel MOSFET. With the enable pin low, the controller is off and draws approximately 1 µA of current.

The LM74701-Q1 is an automotive AEC Q100 qualified ideal diode controller which operates in conjunction with an external N-channel MOSFET as an ideal diode for low loss reverse polarity protection with a 20-mV forward voltage drop. LM74701-Q1 is suitable for input protection of 12-V automotive systems. The 3.2-V input voltage support is particularly well suited for severe cold crank requirements in automotive systems.

The device controls the GATE of the MOSFET to regulate the forward voltage drop at 20 mV. The regulation scheme enables graceful turn-off of the MOSFET during a reverse current event and ensures zero DC reverse current flow. Fast response (< 0.75 µs) to reverse current blocking makes the device suitable for systems with output voltage holdup requirements during ISO7637 pulse testing as well as power fail and input micro-short conditions. The LM74701-Q1 has a unique integrated VDS clamp feature which enables users to achieve TVS less input polarity protection solution and save on average a typical 60% of PCB space in constrained automotive systems.

The LM74701-Q1 controller provides a charge pump gate drive for an external N-channel MOSFET. With the enable pin low, the controller is off and draws approximately 1 µA of current.

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기술 자료

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유형 직함 날짜
* Data sheet LM74701-Q1 TVS Less Automotive Reverse Battery Protection Ideal Diode Controller datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2021/12/14
Functional safety information LM74701-Q1 Functional Safety, FIT Rate, Failure Mode Distribution and Pin FMA PDF | HTML 2024/01/24
Analog Design Journal Going TVS-less in Automotive Reverse Battery Protection Designs PDF | HTML 2021/11/18
User guide LM74701-Q1EVM User's Guide (Rev. A) PDF | HTML 2021/09/08

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

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사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
시뮬레이션 모델

LM74701-Q1 PSpice Transient Model

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주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

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