전원 관리 전원 스위치 eFuse 및 핫 스왑 컨트롤러

LM9061

활성

7V~26V 고압측 보호 컨트롤러

제품 상세 정보

FET External Vin (min) (V) 7 Vin (max) (V) 26 Vabsmax_cont (V) 60 Current limit (min) (A) 0.01 Current limit (max) (A) 500 Overcurrent response Circuit breaker, Current limiting, current limiting Fault response Latch-off Soft start Adjustable Overvoltage response Cut-off Rating Catalog Device type eFuses and hot swap controllers Operating temperature range (°C) -40 to 125 Function Inductive load compatibility, Overvoltage protection Quiescent current (Iq) (typ) (A) 0.005 Quiescent current (Iq) (max) (A) 0.005
FET External Vin (min) (V) 7 Vin (max) (V) 26 Vabsmax_cont (V) 60 Current limit (min) (A) 0.01 Current limit (max) (A) 500 Overcurrent response Circuit breaker, Current limiting, current limiting Fault response Latch-off Soft start Adjustable Overvoltage response Cut-off Rating Catalog Device type eFuses and hot swap controllers Operating temperature range (°C) -40 to 125 Function Inductive load compatibility, Overvoltage protection Quiescent current (Iq) (typ) (A) 0.005 Quiescent current (Iq) (max) (A) 0.005
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Qualified With the Following Results:
    • Device HBM ESD Classification Level 2
    • Device CDM ESD Classification Level C4B
  • Withstands 60-V Supply Transients
  • Overvoltage Shut-OFF With VCC > 30 V
  • Lossless Overcurrent Protection Latch-OFF
    • Current Sense Resistor is Not Required
    • Minimizes Power Loss With High Current Loads
  • Programmable Delay of Protection Latch-OFF
  • Gradual Turnoff to Minimize Inductive Load Transient Voltages
  • CMOS Logic-Compatible ON and OFF Control Input
  • Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Qualified With the Following Results:
    • Device HBM ESD Classification Level 2
    • Device CDM ESD Classification Level C4B
  • Withstands 60-V Supply Transients
  • Overvoltage Shut-OFF With VCC > 30 V
  • Lossless Overcurrent Protection Latch-OFF
    • Current Sense Resistor is Not Required
    • Minimizes Power Loss With High Current Loads
  • Programmable Delay of Protection Latch-OFF
  • Gradual Turnoff to Minimize Inductive Load Transient Voltages
  • CMOS Logic-Compatible ON and OFF Control Input

The LM9061 family consists of charge-pump devices which provides the gate drive to an external power MOSFET of any size configured as a high-side driver or switch. This includes multiple parallel connected MOSFETs for very high current applications. A CMOS logic-compatible ON and OFF input controls the output gate drive voltage. In the ON state, the charge pump voltage, which is well above the available VCC supply, is directly applied to the gate of the MOSFET. A built-in 15-V Zener clamps the maximum gate to source voltage of the MOSFET. When commanded OFF a 110-µA current sink discharges the gate capacitances of the MOSFET for a gradual turnoff characteristic to minimize the duration of inductive load transient voltages and further protect the power MOSFET.

Lossless protection of the power MOSFET is a key feature of the LM9061. The voltage drop (VDS) across the power device is continually monitored and compared against an externally programmable threshold voltage. A small current-sensing resistor in series with the load, which causes a loss of available energy, is not required for the protection circuitry. If the VDS voltage, due to excessive load current, exceeds the threshold voltage, the output is latched OFF in a more gradual fashion (through a 10-µA output current sink) after a programmable delay time interval.

The LM9061 family consists of charge-pump devices which provides the gate drive to an external power MOSFET of any size configured as a high-side driver or switch. This includes multiple parallel connected MOSFETs for very high current applications. A CMOS logic-compatible ON and OFF input controls the output gate drive voltage. In the ON state, the charge pump voltage, which is well above the available VCC supply, is directly applied to the gate of the MOSFET. A built-in 15-V Zener clamps the maximum gate to source voltage of the MOSFET. When commanded OFF a 110-µA current sink discharges the gate capacitances of the MOSFET for a gradual turnoff characteristic to minimize the duration of inductive load transient voltages and further protect the power MOSFET.

Lossless protection of the power MOSFET is a key feature of the LM9061. The voltage drop (VDS) across the power device is continually monitored and compared against an externally programmable threshold voltage. A small current-sensing resistor in series with the load, which causes a loss of available energy, is not required for the protection circuitry. If the VDS voltage, due to excessive load current, exceeds the threshold voltage, the output is latched OFF in a more gradual fashion (through a 10-µA output current sink) after a programmable delay time interval.

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기술 자료

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유형 직함 날짜
* Data sheet LM9061 and LM9061-Q1 High-Side Protection Controller datasheet (Rev. I) PDF | HTML 2017/01/04
E-book 11 Ways to Protect Your Power Path 2019/07/03
EVM User's guide LM9061 High-Side Protection Controller EVM 2014/11/07

설계 및 개발

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평가 보드

LM9061EVM — LM9061EVM 고압측 보호 컨트롤러 평가 모듈

The LM9061EVM evaluation module demonstrates high-side protection to a connected load from over-current and over-voltage conditions.  An ON/OFF input controls the gate drive to a high-side MOSFET. Over-current protection is performed by monitoring the voltage drop (VDS) across the MOSFET, which is (...)

사용 설명서: PDF
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This tool suggests suitable TVS for given system parameters and abs max voltage rating of the device.
지원되는 제품 및 하드웨어

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회로도: PDF
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (D) 8 Ultra Librarian

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

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