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UCC21222

AKTIV

3,0 kVrms 4 A/6 A zweikanaliger isolierter Gate-Treiber mit Disable-Pin, programmierbarer Totzeit un

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NEU UCC21330 AKTIV Isolierter Zweikanal-Gate-Treiber, 3 kVRMS, 4 A/6 A, mit Abschaltlogik und programmierbarer Totzeit Improved CMTI, faster VDD startup

UCC21222

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Produktdetails

Number of channels 2 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 18 Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8
Number of channels 2 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 18 Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8
SOIC (D) 16 59.4 mm² 9.9 x 6

  • Universal: dual low-side, dual high-side or halfbridge driver

  • Junction temperature range –40 to +150°C
  • Up to 4A peak source and 6A peak sink output
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 8V, VDD UVLO options
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 5ns maximum pulse-width distortion
    • 10µs maximum VDD power-up delay
  • UVLO protection for all power supplies
  • Fast disable for power sequencing
  • Safety-related certifications (planned):
    • 4242VPK isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • 3000VRMS isolation for 1 minute per UL 1577
    • CQC Certification per GB4943.1-2022

  • Universal: dual low-side, dual high-side or halfbridge driver

  • Junction temperature range –40 to +150°C
  • Up to 4A peak source and 6A peak sink output
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 8V, VDD UVLO options
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 5ns maximum pulse-width distortion
    • 10µs maximum VDD power-up delay
  • UVLO protection for all power supplies
  • Fast disable for power sequencing
  • Safety-related certifications (planned):
    • 4242VPK isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • 3000VRMS isolation for 1 minute per UL 1577
    • CQC Certification per GB4943.1-2022

The UCC21222 is an isolated dual channel gate driver family with programmable dead time and wide temperature range. It is designed with 4A peak-source and 6A peak-sink current to drive power MOSFET, SiC, GaN, and IGBT transistors.

The UCC21222 can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver. The input side is isolated from the two output drivers by a 3kVRMS isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI).

Protection features include: resistor programmable dead time, disable feature to shut down both outputs simultaneously, and integrated de-glitch filter that rejects input transients shorter than 5ns. All supplies have UVLO protection.

With all these advanced features, the UCC21222 device enables high efficiency, high power density, and robustness in a wide variety of power applications.

The UCC21222 is an isolated dual channel gate driver family with programmable dead time and wide temperature range. It is designed with 4A peak-source and 6A peak-sink current to drive power MOSFET, SiC, GaN, and IGBT transistors.

The UCC21222 can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver. The input side is isolated from the two output drivers by a 3kVRMS isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI).

Protection features include: resistor programmable dead time, disable feature to shut down both outputs simultaneously, and integrated de-glitch filter that rejects input transients shorter than 5ns. All supplies have UVLO protection.

With all these advanced features, the UCC21222 device enables high efficiency, high power density, and robustness in a wide variety of power applications.
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Technische Dokumentation

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Alle anzeigen 16
Typ Titel Datum
* Data sheet UCC21222 4A, 6A, 3kVRMS Isolated Dual-Channel Gate Driver datasheet (Rev. C) PDF | HTML 11 Nov 2024
Certificate VDE Certificate for Basic Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. W) 31 Jan 2024
Certificate UCC21220 CQC Certificate of Product Certification 16 Aug 2023
Application brief The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits PDF | HTML 16 Dez 2021
Certificate FPPT2 - Nonoptical Isolating Devices UL 1577 Certificate of Compliance 26 Okt 2021
Test report Peak Efficiency at 99%, 585-W High-Voltage Buck Reference Design 24 Apr 2020
Application brief External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 28 Feb 2020
Application brief Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 28 Feb 2020
Certificate UL Certification E181974 Vol 4. Sec 9 (Rev. A) 22 Jul 2019
User guide Gate Drive Voltage vs. Efficiency 25 Apr 2019
Application brief How to Drive High Voltage GaN FETs with UCC21220A 06 Mär 2019
White paper Impact of an isolated gate driver (Rev. A) 20 Feb 2019
Application note Common Mode Transient Immunity (CMTI) for UCC2122x Isolated Gate Drivers 19 Jul 2018
White paper Demystifying high-voltage power electronics for solar inverters 06 Jun 2018
Application note Solar Inverter Layout Considerations for UCC21220 06 Jun 2018
Technical article Boosting efficiency for your solar inverter designs PDF | HTML 24 Mai 2018

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

UCC21220EVM-009 — UCC21220 4 A, 6 A 3,0-kVRMS isolierter Zweikanal-Gate-Treiber – Evaluierungsmodul

UCC21220EVM-009 is designed for evaluating UCC21220, which is a 3.0-kVRMS Isolated Dual-Channel Gate Driver with 4.0-A source and 6.0-A sink peak current capability. This EVM could be served to evaluate the driver IC against its datsheet. The EVM can also be used as Driver IC component selection (...)
Benutzerhandbuch: PDF
Nicht verfügbar auf TI.com
Simulationsmodell

UCC21222-Q1 PSpice Transient Model

SLUM622.ZIP (57 KB) - PSpice Model
Herunterladen
Simulationsmodell

UCC21222-Q1 Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM623.ZIP (3 KB) - PSpice Model
Herunterladen
Berechnungstool

SLURAZ5 — UCC21520 Bootstrap Calculator 1.0

Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Produkte
Isolierte Gate-Treiber
UCC21220 — 3,0 kVrms 4A-/6-A isolierter Zweikanal-Gate-Treiber mit Disable-Pin und 8V-UVLO für MOSFETs und GaNF UCC21222 — 3,0 kVrms 4 A/6 A zweikanaliger isolierter Gate-Treiber mit Disable-Pin, programmierbarer Totzeit un UCC21520 — 5,7 kVRMS 4 A/6 A zweikanaliger isolierter Gate-Treiber mit doppeltem Eingang und Disable-Pin im DW- UCC21521 — 5,7 kVrms, 4 A/6 A zweikanaliger isolierter Gate-Treiber mit Doppeleingang, Enable, 8 V UVLO &
Herunterladen
Simulationstool

PSPICE-FOR-TI — PSpice® für TI Design-und Simulationstool

PSpice® für TI ist eine Design- und Simulationsumgebung, welche Sie dabei unterstützt, die Funktionalität analoger Schaltungen zu evaluieren. Diese voll ausgestattete Design- und Simulationssuite verwendet eine analoge Analyse-Engine von Cadence®. PSpice für TI ist kostenlos erhältlich und (...)
Anfordern
Referenzdesigns

PMP41006 — 1-kW-Referenzdesign mit CCM-Totem-Pole PFC and Strommodus-LLC umgesetzt durch C2000™ and GaN

Dieses Referenzdesign demonstriert ein hybrides Hysteresesteuerungsverfahren (HHC), eine Art Strommodus-Steuerungsverfahren auf Halbbrücken-LLC-Stufe mit einem C2000™-F28004x-Mikrocontroller. Die Hardware basiert auf TIDA-010062, einem Referenzdesign mit 1 kW, 80-Plus Titan, brückenloser (...)
Test report: PDF
Referenzdesigns

TIDA-010203 — Einphasen-Totem-Pole-PFC, 4 kW – Referenzdesign mit C2000 und GaN

This reference design is a 4-kW CCM totem-pole PFC with F280049/F280025 control card and LMG342x EVM board. This design demos a robust PFC solution, which avoids isolated current sense by putting the controller's ground in the middle of a MOSFET leg. Benefitting from non-isolation, AC current (...)
Design guide: PDF
Schaltplan: PDF
Referenzdesigns

PMP41043 — 1,6-kW-Referenzdesign mit CCM-Totem-Pole PFC and Strommodus LLC umgesetzt durch C2000 and GaN

Dieses Referenzdesign demonstriert ein hybrides Hysteresesteuerungsverfahren (HHC), eine Art Strommodus-Steuerungsverfahren auf Halbbrücken-LLC-Stufe mit einem C2000-F28004x-Mikrocontroller. Die Hardware basiert auf TIDA-010062, einem Referenzdesign mit 1 kW, 80-Plus Titan, brückenloser (...)
Test report: PDF
Referenzdesigns

PMP40500 — Referenzdesign für Halbbrücke mit 54 VDC Eingang, 12 V 42 A Ausgang

Dieses Referenzdesign für Halbbrücken mit 12 V und 42 A Ausgang eignet sich für Buswandler in kabelgebundenen Netzwerk-Campus- und Abzweigschaltern. Das Design zeichnet sich durch einen hohen Wirkungsgrad und verschiedene Fehlerschutzfunktionen (Überstrom und Kurzschluss) aus. Das Design bietet (...)
Test report: PDF
Schaltplan: PDF
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
SOIC (D) 16 Ultra Librarian
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Beinhaltete Information:
  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

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