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TPS22916

활성

5.5V, 2A, 60mΩ, 10nA 누설 부하 스위치 조정 가능한 상승 시간 및 조정 가능한 출력 방전

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TPS22916

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제품 상세 정보

Number of channels 1 Vin (min) (V) 1 Vin (max) (V) 5.5 Imax (A) 2 Ron (typ) (mΩ) 60 Shutdown current (ISD) (typ) (µA) 0.01, 0.1 Quiescent current (Iq) (typ) (µA) 0.5 Soft start Adjustable Rise Time Current limit type None Features Active low, Quick output discharge, Reverse current protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 FET Internal Device type Load switches Function Inrush current control, Reverse current blocking
Number of channels 1 Vin (min) (V) 1 Vin (max) (V) 5.5 Imax (A) 2 Ron (typ) (mΩ) 60 Shutdown current (ISD) (typ) (µA) 0.01, 0.1 Quiescent current (Iq) (typ) (µA) 0.5 Soft start Adjustable Rise Time Current limit type None Features Active low, Quick output discharge, Reverse current protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 FET Internal Device type Load switches Function Inrush current control, Reverse current blocking
DSBGA (YFP) 4 1 mm² 1 x 1
  • Input operating voltage range (VIN): 1 V–5.5 V
  • Maximum continuous current (IMAX): 2 A
  • ON-resistance (RON):
    • 5 VIN = 60 mΩ (typ.), 100 mΩ (85°C max.)
    • 1.8 VIN = 100 mΩ (typ.), 150 mΩ (85°C max.)
    • 1 VIN = 200 mΩ (typ.), 325 mΩ (85°C max.)
  • Ultra-low power consumption:
    • ON state (IQ): 0.5 µA (typ.), 1 µA (max.)
    • OFF state (ISD): 10 nA (typ.), 100 nA (max.)
    • TPS22916BL/CL/CNL (ISD): 100 nA (typ.), 300 nA (max.)
  • Smart ON pin pulldown (RPD):
    • ON ≥ VIH (ION): 10 nA (max.)
    • ON ≤ VIL (RPD): 750 kΩ (typ.)
  • Slow Timing in C Version Limits Inrush Current:
    • 5-V turn-on time (tON): 1400 µs at 5 mV/µs
    • 1.8-V turn-on time (tON): 3000 µs at 1 mV/µs
    • 1-V turn-on time (tON): 6500 µs at 0.3 mV/µs
  • Fast timing in b version reduces wait time:
    • 5-V turn-on time (tON): 115 µs at 57 mV/µs
    • 1.8-V turn-on time (tON): 250 µs at 12 mV/µs
    • 1-V turn-on time (tON): 510 µs at 3.3 mV/µs
  • Always-ON true Reverse Current Blocking (RCB):
    • Activation current (IRCB): –500 mA (typ.)
    • Reverse leakage (IIN,RCB): –300 nA (max.)
  • Quick Output Discharge (QOD): 150 Ω (typ.) (N version has no QOD)
  • Active low enable option (L versions)
  • Input operating voltage range (VIN): 1 V–5.5 V
  • Maximum continuous current (IMAX): 2 A
  • ON-resistance (RON):
    • 5 VIN = 60 mΩ (typ.), 100 mΩ (85°C max.)
    • 1.8 VIN = 100 mΩ (typ.), 150 mΩ (85°C max.)
    • 1 VIN = 200 mΩ (typ.), 325 mΩ (85°C max.)
  • Ultra-low power consumption:
    • ON state (IQ): 0.5 µA (typ.), 1 µA (max.)
    • OFF state (ISD): 10 nA (typ.), 100 nA (max.)
    • TPS22916BL/CL/CNL (ISD): 100 nA (typ.), 300 nA (max.)
  • Smart ON pin pulldown (RPD):
    • ON ≥ VIH (ION): 10 nA (max.)
    • ON ≤ VIL (RPD): 750 kΩ (typ.)
  • Slow Timing in C Version Limits Inrush Current:
    • 5-V turn-on time (tON): 1400 µs at 5 mV/µs
    • 1.8-V turn-on time (tON): 3000 µs at 1 mV/µs
    • 1-V turn-on time (tON): 6500 µs at 0.3 mV/µs
  • Fast timing in b version reduces wait time:
    • 5-V turn-on time (tON): 115 µs at 57 mV/µs
    • 1.8-V turn-on time (tON): 250 µs at 12 mV/µs
    • 1-V turn-on time (tON): 510 µs at 3.3 mV/µs
  • Always-ON true Reverse Current Blocking (RCB):
    • Activation current (IRCB): –500 mA (typ.)
    • Reverse leakage (IIN,RCB): –300 nA (max.)
  • Quick Output Discharge (QOD): 150 Ω (typ.) (N version has no QOD)
  • Active low enable option (L versions)

The TPS22916xx is a small, single channel load switch using a low leakage P-Channel MOSFET for minimum power loss. Advanced gate control design supports operating voltages as low as 1 V with minimal increase in ON-resistance and power loss.

Multiple timing options are available to support various system loading conditions. For heavy capacitive loads, the slow turn-on timing in the C version minimizes the inrush current. In cases with light capacitive loads, the fast timing in the B version reduces required wait time.

The switch ON state is controlled by a digital input that is capable of interfacing directly with low-voltage control signals. Both Active High and Active Low (L) versions are available. When power is first applied, a smart pulldown is used to keep the ON pin from floating until system sequencing is complete. AFter the ON pin is deliberately driven high (≥VIH), the smart pulldown is disconnected to prevent unnecessary power loss.

The TPS22916xx is available in a small, space saving 0.78 mm × 0.78 mm, 0.4-mm pitch, 0.5-mm height 4-pin Wafer-Chip-Scale (WCSP) package (YFP). The device is characterized for operation over a temperature range of –40°C to +85°C.

The TPS22916xx is a small, single channel load switch using a low leakage P-Channel MOSFET for minimum power loss. Advanced gate control design supports operating voltages as low as 1 V with minimal increase in ON-resistance and power loss.

Multiple timing options are available to support various system loading conditions. For heavy capacitive loads, the slow turn-on timing in the C version minimizes the inrush current. In cases with light capacitive loads, the fast timing in the B version reduces required wait time.

The switch ON state is controlled by a digital input that is capable of interfacing directly with low-voltage control signals. Both Active High and Active Low (L) versions are available. When power is first applied, a smart pulldown is used to keep the ON pin from floating until system sequencing is complete. AFter the ON pin is deliberately driven high (≥VIH), the smart pulldown is disconnected to prevent unnecessary power loss.

The TPS22916xx is available in a small, space saving 0.78 mm × 0.78 mm, 0.4-mm pitch, 0.5-mm height 4-pin Wafer-Chip-Scale (WCSP) package (YFP). The device is characterized for operation over a temperature range of –40°C to +85°C.
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기술 자료

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설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

TPS22916ALLEVM — 부하 스위치용 TPS22916 평가 모듈

TPS22916 평가 모듈(EVM)은 TPS22916xx 부하 스위치 평가 용도로 설계되어 테스트를 마친 조립형 회로입니다. TPS22916EVM을 이용하면 다양한 부하 조건(0A~2A)에서 TPS22916xx 장치에 여러 다른 입력 전압(1.0V~5.5V)을 인가할 수 있습니다. 이 평가 모듈에는 TPS22916B, TPS22916BL, TPS22916C, TPS22916CL, TPS22916CN 및 TPS22916CNL 장치가 포함되어 있습니다.

사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
평가 보드

TPS22916EVM — TPS22916 5.5V, 2A, 60mΩ 온 저항 부하 스위치 평가 모듈

TPS2291 평가 모듈(EVM)은 TPS22916xx 부하 스위치 평가 용도로 설계되어 테스트를 마친 조립형 회로입니다. TPS22916EVM을 이용하면 다양한 부하 조건(0A~2 A)에서 TPS22916xx 장치에 여러 다른 입력 전압(1.0 V~3.6V)을 인가할 수 있습니다. 이 평가 모듈에는 TPS22916B, TPS22916C, TPS22916CL 및 TPS22916CN 장치가 포함되어 있습니다.
사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매 불가
시뮬레이션 모델

TPS22916B Unencrypted PSpice Transient Model Package (Rev. B)

SLVMC59B.ZIP (51 KB) - PSpice Model
다운로드
시뮬레이션 모델

TPS22916BL PSpice Model

SLVMDR4.ZIP (66 KB) - PSpice Model
다운로드
시뮬레이션 모델

TPS22916C Unencrypted PSpice Transient Model Package (Rev. B)

SLVMC60B.ZIP (63 KB) - PSpice Model
다운로드
시뮬레이션 모델

TPS22916CL Unencrypted PSpice Transient Model Package (Rev. C)

SLVMC65C.ZIP (66 KB) - PSpice Model
다운로드
시뮬레이션 모델

TPS22916CN Unencrypted PSpice Transient Model Package (Rev. B)

SLVMC64B.ZIP (63 KB) - PSpice Model
다운로드
시뮬레이션 모델

TPS22916CNL-BL PSpice Model

SLVMDR3.ZIP (58 KB) - PSpice Model
다운로드
시뮬레이션 툴

PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

TI용 PSpice®는 아날로그 회로의 기능을 평가하는 데 사용되는 설계 및 시뮬레이션 환경입니다. 완전한 기능을 갖춘 이 설계 및 시뮬레이션 제품군은 Cadence®의 아날로그 분석 엔진을 사용합니다. 무료로 제공되는 TI용 PSpice에는 아날로그 및 전력 포트폴리오뿐 아니라 아날로그 행동 모델에 이르기까지 업계에서 가장 방대한 모델 라이브러리 중 하나가 포함되어 있습니다.

TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 (...)
요청
레퍼런스 디자인

TIDA-00556 — 웨어러블 기기를 위한 부하 스위치 기반 절전 모드 레퍼런스 디자인

The TIDA-00556 is a low power, space saving "ship mode" reference design targeted specifically for wearables and other small portable electronics that can be implemented with a simple, low cost load switch.
Design guide: PDF
회로도: PDF
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
DSBGA (YFP) 4 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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