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TPS7H2221-SEP

활성

방사선 내성, 1.6V ~ 5.5V 입력, 1.25A 부하 스위치

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TPS7H2221-SEP

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제품 상세 정보

Number of channels 1 Vin (min) (V) 1.6 Vin (max) (V) 5.5 Imax (A) 1.25 Ron (typ) (mΩ) 90 Shutdown current (ISD) (typ) (µA) 0.002 Quiescent current (Iq) (typ) (µA) 8 Soft start Fixed Rise Time Current limit type Fixed Features Quick output discharge, Short circuit protection, Thermal shutdown Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125 FET Internal Device type Load switch Function Inrush current control, Short circuit protection, Thermal shutdown
Number of channels 1 Vin (min) (V) 1.6 Vin (max) (V) 5.5 Imax (A) 1.25 Ron (typ) (mΩ) 90 Shutdown current (ISD) (typ) (µA) 0.002 Quiescent current (Iq) (typ) (µA) 8 Soft start Fixed Rise Time Current limit type Fixed Features Quick output discharge, Short circuit protection, Thermal shutdown Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125 FET Internal Device type Load switch Function Inrush current control, Short circuit protection, Thermal shutdown
SOT-SC70 (DCK) 6 4.2 mm² 2 x 2.1
  • Vendor item drawing available, VID V62/22609
  • Total ionizing dose (TID) characterized to 30 krad(Si)
    • TID RLAT (radiation lot acceptance testing) for every wafer lot to 20 krad(Si)
  • Single-event effects (SEE) characterized
    • Single-event latch-up (SEL), single-event burnout (SEB) and single-event gate rupture (SEGR) immune to effective linear energy transfer (LETEFF) of 43 MeV– cm2/mg.
    • Single-event transient (SET) and single-event functional interrupt (SEFI) characterized to LETEFF of 43 MeV– cm2/mg.
  • Input operating voltage range (VIN): 1.6 to 5.5 V
  • Recommended continuous current (IMAX): 1.25 A
  • On-resistance (RON):
    • 116 mΩ (typ.) at VIN = 5 V
    • 115 mΩ (typ.) at VIN = 3.3 V
    • 133 mΩ (typ.) at VIN = 1.8 V
  • Output short protection (ISC): 3 A (typ.)
  • Low power consumption:
    • ON state (IQ): 8.3 µA (typ.)
    • OFF state (ISD): 3 nA (typ.)
  • Slow turn ON timing to limit inrush current (tON):
    • tON at 5 V = 1.68 ms at 3.61 mV/µs
    • tON at 3.3 V = 1.51 ms at 2.91 mV/µs
    • tON at 1.8 V = 1.32 ms at 2.15 mV/µs
  • Adjustable output discharge and fall time:
    • Internal QOD resistance = 9.2 Ω (typ.) at VIN = 3.3 V
  • Space Enhanced Plastic (SEP)
    • Controlled baseline
    • Gold bondwire
    • NiPdAu lead finish
    • One assembly and test site
    • One fabrication site
    • Military (–55°C to 125°C) temperature range
    • Extended product life cycle
    • Extended product-change notification (PCN)
    • Product traceability
    • Enhance mold compound for low outgassing
  • Vendor item drawing available, VID V62/22609
  • Total ionizing dose (TID) characterized to 30 krad(Si)
    • TID RLAT (radiation lot acceptance testing) for every wafer lot to 20 krad(Si)
  • Single-event effects (SEE) characterized
    • Single-event latch-up (SEL), single-event burnout (SEB) and single-event gate rupture (SEGR) immune to effective linear energy transfer (LETEFF) of 43 MeV– cm2/mg.
    • Single-event transient (SET) and single-event functional interrupt (SEFI) characterized to LETEFF of 43 MeV– cm2/mg.
  • Input operating voltage range (VIN): 1.6 to 5.5 V
  • Recommended continuous current (IMAX): 1.25 A
  • On-resistance (RON):
    • 116 mΩ (typ.) at VIN = 5 V
    • 115 mΩ (typ.) at VIN = 3.3 V
    • 133 mΩ (typ.) at VIN = 1.8 V
  • Output short protection (ISC): 3 A (typ.)
  • Low power consumption:
    • ON state (IQ): 8.3 µA (typ.)
    • OFF state (ISD): 3 nA (typ.)
  • Slow turn ON timing to limit inrush current (tON):
    • tON at 5 V = 1.68 ms at 3.61 mV/µs
    • tON at 3.3 V = 1.51 ms at 2.91 mV/µs
    • tON at 1.8 V = 1.32 ms at 2.15 mV/µs
  • Adjustable output discharge and fall time:
    • Internal QOD resistance = 9.2 Ω (typ.) at VIN = 3.3 V
  • Space Enhanced Plastic (SEP)
    • Controlled baseline
    • Gold bondwire
    • NiPdAu lead finish
    • One assembly and test site
    • One fabrication site
    • Military (–55°C to 125°C) temperature range
    • Extended product life cycle
    • Extended product-change notification (PCN)
    • Product traceability
    • Enhance mold compound for low outgassing

The TPS7H2221-SEP device is a small, single channel load switch with controlled slew rate. The device contains an N-channel MOSFET that can operate over an input voltage range of 1.6 V to 5.5 V and can support a maximum continuous current of 1.25 A.

The switch ON state is controlled by a digital input that is capable of interfacing directly with low-voltage control signals. When power is first applied, a Smart Pull Down is used to keep the ON pin from floating until system sequencing is complete. Once the pin is deliberately driven high (VON>VIH), the Smart Pull Down will be disconnected to prevent unnecessary power loss.

The TPS7H2221-SEP load switch is also self-protected, meaning that it protects against short circuit events on the output of the device.

The TPS7H2221-SEP is available in a standard SC-70 package characterized for operation over an ambient temperature range of –55°C to 125°C.

The TPS7H2221-SEP device is a small, single channel load switch with controlled slew rate. The device contains an N-channel MOSFET that can operate over an input voltage range of 1.6 V to 5.5 V and can support a maximum continuous current of 1.25 A.

The switch ON state is controlled by a digital input that is capable of interfacing directly with low-voltage control signals. When power is first applied, a Smart Pull Down is used to keep the ON pin from floating until system sequencing is complete. Once the pin is deliberately driven high (VON>VIH), the Smart Pull Down will be disconnected to prevent unnecessary power loss.

The TPS7H2221-SEP load switch is also self-protected, meaning that it protects against short circuit events on the output of the device.

The TPS7H2221-SEP is available in a standard SC-70 package characterized for operation over an ambient temperature range of –55°C to 125°C.
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기술 자료

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유형 직함 날짜
* Data sheet TPS7H2221-SEP Radiation Tolerant 5.5-V, 1.25-A, 115-mΩ Load Switch datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2022/09/20
* VID TPS7H2221-SEP VID V62-22609 2022/12/22
* Radiation & reliability report TPS7H2221-SEP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report (Rev. A) 2022/09/28
* Radiation & reliability report TPS7H2221-SEP Production Flow and Reliability Report 2022/09/22
* Radiation & reliability report TPS7H2221-SEP Neutron Displacement (NDD) Characterization Report 2022/08/18
* Radiation & reliability report TPS7H2221-SEP Single-Event Effects (SEE) Report PDF | HTML 2022/07/12
Selection guide TI Space Products (Rev. J) 2024/02/12
Technical article 우주 항공 강화 제품이 저지구 궤도 애플리케이션의 과제를 해결하는 방법 (Rev. A) PDF | HTML 2024/01/11
Application note Reduce the Risk in Low-Earth Orbit Missions with Space Enhanced Plastic Products (Rev. A) PDF | HTML 2022/09/15
E-book Radiation Handbook for Electronics (Rev. A) 2019/05/21

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

TPS7H2221EVM — TPS7H2221 1.6V ~ 5.5V 입력, 1.25A 부하 스위치용 평가 모듈

TPS7H2221 평가 모듈(EVM)은 TPS7H2221-SEP 부하 스위치의 병렬 작동을 보여줍니다. EVM을 사용하면 병렬 회로를 두 개의 독립적인 단일 장치 회로로 구분할 수 있고, 사용자 지정 구성을 테스트할 수 있도록 추가 패시브 부품으로 채울 수 있는 설치 공간을 제공합니다.

사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
평가 보드

ALPHA-3P-ADM-VA601-SPACE-AMD — AMD Versal 코어 XQRVC1902 ACAP 및 TI 방사선 내성 제품을 사용하는 Alpha Data ADM-VA601 키트

AMD-Xilinx®® Versal AI Core XQRVC1902 적응형 SoC/FPGA를 강조하는 6U VPX 폼 팩터입니다. ADM-VA600은 FMC+ 커넥터 1개, DDR4 DRAM 및 시스템 모니터링 기능을 갖춘 모듈식 보드 설계입니다. 대부분의 구성 요소는 방사능 내성 전원 관리, 인터페이스, 클로킹 및 임베디드 프로세싱(-SEP) 장치입니다.

발송: Alpha Data Parallel Systems Ltd.
파트너 사이트 방문
시뮬레이션 모델

TPS7H2221-SEP PSpice Transient Model

SLVMDX7.ZIP (21 KB) - PSpice Model
다운로드
시뮬레이션 툴

PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

TI용 PSpice®는 아날로그 회로의 기능을 평가하는 데 사용되는 설계 및 시뮬레이션 환경입니다. 완전한 기능을 갖춘 이 설계 및 시뮬레이션 제품군은 Cadence®의 아날로그 분석 엔진을 사용합니다. 무료로 제공되는 TI용 PSpice에는 아날로그 및 전력 포트폴리오뿐 아니라 아날로그 행동 모델에 이르기까지 업계에서 가장 방대한 모델 라이브러리 중 하나가 포함되어 있습니다.

TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 (...)
요청
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOT-SC70 (DCK) 6 Ultra Librarian
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주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

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