Startseite Energiemanagement Gate-Treiber Isolierte Gate-Treiber

UCC21750

AKTIV

Einkanaliger isolierter Gate-Treiber für den Automobilbereich, 5,7 kVrms, ±10A mit DESAT und interne

Produktdetails

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000, 8400 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000, 8400 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 5.7-kVRMS single channel isolated gate driver
  • SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121Vpk
  • 33-V maximum output drive voltage (VDD – VEE)
  • ±10-A drive strength and split output
  • 150-V/ns minimum CMTI
  • 200-ns response time fast DESAT protection
  • 4-A Internal active miller clamp
  • 400-mA soft turn-off when fault happens
  • Isolated analog sensor with PWM output for
    • Temperature sensing with NTC, PTC or thermal diode
    • High voltage DC-link or phase voltage
  • Alarm FLT on overcurrent and reset from RST/EN
  • Fast enable and disable response on RST/EN
  • Reject < 40-ns noise transient and pulse on input pins
  • 12-V VDD UVLO with power good on RDY
  • Inputs/outputs with over/under-shoot transient voltage immunity up to 5 V
  • 130-ns (maximum) propagation delay and 30-ns (maximum) pulse/part skew
  • SOIC-16 DW package with creepage and clearance distance > 8 mm
  • Operating junction temperature –40°C to 150°C
  • Safety-related certifications:
    • Reinforced insulation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 component recognition program
  • 5.7-kVRMS single channel isolated gate driver
  • SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121Vpk
  • 33-V maximum output drive voltage (VDD – VEE)
  • ±10-A drive strength and split output
  • 150-V/ns minimum CMTI
  • 200-ns response time fast DESAT protection
  • 4-A Internal active miller clamp
  • 400-mA soft turn-off when fault happens
  • Isolated analog sensor with PWM output for
    • Temperature sensing with NTC, PTC or thermal diode
    • High voltage DC-link or phase voltage
  • Alarm FLT on overcurrent and reset from RST/EN
  • Fast enable and disable response on RST/EN
  • Reject < 40-ns noise transient and pulse on input pins
  • 12-V VDD UVLO with power good on RDY
  • Inputs/outputs with over/under-shoot transient voltage immunity up to 5 V
  • 130-ns (maximum) propagation delay and 30-ns (maximum) pulse/part skew
  • SOIC-16 DW package with creepage and clearance distance > 8 mm
  • Operating junction temperature –40°C to 150°C
  • Safety-related certifications:
    • Reinforced insulation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 component recognition program

The UCC21750 is a galvanic isolated single channel gate driver designed for SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121-V DC operating voltage with advanced protection features, best-in-class dynamic performance and robustness. The UCC21750 has up to ±10-A peak source and sink current.

The input side is isolated from the output side with SiO2 capacitive isolation technology, supporting up to 1.5-kVRMS working voltage, 12.8-kVPK surge immunity with longer than 40 years Isolation barrier life, as well as providing low part-to-part skew , and > 150-V/ns common mode noise immunity (CMTI).

The UCC21750 includes the state-of-art protection features, such as fast overcurrent and short circuit detection, shunt current sensing support, fault reporting, active miller clamp, and input and output side power supply UVLO to optimize SiC and IGBT switching behavior and robustness. The isolated analog to PWM sensor can be used for easier temperature or voltage sensing, further increasing the drivers’ versatility and simplifying the system design effort, size, and cost.

The UCC21750 is a galvanic isolated single channel gate driver designed for SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121-V DC operating voltage with advanced protection features, best-in-class dynamic performance and robustness. The UCC21750 has up to ±10-A peak source and sink current.

The input side is isolated from the output side with SiO2 capacitive isolation technology, supporting up to 1.5-kVRMS working voltage, 12.8-kVPK surge immunity with longer than 40 years Isolation barrier life, as well as providing low part-to-part skew , and > 150-V/ns common mode noise immunity (CMTI).

The UCC21750 includes the state-of-art protection features, such as fast overcurrent and short circuit detection, shunt current sensing support, fault reporting, active miller clamp, and input and output side power supply UVLO to optimize SiC and IGBT switching behavior and robustness. The isolated analog to PWM sensor can be used for easier temperature or voltage sensing, further increasing the drivers’ versatility and simplifying the system design effort, size, and cost.

Herunterladen Video mit Transkript ansehen Video

Ähnliche Produkte, die für Sie interessant sein könnten

Selbe Funktionalität wie der verglichene Baustein bei abweichender Anschlussbelegung
UCC21710 AKTIV 5,7 kVrms ±10 A, einkanaliger isolierter Gate-Treiber mit OC-Erkennung, interner Klemme für IGBT/SiC Supports internal Miller clamp; only supports Soft Turn-OFF
UCC21732 AKTIV Isolierter Einkanal-Gate-Treiber für 5,7 kVrms, ±10 A mit 2-stufiger Abschaltung für IGBT/SiC-FETs Supports external Miller clamp; supports two-level Soft Turn-OFF

Technische Dokumentation

star =Von TI ausgewählte Top-Empfehlungen für dieses Produkt
Keine Ergebnisse gefunden. Bitte geben Sie einen anderen Begriff ein und versuchen Sie es erneut.
Alle anzeigen 16
Typ Titel Datum
* Data sheet UCC21750 10-A Source/Sink Reinforced Isolated Single Channel Gate Driver for SiC/IGBT with Active Protection, Isolated Analog Sensing and High-CMTI datasheet (Rev. C) PDF | HTML 12 Jan 2023
Application brief Does My Design Need a Miller Clamp? PDF | HTML 11 Dez 2024
Application note Choosing Appropriate Protection Approach for IGBT and SiC Power Modules PDF | HTML 19 Jul 2024
Certificate VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. S) 29 Feb 2024
Application brief Understanding the Short Circuit Protection for Silicon Carbide MOSFETs (Rev. C) PDF | HTML 08 Sep 2023
User guide UCC217xx and ISO5x5x Half-Bridge EVM User's Guide for Wolfspeed 1200-V SiC 01 Sep 2023
Certificate UCC217xx/-Q1 CQC Certificate of Product Certification 07 Jun 2023
Technical article Misconceptions about EV charging PDF | HTML 24 Feb 2022
Application brief The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits PDF | HTML 16 Dez 2021
Certificate FPPT2 - Nonoptical Isolating Devices UL 1577 Certificate of Compliance 26 Okt 2021
E-book Ein Techniker-Leitfaden für Industrieroboter-Designs 25 Mär 2020
Application note Performance of the Analog PWM Channel in Smart Gate Drivers 16 Jan 2020
Design guide SiC/IGBT Isolated Gate Driver Reference Design With Thermal Diode and Sensing 18 Dez 2019
User guide UCC217xx Family Driving and Protecting SiC and IGBT Power Modules and Transistor (Rev. B) 09 Sep 2019
Technical article Searching for the newest innovations in power? Find them at APEC PDF | HTML 09 Feb 2019
Application brief Why is high UVLO important for safe IGBT & SiC MOSFET power switch operation 30 Jan 2019

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

UCC21750QDWEVM-025 — Evaluierungsplatine für Treiber und Schutz für SiC- und IGBT-Transistoren und Stromversorgungsmodule

The UCC21750QDWEVM-025 is a compact, single channel isolated gate driver board providing drive, bias voltages, desat feature based protection and diagnostic needed for SiC MOSFET and Si IGBT Power Modules housed in 150 x 62 x 17 mm and 106 x 62 x 30 mm packages. This TI EVM is based on 5.7-kVrms (...)
Benutzerhandbuch: PDF
Evaluierungsplatine

UCC21750QDWEVM-054 — UCC21750 Evaluierungsmodul für Wolfspeed® 1200-V-SiC-Plattformen

Das UCC21750QDWEVM-054 ist ein kompaktes Halbbrücken-Gate-Treiber-Evaluierungsmodul, das aus zwei einkanaligen und isolierten Gate-Treibern besteht. Das Evaluierungsmodul stellt die Versorgungsspannung, den Antrieb, den Schutz und die Überwachung bereit, die zur Ansteuerung mehrerer (...)

Benutzerhandbuch: PDF
Simulationsmodell

UCC21750 PSpice Transient Model

SLUM680.ZIP (90 KB) - PSpice Model
Simulationsmodell

UCC21750 TINA-TI Reference Design

SLUM887.TSC (2184 KB) - TINA-TI Reference Design
Simulationsmodell

UCC21750 Unencrypted PSPICE Transient Model

SLUM718.ZIP (6 KB) - PSpice Model
Simulationsmodell

UCC21750DWR PSPICE Model

SLUM736.ZIP (6 KB) - PSpice Model
Berechnungstool

SLUC695 UCC217xx XL Calculator Tool

Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Produkte
Isolierte Gate-Treiber
UCC21710-Q1 Isolierter Einkanal-Gate-Treiber, 5,7 kVrms 10 A, mit Überstromschutz für IGBT/SiC für die Automobil UCC21732-Q1 Isolierter Einkanal-Gate-Treiber für den Automobilbereich mit 5,7 kVrms ±10 A und 2-stufiger Abschal UCC21736-Q1 Isolierter Einkanal-Gate-Treiber für den Automobilbereich, 5,7 kVrms, ±10 A mit aktivem Kurzschluss UCC21739-Q1 Einkanaliger isolierter Gate-Treiber für den Automobilbereich, 3 kVrms, ±10A mit isolierter analoger UCC21750 Einkanaliger isolierter Gate-Treiber für den Automobilbereich, 5,7 kVrms, ±10A mit DESAT und interne UCC21750-Q1 Isolierter Einkanal-Gate-Treiber, 5,7 kVrms, ±10 A mit DESAT und interner Klemme für IGBT/SiC, für d UCC21759-Q1 Einkanaliger isolierter Gate-Treiber für den Automobilbereich 3,0 kVrms, ±10 A mit DESAT und interne
Simulationstool

PSPICE-FOR-TI — PSpice® für TI Design-und Simulationstool

PSpice® für TI ist eine Design- und Simulationsumgebung, welche Sie dabei unterstützt, die Funktionalität analoger Schaltungen zu evaluieren. Diese voll ausgestattete Design- und Simulationssuite verwendet eine analoge Analyse-Engine von Cadence®. PSpice für TI ist kostenlos erhältlich und (...)
Referenzdesigns

PMP23223 — Referenzdesign für intelligenten isolierten Gate-Treiber mit Vorspannungsversorgung

Dieses Referenzdesign zeigt die Funktionen der Kombination aus einem UCC21732-Gate-Treibern mit einer Vorspannungsversorgung der Serie UCC14xxx. Dieses Design kann zur Ansteuerung einer Vielzahl von Leistungsschaltern verwendet werden, einschließlich der direkten Verbindung mit einem (...)
Test report: PDF
Referenzdesigns

TIDA-01599 — Referenzdesign für redundante zweikanalige, sichere Drehmomentabschaltung (STO) für AC-Inverter und

Dieses Referenzdesign skizziert ein sicheres STO-Subsystem (Torque Off-Drehmomentabschaltung) für einen dreiphasigen Inverter mit isolierten IGBT-Gatetreibern mit CMOS-Eingang. Das STO-Subsystem benützt eine Zweikanal-Architektur (1oo2) mit einer Hardware-Fehlertoleranz von 1 (HFT=1). Ihre (...)
Design guide: PDF
Schaltplan: PDF
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian

Bestellen & Qualität

Beinhaltete Information:
  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.

Support und Schulungen

TI E2E™-Foren mit technischem Support von TI-Ingenieuren

Inhalte werden ohne Gewähr von TI und der Community bereitgestellt. Sie stellen keine Spezifikationen von TI dar. Siehe Nutzungsbedingungen.

Bei Fragen zu den Themen Qualität, Gehäuse oder Bestellung von TI-Produkten siehe TI-Support. ​​​​​​​​​​​​​​

Videos