Startseite Energiemanagement Gate-Treiber Isolierte Gate-Treiber
Startseite
Energiemanagement
Gate-Treiber
Isolierte Gate-Treiber

UCC21759-Q1

AKTIV

Einkanaliger isolierter Gate-Treiber für den Automobilbereich 3,0 kVrms, ±10 A mit DESAT und interne

Jetzt bestellen
Datenblatt

UCC21759-Q1

AKTIV
Datenblatt Jetzt bestellen

Produktdetails

Number of channels 1 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 3kVRMS single channel isolated gate driver
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Device temperature grade 1: -40°C to +125°C ambient operating temperature range
    • Device HBM ESD classification level 3A
    • Device CDM ESD classofication level C3
  • Drives SiC MOSFETs and IGBTs up to 900Vpk
  • 33V maximum output drive voltage (VDD-VEE)
  • High peak drive current and high CMTI
  • ±10A drive strength and split output
  • 150V/ns minimum CMTI
  • 200ns response time fast DESAT protection
  • 4A internal active Miller clamp
  • 400mA soft turn-off under fault conditions
  • Isolated analog sensor with PWM output for
    • Temperature sensing with NTC, PTC or thermal diode
    • High voltage DC-Link or phase voltage
  • Alarm FLT on over current and reset from RST/EN
  • Fast enable/disable response on RST/EN
  • Rejects <40ns noise transients and pulses on input pins
  • 12V VDD UVLO with power good on RDY
  • Inputs/outputs with over/under-shoot transient voltage immunity up to 5V
  • 130ns (maximum) propagation delay and 30ns (maximum) pulse/part skew
  • SOIC-16 DW package with creepage and clearance distance > 8mm
  • Operating junction temperature –40°C to +150°C
  • Safety-related certifications:
    • 4242VPK basic isolation per EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
  • 3kVRMS single channel isolated gate driver
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Device temperature grade 1: -40°C to +125°C ambient operating temperature range
    • Device HBM ESD classification level 3A
    • Device CDM ESD classofication level C3
  • Drives SiC MOSFETs and IGBTs up to 900Vpk
  • 33V maximum output drive voltage (VDD-VEE)
  • High peak drive current and high CMTI
  • ±10A drive strength and split output
  • 150V/ns minimum CMTI
  • 200ns response time fast DESAT protection
  • 4A internal active Miller clamp
  • 400mA soft turn-off under fault conditions
  • Isolated analog sensor with PWM output for
    • Temperature sensing with NTC, PTC or thermal diode
    • High voltage DC-Link or phase voltage
  • Alarm FLT on over current and reset from RST/EN
  • Fast enable/disable response on RST/EN
  • Rejects <40ns noise transients and pulses on input pins
  • 12V VDD UVLO with power good on RDY
  • Inputs/outputs with over/under-shoot transient voltage immunity up to 5V
  • 130ns (maximum) propagation delay and 30ns (maximum) pulse/part skew
  • SOIC-16 DW package with creepage and clearance distance > 8mm
  • Operating junction temperature –40°C to +150°C
  • Safety-related certifications:
    • 4242VPK basic isolation per EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)

The UCC21759-Q1 is a galvanic isolated single channel gate driver designed for SiC MOSFETs and IGBTs up to 900V DC operating voltage with advanced protection features, best-in-class dynamic performance and robustness. UCC21759-Q1 has up to ±10A peak source and sink current.

The input side is isolated from the output side with SiO2 capacitive isolation technology, supporting up to 636VRMS working voltage with longer than 40 years isolation barrier life, 6kVPK surge immunity, as well as providing low part-to-part skew, and >150V/ns common mode noise immunity (CMTI).

The UCC21759-Q1 includes the state-of-art protection features, such as fast short circuit detection, fault reporting, active Miller clamp, and input and output side power supply UVLO optimized for SiC and IGBT power transistors. The isolated analog to PWM sensor can be utilized for easier temperature or voltage sensing, further increasing the drivers’ versatility and simplifying the system design effort, size, and cost.

The UCC21759-Q1 is a galvanic isolated single channel gate driver designed for SiC MOSFETs and IGBTs up to 900V DC operating voltage with advanced protection features, best-in-class dynamic performance and robustness. UCC21759-Q1 has up to ±10A peak source and sink current.

The input side is isolated from the output side with SiO2 capacitive isolation technology, supporting up to 636VRMS working voltage with longer than 40 years isolation barrier life, 6kVPK surge immunity, as well as providing low part-to-part skew, and >150V/ns common mode noise immunity (CMTI).

The UCC21759-Q1 includes the state-of-art protection features, such as fast short circuit detection, fault reporting, active Miller clamp, and input and output side power supply UVLO optimized for SiC and IGBT power transistors. The isolated analog to PWM sensor can be utilized for easier temperature or voltage sensing, further increasing the drivers’ versatility and simplifying the system design effort, size, and cost.
filter Andere Isolierte Gate-Treiber suchen
Herunterladen Video mit Transkript ansehen Video

Ähnliche Produkte, die für Sie interessant sein könnten

open-in-new Alternativen vergleichen
Selbe Funktionalität wie der verglichene Baustein bei abweichender Anschlussbelegung
UCC21750-Q1 AKTIV Isolierter Einkanal-Gate-Treiber, 5,7 kVrms, ±10 A mit DESAT und interner Klemme für IGBT/SiC, für d Same pinout, supports 5.7-kVrms isolation voltage

Technische Dokumentation

star =Von TI ausgewählte Top-Empfehlungen für dieses Produkt
Keine Ergebnisse gefunden. Bitte geben Sie einen anderen Begriff ein und versuchen Sie es erneut.
Alle anzeigen 5
Typ Titel Datum
* Data sheet UCC21759 -Q1 Automotive 10A Source/Sink Basic Isolated Single Channel Gate Driver for SiC/IGBT with Active Protection, Isolated Analog Sensing and High-CMTI datasheet (Rev. B) PDF | HTML 06 Feb 2024
Application brief Does My Design Need a Miller Clamp? PDF | HTML 11 Dez 2024
Application note Choosing Appropriate Protection Approach for IGBT and SiC Power Modules PDF | HTML 19 Jul 2024
User guide UCC217xx and ISO5x5x Half-Bridge EVM User's Guide for Wolfspeed 1200-V SiC 01 Sep 2023
Application brief The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits PDF | HTML 16 Dez 2021

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

UCC21750QDWEVM-025 — Evaluierungsplatine für Treiber und Schutz für SiC- und IGBT-Transistoren und Stromversorgungsmodule

The UCC21750QDWEVM-025 is a compact, single channel isolated gate driver board providing drive, bias voltages, desat feature based protection and diagnostic needed for SiC MOSFET and Si IGBT Power Modules housed in 150 x 62 x 17 mm and 106 x 62 x 30 mm packages. This TI EVM is based on 5.7-kVrms (...)
Benutzerhandbuch: PDF
Nicht verfügbar auf TI.com
Berechnungstool

SLUC695 — UCC217xx XL Calculator Tool

Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Produkte
Isolierte Gate-Treiber
UCC21710-Q1 — Isolierter Einkanal-Gate-Treiber, 5,7 kVrms 10 A, mit Überstromschutz für IGBT/SiC für die Automobil UCC21732-Q1 — Isolierter Einkanal-Gate-Treiber für den Automobilbereich mit 5,7 kVrms ±10 A und 2-stufiger Abschal UCC21736-Q1 — Isolierter Einkanal-Gate-Treiber für den Automobilbereich, 5,7 kVrms, ±10 A mit aktivem Kurzschluss UCC21739-Q1 — Einkanaliger isolierter Gate-Treiber für den Automobilbereich, 3 kVrms, ±10A mit isolierter analoger UCC21750 — Einkanaliger isolierter Gate-Treiber für den Automobilbereich, 5,7 kVrms, ±10A mit DESAT und interne UCC21750-Q1 — Isolierter Einkanal-Gate-Treiber, 5,7 kVrms, ±10 A mit DESAT und interner Klemme für IGBT/SiC, für d UCC21759-Q1 — Einkanaliger isolierter Gate-Treiber für den Automobilbereich 3,0 kVrms, ±10 A mit DESAT und interne
Herunterladen
Simulationstool

PSPICE-FOR-TI — PSpice® für TI Design-und Simulationstool

PSpice® für TI ist eine Design- und Simulationsumgebung, welche Sie dabei unterstützt, die Funktionalität analoger Schaltungen zu evaluieren. Diese voll ausgestattete Design- und Simulationssuite verwendet eine analoge Analyse-Engine von Cadence®. PSpice für TI ist kostenlos erhältlich und (...)
Anfordern
Referenzdesigns

PMP23223 — Referenzdesign für intelligenten isolierten Gate-Treiber mit Vorspannungsversorgung

Dieses Referenzdesign zeigt die Funktionen der Kombination aus einem UCC21732-Gate-Treibern mit einer Vorspannungsversorgung der Serie UCC14xxx. Dieses Design kann zur Ansteuerung einer Vielzahl von Leistungsschaltern verwendet werden, einschließlich der direkten Verbindung mit einem (...)
Test report: PDF
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
Es gelten die allgemeinen Geschäftsbedingungen von TI für Evaluierungsartikel.

Bestellen & Qualität

Beinhaltete Information:
  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.

Support und Schulungen

TI E2E™-Foren mit technischem Support von TI-Ingenieuren

Alle Forenthemen auf Englisch anzeigen

Inhalte werden ohne Gewähr von TI und der Community bereitgestellt. Sie stellen keine Spezifikationen von TI dar. Siehe Nutzungsbedingungen.

Bei Fragen zu den Themen Qualität, Gehäuse oder Bestellung von TI-Produkten siehe TI-Support. ​​​​​​​​​​​​​​

Videos