DRV5012

ACTIVO

Cierre de efecto Hall de baja potencia (tan baja como 3.3 µA), baja tensión (hasta 5.5 V)

Detalles del producto

Type Latch Operate point (typ) (mT) 2 Operate point (max) (mT) 3.3 Release point (min) (mT) -3.3 Supply current (µA) 1.3, 142 Bandwidth (kHz) 0.02, 2.5 Supply voltage (min) (V) 1.65 Supply voltage (max) (V) 5.5 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Output Push-Pull output driver
Type Latch Operate point (typ) (mT) 2 Operate point (max) (mT) 3.3 Release point (min) (mT) -3.3 Supply current (µA) 1.3, 142 Bandwidth (kHz) 0.02, 2.5 Supply voltage (min) (V) 1.65 Supply voltage (max) (V) 5.5 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Output Push-Pull output driver
X2SON (DMR) 4 1.54 mm² 1.4 x 1.1
  • Industry-Leading Low-Power Consumption
  • Pin-Selectable Sampling Rate:
    • SEL = Low: 20 Hz Using 1.3 µA (1.8 V)
    • SEL = High: 2.5 kHz Using 142 µA (1.8 V)
  • 1.65- to 5.5-V Operating VCC Range
  • High Magnetic Sensitivity: ±2 mT (Typical)
  • Robust Hysteresis: 4 mT (Typical)
  • Push-Pull CMOS Output
  • Small and Thin X2SON Package
  • –40°C to +85°C Operating Temperature Range
  • Industry-Leading Low-Power Consumption
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    • SEL = Low: 20 Hz Using 1.3 µA (1.8 V)
    • SEL = High: 2.5 kHz Using 142 µA (1.8 V)
  • 1.65- to 5.5-V Operating VCC Range
  • High Magnetic Sensitivity: ±2 mT (Typical)
  • Robust Hysteresis: 4 mT (Typical)
  • Push-Pull CMOS Output
  • Small and Thin X2SON Package
  • –40°C to +85°C Operating Temperature Range

The DRV5012 device is an ultra-low-power digital-latch Hall effect sensor with a pin-selectable sampling rate. ™

When a south magnetic pole is near the top of the package and the BOP threshold is exceeded, the device drives a low voltage. The output stays low until a north pole is applied and the BRP threshold is crossed, which causes the output to drive a high voltage. Alternating north and south poles are required to toggle the output, and integrated hysteresis separates BOP and BRP to provide robust switching.

Using an internal oscillator, the DRV5012 device samples the magnetic field and updates the output at a rate of 20 Hz or 2.5 kHz, depending on the SEL pin. This dual-bandwidth feature can allow systems to monitor changes in movement while using minimal power.

The device operates from a VCC range of 1.65 V to 5.5 V, and is packaged in a small X2SON.

The DRV5012 device is an ultra-low-power digital-latch Hall effect sensor with a pin-selectable sampling rate. ™

When a south magnetic pole is near the top of the package and the BOP threshold is exceeded, the device drives a low voltage. The output stays low until a north pole is applied and the BRP threshold is crossed, which causes the output to drive a high voltage. Alternating north and south poles are required to toggle the output, and integrated hysteresis separates BOP and BRP to provide robust switching.

Using an internal oscillator, the DRV5012 device samples the magnetic field and updates the output at a rate of 20 Hz or 2.5 kHz, depending on the SEL pin. This dual-bandwidth feature can allow systems to monitor changes in movement while using minimal power.

The device operates from a VCC range of 1.65 V to 5.5 V, and is packaged in a small X2SON.

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Documentación técnica

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Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.

Soporte y capacitación

Foros de TI E2E™ con asistencia técnica de los ingenieros de TI

El contenido lo proporcionan “tal como está” TI y los colaboradores de la comunidad y no constituye especificaciones de TI. Consulte los términos de uso.

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